8月7日,杭州镓仁半导体有限公司(下文简称“镓仁半导体”)迎来了Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。本轮投资由九智资本领投,普华资本共同投资。公司天使轮投资机构蓝驰创投、禹泉资本、毅岭资本均出席共同见证此次融资签约仪式。
source:镓仁半导体
镓仁半导体表示,本轮融资资金的注入,不仅是对公司技术实力和市场前景的高度认可,更为公司的未来发展提供了坚实的资金保障。
同时,随着与杭州银行战略合作协议的签订,公司将进一步深化与金融机构的合作,共同探索科技与金融深度融合的新模式、新路径,为公司的持续快速发展注入新的活力。
据悉,镓仁半导体成立于2022年9月,是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术,突破了国际市场对氧化镓材料的垄断,可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。
技术进展方面,此前,镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室,采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底。
2024年4月,镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底,并实现了2英寸(010)氧化镓单晶衬底的自主量产,打破了国际垄断。
2024年7月,镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底。
[来源:半导体信息]
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