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SiC、GaN功率元件5年内成本将逐步降低
英飞凌大中华区电源与感测系统事业部协理陈志星日前表示，SiC、GaN等新材料产品，公司旗下已有CoolSiC、CoolGaN系列产品线走入量产，未来从目前主流的6英寸厂转到8英寸晶圆厂生产则是国际大厂看好的共同趋势。
据digitimes报道，陈志星指出，SiC、GaN相关宽能隙(WBG)功率元件价格已经出现很大的降幅，但成本仍是打开市场的关键，SiC/GaN两者之间价差不大，但与Si（硅）产品之间的落差确实存在，英飞凌则预期，在经济规模、产能投资、良率控制等推进下，成本可望有效下降，预期3~5年后有机会把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技术也持续推进。从英飞凌的产能规划上来看，该公司领先业界率先以12英寸晶圆厂生产硅基功率元件，SiC材料已经问世20多年，GaN则是近年来较受重视，SiC以往以2、4英寸厂生产，现今走到主流的6英寸，未来走到8英寸厂生产是相当正常的。
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