2024/10/28 14:54
阅读:1
分享:方案摘要:
产品配置单:
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源 RPICP 220
型号: RPICP 200
产地: 美国
品牌: 考夫曼
面议
参考报价
联系电话
方案详情:
云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
实验室采用 Fourier 变换红外光谱、Raman 光谱、掠入射 X 射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东
上海伯东版权所有, 翻拷必究!
下载本篇解决方案:
更多
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于提升碳化硅微光学元件的品质
某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化. 1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm. 2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.
半导体
2024/10/28
上海伯东 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀
某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.
半导体
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
钛金属具有许多优异的性能, 例如低密度/ 高熔点/ 耐腐蚀/ 无磁性和硅基衬底结合力好/ 具有形状记忆和吸氢特性等, 因此对于磁控溅射沉积钛薄膜的研究有很多. 上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率.
材料
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布.
半导体
2024/10/28