从初始的晶圆到最终器件，半导体的分析一直被被认为是专家的工作，很少有分析工具可以直接作为生产过程中材料质量好坏的“决策者”。Freiberg Instruments全新的SPV是一款真正的生产工具，因为它可以在不影响工作流程速度的情况下完成工作。SPV检查生产中使用的材料的关键产率参数：无论是硅，碳化硅或其他半导体或光活性材料。SPV工具测量材料在被一个或多个光源激发时的时间分辨表面光电压响应。光源根据材料的电子特性和材料中可能与产量损失相关的已知缺陷来选择。例如，在单晶硅晶圆中，可能有许多缺陷会导致器件加工过程中的产率损失。单晶硅晶圆可能含有来源于晶体生长周期或不同设备加工步骤的高浓度氮。氮原子可以在原本完美的硅晶体中形成一个取代对，导致在硅片中形成了不好的电子状态，这可以严重影响MOS栅结构的性能。SPVcheck工具不仅可以测量这种缺陷的存在，而且还可以测量它们的近似密度。通过这种方式，晶圆批次内和晶圆批次之间的变化可以通过设备/工具到主机的接口协议进行监控和报告，并用于SPC目的。SPV是一个非常通用的工具，可以通过多种方式进行配置。它几乎可以用于任何光活性材料。可测量纳秒时间分辨的表面光电压信号，具有良好的信噪比和5-6个数量级的尺度。一次测量大约需要15-30秒，包括信号分析环路。可以输出符合各种标准，以及被测材料状态的完整测量报告。符合自动化材料处理系统(AMHS)法规和SEMI标准。【相关应用】金刚石中的电子跃迁宽禁带半导体体极化现象的非接触探测氧化镓的表征光催化材料BiVO4的研究光催化材料(TiO2)的研究与监测SiC、GaN和AlGaN的非接触表征表面光电压光谱-功率半导体研究4H-SiC的缺陷表面光电压光谱-光化学/光催化水裂解研究3C-和4H-SiC的缺陷和电荷动力学【相关产品】SPVmapSPSresearch更多有关SPV产品和应用的资讯，请联系弗莱贝格仪器（上海）有限公司！

    为了更全面地服务弗莱贝格仪器释光产品的新老用户，从本月起，将由公司资深工程师为您带来专题课堂。从软件、硬件和应用，多个专题，多个角度，贴近使用者实际使用、维护需要，带来满满干货。    期待您的参与！

近日，弗莱贝格仪器与德国亥姆霍兹资源技术研究所以及弗莱贝格工业大学的联合实验室LUNA实验室正式成立！该实验室将致力于释光测年及相关领域新方向的研究，并且也将作为弗莱贝格仪器的用户培训中心，为全球用户提供服务。作为德国四大殿堂级研究机构之首的亥姆霍兹研究院以着眼应用的前瞻式基础研究著称，其资源技术研究所（HIF）的主要研究领域为能源，地球与环境。在弗莱贝格工业大学（TUBAF），光谱方法主要用于表征半导体和氧化物材料中的缺陷。目前正在进一步扩大其应用范围，例如用来确定资源和材料的特性。弗莱贝格仪器拥有多年热释光/光释光设备的研发和制造经验，其lexsyg系列设备已服务全球多个用户。此次合作，弗莱贝格仪器将和两大学府在释光领域共同开拓新的邻域，并会根据需要不断升级优化设备，以满足新应用的需要。Dr. Margret Fuchs (HIF):”在光谱学领域，我们希望研究矿物的特征发光特性，例如稀土元素等关键原材料。这将促进我们的矿物测绘发展，同时可改进数据处理程序。另外我们还将计划集成高光谱成像技术” Prof. Dr Johannes Heitmann (TUBAF)：”除了地质年代学研究外，我们对导致材料中发光现象的基本现象和性质特别感兴趣”                lexsygresearch和lexsygsmart释光仪可应用于发光年代测定、材料研究、事故剂量、辐射防护、食品辐照固体剂量测定和生物发光等领域。设备采用模块化设计，可互换的OSL激发单元，测量室和样品仓的独立运行确保了不会产生激发和辐射的串扰，并能保证24小时不间断运行。 如您有需要，我们有专业团队为您提供测样服务。请联系弗莱贝格仪器仪器！   

中国第⼗七届释光与电⼦⾃旋共振测年学术讨论会将于2021年5⽉21-23⽇，在江苏省南京市钟⼭宾馆(江苏省会议中⼼）召开。届时将邀请来⾃⾼校、研究院、博物院等释光测年领域的知名专家、学者共聚⼀堂。弗莱⻉格仪器有幸受邀共同探讨⾏业新的发展趋势，分享技术热点！ 主办单位： 中国⽂物保护技术协会⽂物分析检测技术           专业委员会           中国地理学会测年技术⼯作组承办单位： 南京⼤学协办单位：上海博物馆会议时间和地址：时间：2021年5月21-23日 地点：钟山宾馆 (江苏省会议中心）           江苏省南京市玄武区中山东路307号弗莱⻉格仪器在此诚邀新⽼⽤⼾莅临展位，与您共同探讨释光产品技术，互惠共赢！扫描⼆维码 ｜ 关注我们微信号 : FreibergInstruments⽹站 : www.freiberginstruments.com.cn

双面单晶硅电池在正反两面都可以接受光照，因此在太阳能的利用效率上较传统的单面电池具有诸多方面的优点，双面晶硅电池技术脱颖而出，占据太阳能电池的主导地位。双面 PERC 电池背面PID会导致严重的功率损失。与单面 PERC 太阳能电池相比，可以发生可逆的去极化相关电位诱导衰退（PID-p）和不可逆的腐蚀电位诱导衰退（PID-c）。研究表明，一个可靠的评估太阳能电池功率损失的方法需要一种改进的 PID 测试方法，需要在高压测试上附加光照。此外，还需要在测试方案中加入恢复步骤来将可逆 PID-p 与不可逆 PID-c 造成损伤的区分开来。退化程度和 PID-p 和 PIC-c 的贡献敏感地依赖于所研究的太阳能电池。因此，在双面 PERC 电池的 PID 测试方案中需包括 PID 高压期间的附加光照和恢复步骤。相对于每个单独模块的初始状态，背面Isc 值的变化。所有 I–V 曲线，即PID和恢复前后，在 1000wm-2 强度 （1 个 太 阳 ） 和100wm-2（0.1 个太阳）下测量。比较 1 个太阳和0.1 个太阳的 I–V 测量，可以观察到，这两种方法之间有很强的数量相关性。观察到的参数变化与用于 I–V 测量的光照强度无关。采用 0.1 太阳光源的测试装置可同样适用于 PID 阶段和表征阶段。A （优化电池）模块和 S（标准电池） 模块之间的另一个显著区别是恢复行为。对于 A 模块，Isc 值在恢复步骤中几乎完全恢复（上图右中的黑色和红色条）。这意味着，所观察到的 A 模块背面的衰退大部分是可逆的，因此与PID-p 有关。与此相反，S 模块在恢复阶段仅显示很小的 Isc 参数的变化。因此，在这种情况下，PID 几乎是完全不可逆的，与 PID-c 有关。综上所述，电位诱导衰退（PID）对双面太阳能电池的背面有很大的影响。有两种不同的PID 机制， 可逆极化相关 PID-p 和不可逆腐蚀相关 PID-c。一个PID测试与4小时总测试时间适合于评估微型模块的背面PID灵敏度以及区分可逆PID- p 和不可逆 PID-c。为此，PID 测试流程需要满足两个条件：一，测试过程同时需要实施光照，以防止 PID 结果的过高或过低估计。二，需要一个恢复步骤来区分 PID-c 和 PID-p。虽然 PID-p 敏感单元可以通过在光伏电站施加反向电压来恢复，对 PID-c 敏感的太阳能电池将遭受永远不可逆的功率损失。因此，我们需要一种能够测试双面电池PID的相应设备，结合所需的高压测试条件和原位 PID 的跟踪技术，满足以上各种实验条件的需求。弗莱贝格仪器和德国与德国Fraunhofer CSP公司合作开发了一种可作为商业应用的台式太阳能电池和微型模块的电势诱导衰退控制的测量解决方案。●  根据IEC 62804-TS标准方法●  易于使用的台式设备●  够测量c-Si太阳能电池和微型模块●  无需气候室●  不需要电池层压●  测量速度：4小时(一般)●  可测量参数：分流电阻、功率损失、电导率、泄漏电流、湿度和温度●  太阳能电池可以通过EL等进行研究●  基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持

沉积物中的矿物颗粒被掩埋之后不断接受来自周围环境的辐射，导致矿物颗粒随时间的增长不断累积辐射能。通过加热或者光束照射激发矿物颗粒使累积的辐射能以光的形式被激发出来，这就是释光信号。通过加热激发的释光信号叫热释光，通过光束激发的释光信号叫光释光。其测年物质是石英或长石，在绝大多数沉积物中含量丰富，因而被广泛应用。 石英的光释光测年●  光照减少了石英的光释光(OSL)信号，并为日晒物和沉积物的年代测定提供了依据。●  OSL年代测定年代范围●  几年(视lexsyg系统特别开发设备的信号强度和灵敏度而定)●  可达150-20万年(取决于剂量测定)沉积物种类●  沙丘或黄土等风成沉积物非常适合●  湖泊和河流沉积可以确定年代●  冰川沉积物相对困难应用于●  地貌重建●  古环境重建●  地震的历史●  河流系统重建●  年代地层学用于石英的激发波长●  蓝光●  绿光●  UV 陶瓷的类型是许多考古年代学的支柱，有时需要直接确定某些类型陶瓷的年代。光释光(OSL)和热释光(TL)可以应用于粘土制成的受热物体。●  陶瓷/陶器年代测定，以建立年代学或遗址的年代●  砖的年代测定提供建筑历史的详细信息●  陶器或其制造日期的泥芯制成的雕像●  鉴定陶瓷物品、陶器或雕像的真伪●  通过lexsyg加热板的性能提高了多重分片程序的重现性非特征型陶瓷的TL年代测定与织物/类型估计的比较参考文献：Barnett SM (2000) Luminescence dating of pottery from later prehistoric Britain. Archaeometry 42: 431-457Lamothe M (2004) Optical dating of pottery, burnt stones, and sediments from selected Quebec archaeological sites. Canadian Journal of Earth Sciences 41: 659-667 了解更详细的资料，请登陆：www.freiberginstruments.com.cn   弗莱贝格仪器（上海）有限公司

TOP 100是德国创新力中小企业100强。它已有25年的历史。它是：●  创新管理的独一竞赛●  最重要的创新中小企业奖●  由德国创新精英组成的精英俱乐部Freiberg Instruments成立15年来，一直致力于开发快速、无损的电气特性测试工具，在材料的检测设备上不断推成出新，拥有少子寿命检测，单晶定向和热释光/光释光等一系列多品种产品。Freiberg Instruments是一家发展迅速，充满活力，专业又极具创新的的分析仪器公司。2021年，Freiberg Instruments在TOP 100创新企业的测量和测试技术类别中以优异成绩获得提名，跻身100强，正是对Freiberg Instruments一直以来的创新理念的肯定，也是对我们持续创新的鼓励。链接：德国创新力企业TOP100评选机构介绍 康柏传媒（Compamedia）一直致力于评选百强企业，表彰通过创新成果证明其卓越创新水平和不凡成功的中小企业。2002年起，由来自维也纳经济与商业大学企业与创新学院的Nikolaus Franke教授担任科学先进者。创新企业TOP100顾问是科学记者和电视主持人Ranga Yogeshwar先生。其合作伙伴是弗劳恩霍夫应用研究促进协会和BVMW德国中小企业联合会。媒体方面，由Manager杂志全程跟踪创新企业的评选工作。近年来，先后有奥迪、奥曼（Aumann）、道依茨股份公司（Deutz AG）、贺利氏（Heraeus）、菲尼克斯医药公司（Phoenix Pharma）、舒勒股份公司（Schuler AG）、蒂森克虏伯（Thyssenkrupp）和联合投资（Union Investment）等获得此项殊荣。

      SEMICON China首秀，弗莱贝格初展头角！      3月17日至19日，上海的天气虽然有点阴冷，但是在新国际博览中心却是如火如荼地举办着全球规模最大、最具影响力的半导体专业展---SEMICON China 2021。这次展览覆盖了芯片设计、制造、封测、设备、材料供应商等半导体全产业链的众多企业，吸引了数以万计的专业参观者。可以说，这是一场半导体行业的盛会，也是各个企业展示自己的大舞台。       德国弗莱贝格仪器作为一家半导体材料检测设备的专业厂家，也在这一届SEMICON China进行了首秀。让我们一起回顾展会的精彩瞬间吧！大会盛况  每天入馆处都排起了长队，展馆里也是人头攒动。我们的展位              初次在SEMICON China设展，我们的设备吸引了参观者的目光，并和行业内专家共同探讨半导体材料检测行业的前景。 德国弗莱贝格仪器将在半导体材料检测领领域为中国市场提供专业、及时的服务！

几年来，微电子行业正计划将晶圆片直径从300毫米(12英寸)扩大到450毫米(18英寸)，以获得更高的成品率。现在已经有了生产这种高质量晶圆片的技术，但只有调整晶圆厂的成本问题，仍然无法转移到更大的晶圆尺寸。这些450毫米晶圆片还需要检查外部和内部杂质，因此需要高度空间分辨寿命测量。在与Fraunhofer IISB的合作中，Freiberg Instruments在EC资助的SEA4KET项目中开发了一种工具，用于450mm晶片的少数载流子寿命测量。对于450mm晶片的少数载流子寿命测量，基本上使用了与德国Freiberg MDPmap和MDPpro相同的测量头，但对较大的晶圆片尺寸的样品,扫描工具进行了一些调整。图1显示了一个450毫米晶圆片的一个测量的寿命图，它清楚地显示了一些处理痕迹和条纹。图2和图3展示了位于Fraunhofer IISB的检测结果。图1.450mm晶片的少数载流子寿命图图2.在SEA4KET项目的可行性评估活动过程中，Fraunhofer IISB现场的多功能计量模块     与实现的少数载流子寿命测量头(MDP传感器)。©Photo: Kurt Fuchs/Fraunhofer IISB图3.在SEA4KET项目的可行性评估活动中，少数载流子寿命测量头(MDP传感器)和450毫米晶片。©Photo: Kurt Fuchs/Fraunhofer IISB了解更多详情，请登陆弗莱贝格仪器（上海）有限公司中文网站：http://www.freiberginstruments.com.cn/ 

铁含量的准确测定是非常重要的，因为铁是硅中含量最丰富也是最有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，并具有非常高的分辨率，可以是在线测量。使用德国Freiberg MDPingot和MDPmap系列，可以全自动测量晶锭和晶片中的铁浓度，并具有非常高的分辨率。铁硼对解离前后的寿命测量是硅片铁含量测定中广泛应用的方法。在高掺杂浓度的硼掺杂硅中，当它用于光伏应用时，几乎百分百的电活性铁以FeB对的形式存在。在有足够能量的光的情况下，这些电子对可以在Fei和b中解离。这个过程是可逆的，一段时间后所有的FeB电子对都重新结合。FeB和Fei有不同的复合性能，因此解离对寿命有影响。在这种效果下，铁的浓度可以通过以下方法确定:铁的测定使用校准因子C，它取决于注入、掺杂浓度和陷阱浓度，特别是在多晶硅中必须考虑到这一点。MDP可以测定mc-和mono-Si的铁浓度，具有较高的分辨率，也得益于模拟方法和多年的研究，使其具有较高的精度。更多信息请参考：[1] S. Rein and S. W. Glunz, Journal of Applied Physics 98 (2005).[2] N.Schüler, T.Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, Solid State phenomena to be published了解更多详情，请登陆弗莱贝格仪器（上海）有限公司中文网站：http://www.freiberginstruments.com.cn/ 

新方法德国Freiberg MDP非常适合以下两种方法，一是通过测量取决于注入量的少数载流子寿命来进行缺陷调查，二是用于在线测量的晶圆甚至晶锭的图形化。它在灵敏度、分辨率和速度方面超过了它的竞争对手µPCD(微波检测光导衰减)和QSSPC(准稳态光导)。利用矩形激光脉冲激发前后的微波吸收，测量了与扩散长度密切相关的光电导率。图1显示了德国Freiberg MDP和MD-PICTS测量的测量原理。图1.能量测量的原理●  自由载流子的产生●  陷阱里装满了载体●  自由载流子的重组●  被捕获载流子的热再发射●  再发射载流子的时间移位重组 在一个频率稳定的微波发生器中产生约10 GHz的微波，并将其分解为参考和测量部分。有了衰减器，功率可以调整，范围通常从1到100 mW。样品刚好位于空腔的外面，是测量系统的一部分。腔壁上的特殊虹膜允许微波场穿透样品。因此，样品的复介电常数影响谐振频率和谐振腔的损耗性。用IQ检测器检测了过量载流子对微波的吸收。样本被放置在x-y表上，理论上允许每个尺寸的样本在x-y平面上移动。对于依赖于温度的MD-PICTS测量，样品必须是低温恒温器系统的一部分，因此目前样品量有限，但除此之外，它基本上是相同的测量系统。图2.典型的信号图3.MDP和MD-PICTS的设置这种技术的高灵敏度允许应用强度为µW到mW和无限脉冲持续时间的弱激光脉冲。因此，可以在非稳态或稳态状态下进行测量，并连续改变脉冲长度，从100 ns到几ms。该系统的分辨率仅受样品扩散长度的限制。除了速度和灵敏度方面的优势，德国Freiberg MDP的一个主要优势是能够同时测量光导率和少数载流子寿命。因此，可以从每次测量中获得更多的参数，如扩散长度、迁移率甚至捕获动力学。                             图4.mc-Si晶圆片的典型寿命扫描图                                              图5.典型的mc-Si晶片的光导图了解更多详情，请登陆弗莱贝格仪器（上海）有限公司中文网站：http://www.freiberginstruments.com.cn/ 

电阻率是材料最重要的电参数之一。它是半导体器件(如太阳能电池)性能的关键参数，并取决于材料的掺杂密度。因此，为了检测掺杂密度的不均匀性，需要对电阻率进行高精度、高分辨率的测量。使用德国freiberg MDPmap和MDPingot，可以通过涡流测量高精度和分辨率为1毫米的方式来测量晶圆片或晶块的电阻率。由于距离相关的内部校准矩阵，涡流传感器有一个非常好的长期稳定性。因此，每一个电阻率图都是测量表面平坦度的几何图。电阻率可与少数载流子寿命和光电导率图同时测量。在进行晶圆测量时，需要用户提供样品的厚度。●  步径≥1mm●  边缘：12mm●  电阻率片厚度：150-250µm●  可指定电阻率范围●  默认设置：0.5-5 Ohm cm●  准确度：●  重复性：为了研究发射极扩散的均匀性，有可能绘制出发射极的方阻。基础的电阻率由用户给出。●  方阻测量范围是0.1-200 Ohm/sq。●  在标准样本量下的准确度，●  0.1-10 Ohm/sq: ●  10-100 Ohm/sq: ●  100-200 Ohm/sq: 图1 - 3显示了在mc-Si晶圆片和硅块上测量的电阻率图。图1.典型mc-Si晶片的发射极方阻图，平均方阻值为85.1 Ohm/sq图2.用于光伏应用的典型mc-Si晶片的电阻率图，平均电阻率为1.0 Ohm cm图3.用于PV应用的典型mc-Si砖的电阻率图，平均电阻率为1.4 Ohm cm

我们新的MDP方法可以研究各种半导体材料、器件和介质材料的电性能和缺陷。MDP是一种接触少、无破坏的方法， 因此不需要样品制备。唯独的例外是对于大体积样品性质的研究，这时硅样品的表面钝化是必要的。样品的形状和尺寸没有限制，从纳米材料粉末到12英寸晶圆样品都适用。显然，市场上所有的半导体都可以被检测。从各种电子级和多晶硅开始，由于它的高灵敏度，甚至可以表征薄外延层和变形硅的质量。对砷化镓、InP、碳化硅、氮化镓、锗等化合物半导体进行了研究。这个范围还在不断扩大。到目前为止，还没有什么局限性。了解更多详情，请登陆弗莱贝格仪器（上海）有限公司中文网站：http://www.freiberginstruments.com.cn/ 

近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某一器件的很好性能。为了制造出高成品率的SiC器件，需要一种具有高分辨率的材料表征方法，以及一种研究SiC缺陷来源的方法，以进一步提高SiC器件的质量。SiC晶体碳化硅晶体微波检测光电导率(MDP)和光诱导电流瞬态光谱(MD-PICTS)两种无接触和无破坏的方法是表征材料质量和缺陷的理想方法。 德国Freiberg MDPmap结合紫外激发光(355 nm)是研究SiC少数载流子寿命空间不均匀性的理想工具，其下限为20 ns。 MD-PICTS测量使得温度依赖性的光电导率瞬态研究成为可能，从而可以确定缺陷激活能和俘获截面。使用MD-PICTS系统，可以用液氮浴低温恒温器测量到85 K，甚至可以用氦冷却系统测量到4 K。温度上限为800k，因此也可以研究深阱水平。有了额外的扫描选项，小样品(2 × 2厘米)可以在不同的温度进行扫描。结果图1和图2显示了4H-SiC样品的少数载流子寿命图和光电导瞬态。两者都是用分辨率为100µm和355 nm激发光的德国Freiberg MDPmap测量的。图3展示了一个MD-PICTS光谱，它具有两个检测到的缺陷能级，活化能分别为0.12 eV和0.22 eV。测量用MDpicts和液氮浴进行。图1.4寸SiC晶圆片的少子寿命图图2.4H-SiC样品的典型光电导瞬态图3.具有两个陷阱水平的4H-SiC样品的MD-PICTS光谱更多信息请参考：B. Berger, N. Schüler, S. Anger, B. Gruendig-Wendrock, J. R. Niklas, K. Dornich, physica status solidi A, 1-8. Contactless electrical defectcharacterization in semiconductorsby microwave detected photo inducedcurrent transient spectroscopy (MD-PICTS) and microwave detected photoconductivity (MDP)  了解更多详情，请登陆弗莱贝格仪器（上海）有限公司中文网站：http://www.freiberginstruments.com.cn/

　　巾帼不让须眉，女性力量历来为社会所关注。在科学仪器及分析检测行业，不仅有令人敬仰的女院士、女专家，还有“硬核”女高管，资深女工程师、女销售、女市场，以及从事科学仪器及分析测试行业的广大女性从业者……越来越多的女性工作者正在通过自己的思考与行动影响着科学仪器及分析测试行业的发展。　　弗莱贝格仪器(上海)有限公司总经理 卢燕　　Instrument:请分享一下您作为仪器行业女企业家/女科学家的成功经验?　　答：自从进入科学仪器领域15年以来，接触了各行业的多种设备，也承担过相关产品不同岗位的工作，之前的基础工作其实对我后来组建队伍有很大的帮助，让我了解了作为一个仪器企业的管理人员需要掌握的基础和要点。同时，通过对仪器行业的不断了解也让帮助我更好地判断一个产品的定位和发展。　　Instrument：2021年“三八妇女节”来临之际，您想给女性后浪提什么建议?　　答：在自己的岗位上做细做精，发挥女性细致敏感的特性，抓住机会吸收不同领域的相关资讯，找到合适自己的定位。　　其实我的专业是生物化学，不是专门学习分析仪器这一块的，但是由于当时在研究生阶段的课题接触到不少仪器设备，所以在择业的时候就选择了液相色谱产品，进入了仪器行业。一开始是从一名基础的应用工程师开始的。因为当时这条产品线刚刚进入中国，所以涉及到了很多产品的其它事务，这对刚出大学的一名职场新人来说也是很大的挑战。不仅要在技术上掌握产品，还要熟悉售前售后流程，同时还要和国外工厂进行沟通。这个过程是对自己是有压力的，同时也快速培养起一名仪器人所需要的各种素质。这对我后面的发展是具有非常重要意义的一段过程。　　作为一名女性，面对工作的压力，我觉得最大的挑战还是生为人母后无法像以前拎起包就走，对家庭和孩子的牵挂会更多。所幸的事，年轻的时候积累的经验让我能逐渐转变工作重点和方向。我从一个跑在一线的人员，逐渐往管理方向转型。当然，这个转型也不是顺其自然。在外企工作多年后，我希望凭借自己的经验能创出另一片天地。于是，我来到一家业界有名的私营企业，担任仪器部的经理及其分公司的经理，分管仪器项目。后来，又自己创业。这一路的经历都很宝贵。　　对于事业和家庭，因为我先生也是同行业人，所以互相非常理解和支持。大家尽可能平衡好，让这个忙碌的家也充满爱和包容。还有一点建议，就是再忙的工作也要给孩子留出完全属于他的时间，只有这样，才是真正的平衡。好好工作，好好生活。缺一不可!　　2021年国际妇女节来临之际，仪器信息网特别策划科学仪器与分析测试界的“她”力量活动，向业界广大女性工作者征集素材。详情戳：https://www.instrument.com.cn/news/20210304/574066.shtml

自1988年首次在上海举办以来，SEMICON CHINA 已成为中国首要的半导体行业盛事之一，它囊括当今世界上半导体制造邻域主要的设备和材料厂商。SEMICON CHINA见证了中国半导体制造业茁壮成长，加速发展的历史，也必将为中国半导体制造业未来的强盛壮大做出贡献。2021 SEMICON CHINA将于3月17日-3月19日在上海新国际博览中心举行。德国弗莱贝格仪器在此诚邀您莅临展位，与您共同探讨半导体材料检测新技术！Freiberg Instruments展位信息展馆：E7展位：E7756部分展出产品    MDPmap 少子寿命检测仪 PID                                                                            Bifacial双面电池潜在诱导退化检测仪MDPlinescan少子寿命在线检测仪德国弗莱贝格仪器期待您的光临！

 背景介绍       半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量，还可以评价器件制造过程中的质量控制，如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度，并研究造成器件性能下降原因。因此，随着半导体器件工艺发展，半导体材料少数载流子寿命的测试设备要求越来越高，从早期对块状体材料的接触式测量，逐渐发展到对片状材料的无破坏、无接触和无污染的在线检测。       由于不同测试技术在光电注入量、测试频率、温度等参数上存在差别，同一半导体材料在不同测试设备上测试值往往相差很大，误差范围甚至达到百分百以上，因此，准确测量半导体材料少子寿命成为人们关注重点。解决方案       Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术，提供不同需求的少子寿命检测设备，现有MDP系列少子寿命检测设备：单点少子寿命检测MDPspot，桌面型扫描设备MDPmap，在线检测少子寿命设备MDPlinescan，变温少子寿命设备MDPpro以及大通量硅錠检测MDPinline Ingot等，这些设备不仅可以准确测试少子寿命参数，还可检测缺陷的俘获截面，激活能等参数，对半导体和光伏材料和工艺控制给出全面评估。技术特点       Freiberg Instruments公司的采用微波光电导衰减技术，由于操作简单，对样品进行无接触、无破坏和无污染测试，测试重复性高，稳定性好，已成为光伏和半导体材料少子寿命的标准检测手段，极大促进了半导体和光伏材料工艺发展。微波光电导衰减技术主要包括激光注入半导体材料产生非平衡载流子，电子-空穴对的增加，导致样品电导率增加，当测去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势反应了少数载流子的衰减趋势，通过微波探测器测出半导体材料的电导率随时间变化趋势，从而得到少数载流子的寿命参数。应用方案 Freiberg Instruments公司MDP系列少子寿命检测设备，针对不同材料和测试要求，提供个性化定制测试方案。对少子寿命参数测试提供MDP准稳态和μ-PCD瞬态不同微波光电导检测技术，同时还有很多其他不同功能，包括电阻率/方块电阻的非接触面扫描测试，通过LBIC测试计算内外量子效率，偏置光设置，P/N型，BiasMDP，硅材料中的Fe杂质面分布扫描，硼氧含量测试，自动确定硅锭切割标准等功能。

传承60年德国工匠精神！弗莱贝格XRD技术历久弥新    自1895年，德国物理学家伦琴发现X射线；1912年，同是德国的物理学家劳埃发展了X射线的衍射理论，X射线衍射逐步成为研究晶体物质和某些非晶态物质微观结构的有效方法。它是20世纪科学发展中最伟大的成就之一。    Freiberg Instruments的单晶XRD定向仪就诞生在X射线被发现和发展的德国，在经历60载的传承后，正以其专业、专注和不断创新的理念，服务于全球各半导体单晶材料的定向检测领域！      通过对传统技术的传承和多年的持续发展，目前Freiberg Instruments已经开发出一系列用于各种形态单晶体定向的手动、半自动、全自动及定制化XRD产品。同时，Omega-scan又是一种快速、简单、可靠的测定单晶取向的方法。Freiberg Instruments是唯一提供这种高端技术的公司。    以下为XRD部分型号产品：Omega/Theta(XRD)用于晶圆生产厂的独立XRD 转移技术：可对多个晶锭进行定向，便于下一步线切同时测定所有的横向方向各种样品夹持器和传送夹具，用于线切、打磨等晶圆自动分拣和处理摇摆曲线测量最高精度∶0.003°DDCOM(XRD)用于生产晶圆厂和研究机构的桌面型XRD设计测量从8到225毫米直径的晶圆和晶锭参考平面与测量平面相同对横向晶体方向的标记选项 无需水冷最高精度∶0.01°SDCOM(XRD)用于生产和研究机构的桌面型XRD 能够测量非常小的晶体，最小到1 毫米，以及大晶锭各种样品夹持器和传送夹具，用于线切、打磨等对横向晶体方向的标记选项无需水冷最高精度∶0.01°

        半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量，还可以评价器件制造过程中的质量控制，如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度，并研究造成器件性能下降原因。因此，随着半导体器件工艺发展，半导体材料少数载流子寿命的测试设备要求越来越高，从早期对块状体材料的接触式测量，逐渐发展到对片状材料的无破坏、无接触和无污染的在线检测。由于不同测试技术在光电注入量、测试频率、温度等参数上存在差别，同一半导体材料在不同测试设备上测试值往往相差很大，误差范围甚至达到100%以上，因此，准确测量半导体材料少子寿命成为人们关注重点。      Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术，提供不同需求的少子寿命检测设备，现有MDP系列少子寿命检测设备：单点少子寿命检测MDPspot，桌面型扫描设备MDPmap，在线检测少子寿命设备MDPlinescan，变温少子寿命设备MDPpro以及大通量硅錠检测MDPinline Ingot等，这些设备不仅可以准确测试少子寿命参数，还可检测缺陷的俘获截面，激活能等参数，对半导体和光伏材料和工艺控制给出全面评估。        Freiberg Instruments公司的采用微波光电导衰减技术，由于操作简单，对样品进行无接触、无破坏和无污染测试，测试重复性高，稳定性好，已成为光伏和半导体材料少子寿命的标准检测手段，极大促进了半导体和光伏材料工艺发展。微波光电导衰减技术主要包括激光注入半导体材料产生非平衡载流子，电子-空穴对的增加，导致样品电导率增加，当测去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势反应了少数载流子的衰减趋势，通过微波探测器测出半导体材料的电导率随时间变化趋势，从而得到少数载流子的寿命参数。    Freiberg Instruments公司MDP系列少子寿命检测设备，针对不同材料和测试要求，提供个性化定制测试方案。对少子寿命参数测试提供MDP准稳态和μ-PCD瞬态不同微波光电导检测技术，同时还有很多其他不同功能，包括电阻率/方块电阻的非接触面扫描测试，通过LBIC测试计算内外量子效率，偏置光设置，P/N型，BiasMDP，硅材料中的Fe杂质面分布扫描，硼氧含量测试，自动确定硅錠切割标准等功能。                                    欢迎访问：https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104682/   联系我们：400-860-5168转4682       

About Freiberg Instruments  Freiberg Instruments成立于2005年，源自德国弗莱贝格工业大学。最初致力于开发一系列快速、无损的电气特性测试工具，用于测量少数载流子寿命、光电导率和电阻率等参数。2012年整合了Magnettech公司，该公司拥有25年ESR顺磁产品经验；2015年又整合了EFG的X射线衍射产品。随着全球市场的发展，Freiberg Instruments 2018年11月16日宣布，位于总部德国弗莱贝格新增的大楼竣工，新增大楼将使它的产量增加一倍。不仅为生产装配和测试区新增了现代化区域，而且还提供了全自动数控机床设备。我们将持续为全球用户提供更加优质的服务。  自2005年成立以来，公司发展迅速，充满活力，汇聚了一批专业又极具创新的分析人才，产品广泛应用于剂量学、医学研究、材料研究、电子自旋共振、微电子学、光伏、发光年代测定和x射线衍射等诸多领域。是X射线衍射设备(XRD)、载体寿命表征系统(MDP)、电子顺磁共振波谱仪(ESR/EPR)、热释光/光释光阅读器(TL/OSL)和PID测试设备的创新型优质供应商。目前在全球23个国家安装了10000套以上的系统，全球拥有1000多个系统的设备安装基地。充分保障全球Freiberg用户服务。关于弗莱贝格仪器（上海）有限公司  Freiberg Instruments产品已在国内销售多年，在半导体等行业已积累一定的用户群。为了给国内的用户提供更好的全方位服务，日前，弗莱贝格仪器（上海）有限公司已正式成立。我们将为中国的市场和用户提供专业的、及时的服务。让Freiberg Instruments的更多产品应用到相关行业的各领域。同时，我们也欢迎各位新老用户能和我们联系，我们一定会及时提供各项产品的相关服务，您的需求就是我们努力的方向！Freiberg Instruments CEO致辞 Freiberg Instruments' CEO & Founder, Dr. Kay Dornich speaks of his enthusiasm, “Freiberg Instruments can see the exponential and enormous opportunities in China and South East Asia. I am thrilled to have an office opening that will surely offer more depth to our capabilities as we support growing Single Crystal Growth and Processing industries in the region.”“Freiberg Instruments在中国和东南亚看到了巨大的发展机遇。我很高兴，分公司的设立对我们支持该地区不断增长的单晶生长和加工行业具有深远的意义！”----弗莱贝格仪器公司的首席执行官兼创始人Kay Dornich博士我们的产品________________________________________________MDPmap晶圆片寿命检测仪用于研发或生产监控的灵活检测工具MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，对生产控制或研发进行无接触电学参数特性检测。可测量参数如载流子寿命、光电导性、电阻率、缺陷信息在稳态或注入范围宽短脉冲励磁(μ-PCD)。自动化的样品识别和参数设置可以方便地适应各种不同的样品，包括在不同的制备阶段，从生长的晶圆片到高达95%的金属化晶圆片的外延片和晶圆片。MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集成最多4个激光器，用于从超低注入到高注入，对依赖于注入水平的少子寿命参数测量，或者使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设置以及μ-PCD或稳态注入条件选项。可以使用不同的图谱进行客户定义的计算，也可以导出原始数据进一步评估。对于标准计量任务，可用一个预定义的标准，使常规测量只需按一个按钮。 ________________________________________________MDPspot单点寿命检测仪低成本的台式少子寿命测量系统，对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。没有内置自动化。可选配手动z轴，用于厚度在156毫米以下的晶锭。MDPspot可配电阻率测试选项。仅适用于硅，用于晶圆片，也可用于晶锭。 结果可视化的标准软件。______________________________________________MDPinline晶圆片在线面扫检测仪MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径，而这些都是迄今为止无可比拟的。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评估，结果可以显示出晶体生长炉的性能和材料质量的各种细节。 实时的质量检测可以帮助提高和优化诸如扩散和钝化等处理步骤。在运行的生产过程中，MDPinline可以立即检测到某个处理步骤的任何故障，从而使产品达到最高的性能。________________________________________________MDPpro晶圆片/晶锭少子寿命检测仪根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验最佳产量：>240块/天或>720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅沾污检测：起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高可靠性，运行时间> 99%可重复性:> 99.5%电阻率：可做面扫描，不需经常校准               ________________________________________________DDCOM 台式晶体定向仪平面方向的标记和测量Omega扫描能够在一次测量中确定完整的晶体方位。因此，平面方向可以直接识别。这是一个有用的功能，以标记在平面方向或检查方向的单位或缺口。在晶圆片的注入和光刻过程中，平面或凹槽作为定位标记。经过加工后，晶圆片携带数百个芯片，需要通过切割将其分离。晶片必须正确地对准晶圆片上易于切割的晶格面。因此，检查平台或缺口的位置是必要的。为了确定平面或缺口的位置，必须测量平面内的部件。该仪器通过旋转转盘，可以将任何平面方向转换成用户指定的特定位置。这简化了将标记应用到特定平面方向的任务，例如必须定义平面方向时。对于高吞吐量应用程序，可提供自动测量解决方案。________________________________________________Omega/Theta X射线衍射仪Omega/Theta X射线衍射仪是一个全自动的垂直三轴衍射仪，使用Omega扫描和Theta扫描方法以及摇摆曲线测定各种晶体的方位。大而宽敞的设计可以容纳长达450毫米和30公斤的重量和样品架。所有的测量都是自动化的，可以通过用户友好的软件界面进行访问。利用Omega扫描，可以在晶体旋转(5秒)中确定完整的晶格方向。Theta扫描更加灵活，但每次扫描只产生一个方向分量。可以非常精确地确定倾斜角度，使用Theta扫描到0.001°。对于所有其他的晶体方向，精度取决于垂直于表面的角差。该系统是模块化的，并配备了许多不同的扩展用于特殊目的，如形状或平面的确定，绘图和不同的样品架。样品的倾斜度是通过光学测量来检测的，可以用来校正最终的方向。_________________________________________lexsyg research 科研型释光仪应用于发光年代测定，材料研究，真实性检测事故剂量，辐射防护，食品辐照固体剂量测定，生物发光等。模块化设计：可互换的OSL激发单元，可容纳最多4个检测单元和最多2个辐照源无干扰：测量室和样品池的独立运行确保了没有激发和辐射干扰不间断运行：当一个样品在测量室内进行分析/处理时，可加载和卸载另一个样品的能力灵活性：软件可控制在一个测量序列内的检测滤波器的切换同质性：高度均匀和稳定的光激发提供了相同的测量条件可访问性：基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持简单的升级：模块化设计允许通过轻松地添加组件来扩展设备功能欢迎访问：https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104682/ 联系我们：400-860-5168转4682