我们新的MDP方法可以研究各种半导体材料、器件和介质材料的电性能和缺陷。MDP是一种接触少、无破坏的方法, 因此不需要样品制备。唯独的例外是对于大体积样品性质的研究,这时硅样品的表面钝化是必要的。
样品的形状和尺寸没有限制,从纳米材料粉末到12英寸晶圆样品都适用。
显然,市场上所有的半导体都可以被检测。从各种电子级和多晶硅开始,由于它的高灵敏度,甚至可以表征薄外延层和变形硅的质量。对砷化镓、InP、碳化硅、氮化镓、锗等化合物半导体进行了研究。这个范围还在不断扩大。到目前为止,还没有什么局限性。
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