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核心参数
产地类别： 进口
少子寿命测量范围： 20ns到几ms
电阻率测量范围： 无需时常校准的电阻率面扫描
测试材料： 硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料
400-860-5168转6273
产品性能
• 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测，
• 具有可视化测试的最高分辨率
• 测试速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
• 寿命测试范围: 20ns到几ms
• 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）
• 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品
• 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合
• 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 > 99%
• 重复性: > 99.5%
• 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描
常规寿命测试
• 无接触且非破坏的少子寿命成像测试： (μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110
• 最多可集成4个不同波长光源，具有大范围可调的光注入水平，可对单点进行少子寿命的瞬态测试，
• 可对单点进行少子寿命的瞬态测试，也可对晶圆片进行面扫
应用案例
• 铁浓度测定
• 陷阱浓度测试
• 硼氧浓度测试
• 受注入浓影响的测试
MDPStudio
用户友好的高级操作软件：
•
• 导入和导出功能
• 多级用户账户管理
• 所有已执行操作总览界面
• 样品参数输入
• 单点测试，例如受注入
影响的测试• 原始数据获取
• 面扫描选项
• 菜单选项
• 分析功能包
• 线扫描和单点瞬可视化测试
远程操控:基于IP系统，允许在任何地方进行远程操控和技术支持
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