高真空电阻热蒸发镀膜机(高真空镀膜机)采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验,可根据用户要求专门订制;可用于材料的物理和化学研究;可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
![1 (1).jpg 1 (1).jpg](https://img1.17img.cn/17img/images/202207/uepic/5f72c6ac-81a3-497d-a2c3-6196f74f519b.jpg)
设备构成
-单镀膜室
-单镀膜室+进样室
-单镀膜室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)
-单镀膜室+进样室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)
-多镀膜室+样品传递室+手套箱(组成团簇式结构,样品传递采用真空机械手)
设备组成
电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵(或冷泵)真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构,膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。
热蒸发源类型和数量,可根据用户需要进行配置。
可选件:膜厚监控仪,恒温制冷水箱。
热蒸发源种类及配置
电阻热蒸发源组件:数量:1~12套(可根据用户要求配装);
电阻热蒸发源种类:钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)、束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)。
高真空电阻热蒸发镀膜机(高真空镀膜机)
工作条件(实验室应具备的设备工作条件)
供电:4kW,三相五线制~ AC 380V
工作环境湿度:10℃~ 40℃
工作环境温度:≤50%
冷却循环水:0.2m3/h,水温18℃~ 25℃
水压:0.15MPa ~ 0.25MPa
真空性能
极限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa
设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa
操作方式
手动、半自动
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关于鹏城半导体
鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。
公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。
公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。
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公司已投放市场的部分半导体设备
|物理气相沉积(PVD)系列
磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机
|化学气相沉积(CVD)系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机
|超高真空系列
分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)
|OLED中试设备(G1、G2.5)
|其它
金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉
|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)
团簇式太阳能薄膜电池中试线
团队部分业绩分布
完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。
设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。
设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。
设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。
设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。
设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。
设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。
设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。
设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。
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团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累
2001年 与南昌大学合作
设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。
2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作
设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。
2006年 与中国科技大学合作
设计超高温CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生长。
2007年 与兰州大学物理学院合作
设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。
2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作
设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。
2017年
-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。
-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。
2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。
2021年 MBE生产型设计。
2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。
2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。