院士领衔，共谋发展！2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛成功召开

仪器信息网讯 2023年8月10日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办，中国电子材料行业协会半导体材料分会、中国机床工具工业协会超硬材料分会、北京天科合达半导体股份有限公司等单位协办的2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京铁道大厦召开。

论坛现场

本次论坛以“创新驱动高质量发展”为主题，聚焦先进技术创新与产业发展应用，深度探讨当前产业存在的重大机遇与挑战，共商发展与合作，致力于构建我国宽禁带半导体以企业为主体、产学研用协同的全产业链完整生态。会议吸引了近200家企业参加，仪器信息网作为本次论坛的支持单位特对会议进行报道。

嘉宾合影

论坛由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟刘祎晨开场并对与会的重要嘉宾进行了介绍，工业和信息化部原材料工业司建材处鹿晓泉、吉林大学邹广田院士分别发表开幕致辞。

工业和信息化部原材料工业司建材处鹿晓泉 致辞

党的二十大报告中提出，建设现代化产业体系，推动制造业高端化、智能化、绿色化发展，推动战略性新兴产业集群发展，构建新材料等一批新的增长引擎。据鹿晓泉介绍，近年来，已会同有关部门按照党中央国务院的决策部署，着手推动新材料产业创新发展。通过开展标准领航计划，实施知识产权推进计划等一系列工作，夯实了产业发展基础。通过支持新材料生产应用示范平台、测试评价资源共享平台等建设，推动了一大批材料取得产业化应用突破。通过支持成立制造业创新中心，搭建产业发展服务平台等方式，持续培育有利于创新的产业发展环境。

当前国际社会高度重视宽禁带半导体，产业竞争已进入白热化阶段，总体看主要呈现出两个明显特点，一是从国际看产业驶入发展的快车道，在新能源汽车、5g通信、智能电网等多重需求牵引下，以及国际宏观形势日趋复杂多变，各大经济体加大投入，加快抢占竞争制高点，保障本地区宽近代半导体产业自主可控；二是从国内看，产业进入快速成长期，我国6英寸碳化硅衬底外延实现量产，同时产能也在不断提升。我国宽禁带半导体材料已经实现了从0~1的质变，在衬底、器件、封装等多个环节都有所突破，甚至在部分领域还处于领先地位。但我国宽禁带半导体产业距离产业链供应链安全稳定以及跨越式发展尚存在一定差距，高端领域布局不够，上下游产业链跟测试评价体系尚不健全，产业同质化现象严重等问题依然严峻。如何加快推动宽禁带半导体产业的高质量发展？鹿晓泉认为要着力抓好四方面工作，即抓创新、抓应用、抓企业和抓生态。

吉林大学邹广田院士 致辞

邹广田院士表示，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料和器件是当前国际研发热点，与此同时，以氧化镓、金刚石为代表的超宽禁带半导体也在迅速崛起，在新装备、新技术、新工艺等方面实现了快速发展。过去金刚石作为超硬材料，以工业的牙齿而著称，在我国的经济社会发展和现代国防建设中起到了非常重要的作用。长期以来，我们只对金刚石的力学性质进行了应用，而金刚石很多优异的物理性质，特别是半导体性质和高导热性质，并没有得到充分应用，原因在于过去的金刚石尺寸太小，现在大尺寸金刚石单晶和多晶的发展，为金刚石多功能综合应用开辟了崭新天地，被国外学者称为终极半导体。

对此，邹广田院士针对宽禁带半导体的发展分享了几点体会。他认为，要避免无规则的发展和大起大落局面的出现；在规划未来和融资扩产的过程中，应当将远期与近期目标结合，有计划的把基础研究和应用研究，特别是原创性研究放在首位；要严控产品质量，争创世界一流产品；宽禁带与超硬材料实现有机结合，把超硬材料用到第三代半导体的生产和加工中。

致辞结束后，论坛进入报告环节。

报告人：中国科学院物理研究所研究员 陈小龙

报告题目：液相法生长3C-SiC研究进展

报告人：北京天科合达半导体股份有限公司CTO 刘春俊

报告题目：大尺寸SiC单晶衬底制备产业化

报告人：河北普兴电子科技股份有限公司总经理 薛宏伟

报告题目：碳化硅外延技术及发展趋势

报告人：SiC MOSFET的技术演进以及在新能源汽车上的应用

报告题目：上海瞻芯电子科技有限公司研发副总经理 黄海涛

报告人：株洲中车时代半导体有限公司研发中心副主任 李诚瞻

报告题目：SiC功率器件技术发展、极限与挑战

在上午的报告环节中，来自高校和科研院所的专家分享了当前碳化硅单晶、衬底、器件等方面的技术成果、产业发展、行业应用等方面的最新进展和成果。

论坛同期，众多企业也在会场外展出了企业的创新技术和重点产品，吸引了众多与会观众的参观咨询。

当天下午的报告的上半场邀请了五位产业界专家分享了当前的热点宽禁带及超宽禁带半导体材料的技术发展趋势前景和产业化进程等，涉及当前热门的氧化镓、金刚石、氮化铝等材料。下半场的报告邀请了四位产业界和高校院所的专家介绍了当前氮化镓器件的研究进展和行业发展情况。

本次会议旨在坚持“需求牵引”和“材料先行”相结合，着力打造宽禁带半导体材料、器件等上下游创新交流平台，推动宽禁带半导体产业高质量发展。