2024/10/28 13:06
阅读:6
分享:方案摘要:
产品配置单:
上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 220
型号: RFICP 220
产地: 美国
品牌: 考夫曼
面议
参考报价
联系电话
方案详情:
合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素,能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。
北京某大学实验室在对硬韧 ZrAlN 薄膜及薄膜力学性能研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法在钛合金和单晶 Si 上沉积不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 ZrAlN 薄膜, 更好的对 ZrAlN 薄膜进行研究.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东
上海伯东版权所有, 翻拷必究!
下载本篇解决方案:
更多
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于提升碳化硅微光学元件的品质
某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化. 1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm. 2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.
半导体
2024/10/28
上海伯东 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀
某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.
半导体
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景. 河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响
材料
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射沉积 NSN70 隔热膜
某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题.
材料
2024/10/28