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伯东公司德国普发真空pfeiffer
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解决方案
上海伯东 Gel-Pak 产品在 VCSEL 产品上的应用
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无VESEL 的芯片主要可以应用在三大方向上的产品---高速率数据通信 VCSEL 芯片、车规级 高性能激光雷达 VCSEL 以及高性价比消费类 VCSEL 芯片，特别对于目前国际主流的 800G 光模块，采用 VCSEL 技术比较多， 800G SR8 光模块通常用于 800G 以太网、数据中心链路货 800G-800G 互连中。
VCSEL 芯片的尺寸非常小，在运输和内部流转的过程中经常会出现洒料等问题，可以选择 Gel-Pak 高 Mesh 的真空释放托盘，牢固的将芯片固定住，Gel-Pak 真空释放托盘是标准的 2 英寸 Jedec 托盘，在到底使用地后，可以方便的在全自动机台上进行操作。
共2台
上海伯东Gel-Pak DGL胶膜在真空镀膜中的应用
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无上海伯东推荐客户采用Gel-Pak的DGL胶膜，特别是PF"Free-Gel"薄膜的工艺B版本。该产品将光学透明的纯化自由凝胶层压到柔性聚乙烯背衬上，并使用易于去除的聚碳酸酯材料作为覆盖片。DGL胶膜是双面凝胶材料的首选Gel-Film产品，Free-Gel可长时间暴露在高达220℃的温度下。
共1台
上海伯东 Gel-Pak Vertec TPE弹性体用于运输 FAC 快轴准直透镜
应用领域
半导体检测样品
光电器件检测项目
无随着科技的不断发展，FAC（Fiber Array Collimator，光纤阵列准直器）透镜在光通信等领域的应用越来越广泛。在运输 FAC 透镜的过程中，需要确保透镜的质量和性能不受损。将 Vertec TPE（Thermoplastic Elastomer，热塑性弹性体）弹性体涂覆于 2 x 2 英寸的 JEDEC托盘中，可用于运输 FAC 透镜。
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制气体传感器 WO3 薄膜
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO3 薄膜, 经过对比选择, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO3 薄膜.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无西安某大学实验室在纳米纯 Ti 薄膜的研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜, 制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 MoN 薄膜
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无MoN薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料, 但对于其结构和性能的研究还较少. 因此，广州某研究机构采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 在 304 不锈钢基体表面溅射沉积 MoN薄膜, 系统研究了 MoN 薄膜在不同摩擦条件下的摩擦磨损行为.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于多靶磁控溅射镀膜机
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.
共1台
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于提升碳化硅微光学元件的品质
应用领域
半导体检测样品
光电器件检测项目
无某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.
1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.
共1台
上海伯东 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景.
河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射沉积 NSN70 隔热膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
应用领域
材料检测样品
合金检测项目
无钛金属具有许多优异的性能, 例如低密度/ 高熔点/ 耐腐蚀/ 无磁性和硅基衬底结合力好/ 具有形状记忆和吸氢特性等, 因此对于磁控溅射沉积钛薄膜的研究有很多.
上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布.
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上海伯东KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZnNi 合金薄膜
应用领域
材料检测样品
合金检测项目
无沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响.
采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 制备 IFBA 芯块 ZrB2 涂层
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 制备 NGZO 薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 制备富硅SiNx薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射多层沉积 Nb3Sn 超导薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 制备 YIG 薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无钇铁石榴石铁氧体 (YIG) 是一种在室温中广泛应用的亚铁磁性材料, 由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较高的法拉第旋光效率和较低的传播损耗, 是一种具有潜在应用价值的磁性材料, 不仅应用于现代电子工业及信息产业的微波器件中,如环形器、隔离器等,而且在非互易波导器件、集成光学器件和磁光记忆领域都拥有巨大的应用前景, 因此被广泛研究.
陕西某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法在 SrTiO3基片上制备 YIG 薄膜, 研究不同溅射参数对薄膜表面形貌、微观结构和磁性能的影响.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积铝锰合金薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无华北某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助磁控溅射沉积的方法在钕铁硼磁体表面制备了耐腐蚀性良好的铝锰合金薄膜.
在钕铁硼(NdFeB)磁体表面利用磁控溅射沉积不同锰含量的铝锰合金薄膜. 磁控溅射制备的铝锰合金薄膜表面光滑致密. 薄膜结构受到锰含量的影响, 当薄膜锰含量从6.80at%上升到25.78at%时, 薄膜结构由晶态逐渐转变为非晶态, 达到 35.67%时, 薄膜中析出金属间化合物Al8Mn5. 铝锰合金薄膜的耐腐蚀性能受薄膜成分变化的影响很大, 当薄膜中锰含量达到25.78% 时, 此时薄膜呈非晶态结构, 薄膜的自腐蚀电流密度达到 1.198×10-7A/cm2, 比钕铁硼基体降低了 2 个数量级,耐腐蚀性能最好.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射制 TiSiN-Ag 薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无为了研究 Ag 元素对 TiSiN 薄膜结构及性能的影响, 江苏某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射法制备了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 纳米压痕仪, UMT-2 摩擦磨损仪和 BRUKER 三维形貌仪对薄膜的成分/ 微结构/ 力学性能和摩擦磨损性能进行了研究
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZrAlN 薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。
北京某大学实验室在对硬韧 ZrAlN 薄膜及薄膜力学性能研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法在钛合金和单晶 Si 上沉积不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点.
采用磁控溅射沉积硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒气体及相应的尾气处理装置, 有利于降低设备成本, 且工艺参数容易控制, 因此经过伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜.
共1台
上海伯东 KRi 大面积射频离子源应用于 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性（1 σ）达到
共1台
上海伯东 美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 热蒸镀机应用
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无上海伯东某客户在热蒸发镀膜机中配置美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40, 进行镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD 工艺, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等.
共1台
上海伯东KRI离子源在半导体材料中的预清洗及刻蚀应用
应用领域
半导体检测样品
其他检测项目
无半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。
本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻蚀应用。
共1台
上海伯东 KRI 离子源在锗基红外镀膜中的应用
应用领域
半导体检测样品
光电器件检测项目
无红外光学元件材料中的锗基材料, 主要考虑8-14μm这一波段, 不镀膜情况下锗基材料的透过率只有40-50%, 而镀了增透膜之后的透过率可以大大提高, 达到90%以上, 这样可以减少锗基材料表面的反射率, 提高产品的识别灵敏度和测温距离. 而且多数客户还会要求镀DLC类金刚石碳膜, 用来加强锗材料的硬度, 起到一定的防爆效果.
经过推荐客户采用光学镀膜机加装美国原装进口KRi 霍尔离子源 eH 400, 在膜层在稳定性、附着力、致密度和牢固度等性能大幅度提高, 解决了环测膜层脱落问题, 透过率大大提高, 大幅度提高膜层质量, 完全达到客户工艺要求.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 Ir 膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无铱 (Ir) 是一种很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波长范围内, Ir 膜反射率比此波长范围内常用材料 Au、Pt 都高, 虽比 Os 膜反射率稍低, 但后者时效效应严重. 相比之下, 空气中的时效对 Ir 膜反射率几乎没有影响, 考虑综合性能, Ir 膜在真空紫外波段 50100nm 范围内最佳.
安徽某大学课题租采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 , 在石英、K9 玻璃和 Si 基片上溅射沉积不同厚度的 Ir 膜各种不同厚度的 Ir 膜, 研究基片、表面厚度、离子束能量对 Ir 膜反射率的影响.
共1台
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射沉积 MnZn 铁氧体薄膜
应用领域
材料检测样品
其它检测项目
无电子系统在快速发展, 但是磁性器件二维化而引发与三维块材迥异的特性和制备工艺与半导体技术难以兼容的问题仍未能很好的解决. 因此 MnZn铁氧体作为一种优良磁性器件用磁性材料, 对其进行薄膜化并研究其特性, 乃至最终制作成平面化、小型化的磁性器件显得尤为重要.
四川某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉积 MnZn 铁氧体薄膜, 用以研究 MnZn 铁氧体薄膜的低温晶化、取向生长等问题.
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联系方式：
公司名称： 伯东企业（上海）有限公司
公司地址： 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 联系人： 罗小姐 邮编： 200131 联系电话： 400-860-5168转0727
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