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粉丝量 0
核心参数
加热方式： 其它
应用领域： 半导体
产地类别： 国产
沉积速率： 详见产品简介
沉积薄膜种类： 详见产品简介
控制气体： 详见产品简介
背底真空： 详见产品简介
工作气压： 详见产品简介
内部尺寸： 详见产品简介
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小型管式LPCVD设备简介
LPECVD是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
设备主要技术指标
成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最*高温度 1200℃
恒温区长度 根据用户需要配置
恒温区控温精度 ≤±0.5℃
工作压强范围 13～1330Pa
膜层不均匀性 ≤±5％
基片每次装载数量 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
压力控制 闭环充气式控制
装片方式 手动进出样品
生产型LPCVD设备简介
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相关镀膜工艺。
设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最*高温度 1200℃
恒温区长度 根据用户需要配置
恒温区控温精度 ≤±0.5℃
工作压强范围 13～1330Pa
膜层不均匀性 ≤±5％
基片每次装载数量 100片
设备总功率 16kW
冷却水用量 2m3/h
压力控制 闭环充气式控制
装片方式 悬臂舟自动送样
LPCVD软件控制界面
企业名称
鹏城半导体技术(深圳)有限公司
企业信息已认证
企业类型
有限责任公司
信用代码
91440300MA5H0RXA7M
成立日期
2021-09-27
注册资本
1063.8298
经营范围
鹏城半导体技术(深圳)有限公司于2021年09月27日成立。法定代表人刘军，公司经营范围包括：一般经营项目是:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;新材料技术研发;新材料技术推广服务;真空镀膜加工;泵及真空设备制造;泵及真空设备销售;电子真空器件制造;电子真空器件销售;半导体器件专用设备制造;半导体器件专用设备销售;半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;机械设备租赁;软件开发;工业设计服务;教育咨询服务(不含涉许可审批的教育培训活动);会议及展览服务;广告设计、代理;广告制作;仪器仪表修理;化工产品销售(不含许可类化工产品);新型金属功能材料销售;仪器仪表销售;电子产品销售;通讯设备销售等。
鹏城半导体技术（深圳）有限公司
公司地址
深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼304
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