电阻率是材料最重要的电参数之一。它是半导体器件(如太阳能电池)性能的关键参数,并取决于材料的掺杂密度。因此,为了检测掺杂密度的不均匀性,需要对电阻率进行高精度、高分辨率的测量。
使用德国freiberg MDPmap和MDPingot,可以通过涡流测量高精度和分辨率为1毫米的方式来测量晶圆片或晶块的电阻率。由于距离相关的内部校准矩阵,涡流传感器有一个非常好的长期稳定性。因此,每一个电阻率图都是测量表面平坦度的几何图。电阻率可与少数载流子寿命和光电导率图同时测量。在进行晶圆测量时,需要用户提供样品的厚度。
● 步径≥1mm
● 边缘:12mm
● 电阻率片厚度:150-250µm
● 可指定电阻率范围
● 默认设置:0.5-5 Ohm cm
● 准确度:< 5%
● 重复性:< 1%(范围从0.5-3 Ohm cm)
为了研究发射极扩散的均匀性,有可能绘制出发射极的方阻。基础的电阻率由用户给出。
● 方阻测量范围是0.1-200 Ohm/sq。
● 在标准样本量下的准确度,
● 0.1-10 Ohm/sq: < 3 % accuracy
● 10-100 Ohm/sq: < 4 % accuracy
● 100-200 Ohm/sq: < 5 % accuracy
图1 - 3显示了在mc-Si晶圆片和硅块上测量的电阻率图。
图1.典型mc-Si晶片的发射极方阻图,平均方阻值为85.1 Ohm/sq
图2.用于光伏应用的典型mc-Si晶片的电阻率图,平均电阻率为1.0 Ohm cm
图3.用于PV应用的典型mc-Si砖的电阻率图,平均电阻率为1.4 Ohm cm
更多
快速精确的半导体质控和分析的新技术---SPV
新品
2023.04.18
释光空中课堂开课啦!
厂商
2022.04.27
弗莱贝格LUNA联合实验室在德国亥姆霍兹资源技术研究所成立!
厂商
2021.11.08
弗莱贝格仪器诚邀您参加中国第十七届释光与电子自旋共振测年学术讨论会
厂商
2021.05.12