产地类别： 进口
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芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV：
PICOSUN™ P-300系统已经成为高产能ALD制造业的新标准。拥有专利的热壁、完全独立的前驱体管路和特殊的载气设计，确保我们可以生产出具有优异的成品率、低颗粒水平和卓越的电学和光学性能的高质量ALD薄膜。高效紧凑的设计使得维护更加方便、快捷，最大限度的减少了系统的维护停工期和使用成本。拥有专利技术的Picoflow™使得在超高深宽比结构上沉积保形性薄膜更高效，并已在生产线上得到验证。
PICOSUN™ P-300BV系统代表了最尖端的工业化ALD工艺水平。这个系统是为半自动化的批量生产而设计。设备本身针对快速批量生产进行了优化，并允许通过SECS/GEM整合到自动化生产线上。拥有加热选项的真空加载系统可以对敏感的基底进行洁净加工并沉积金属氮化物薄膜。
薄膜沉积PICOSUN™ALD-P300B型 技术参数：
衬底尺寸和类型 | 200mm晶圆 25片/批次（标准间距） 150mm 晶圆 50片/批次（标准间距） 100mm 晶圆 75片/批次（标准间距） 非标准晶圆类基底（使用定制夹具） 高深宽比基底（最大深宽比1:2500） |
| 工艺温度 | 50 – 500°C |
标准工艺 | · 批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环* · Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN,TiN以及 各种金属 · 同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)** |
基片加载 | 气动升降，手动装载 线性半自动装载 |
前驱体 | 液态，固态，气态，臭氧源 源瓶余量传感器，提供清洗和装源服务 4根独立的源管线，最多加载8个前驱体源 |
| 薄膜沉积PICOSUN™ALD-P300B 应用案例 | |
| 集成电路组件 | 微机电系统 |
| 氧化物间隔层 间聚介质 高K栅介质 隧穿氧化物薄膜 氧化物阻挡层 钝化层 间隙填充层 覆盖层 铜阻挡层和种子层 粘附层 扩散阻挡层 电极 金属化 | 扩散阻挡层 耐磨涂层 电荷耗散层 导热层 导电种子层 刻蚀阻挡层 电绝缘层 防摩擦层 防粘着层 光学薄膜 生物兼容层 密封层 纳米孔封堵层 |
| 其它 | 显示 |
晶体管 电容器 存储器 读写磁头 | 钝化 透明导电薄膜 绝缘层 |
材料 2016-09-05
材料 2016-09-05
| 用户单位 | 采购时间 |
|---|---|
| 华东师范大学 | 2008-06-20 |
ESPOO, Finland, 28th May, 2014 – Picosun Oy, the leading manufacturer of high quality Atomic Layer Deposition (ALD) equipment for global industries, now offers new industrial ALD processes for copper and niobium oxide. Ultra-thin copper films with the highest level of uniformity and conformality only ALD can offer as a thin film deposition method are a crucial element in today’s and future’s microelectronics and MEMS (microelectromechanical sensors) manufacturing. Copper metallization and seed layers are needed in e.g. microprocessors and 3D-integrated microelectronic components as interconnects. Niobium oxide (Nb2O5), on the other hand, is ideal for moisture and corrosion protection due to its hardness and chemical resistance.
