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少子寿命检测在SiC领域的应用
近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某一器件的很好性能。为了制造出高成品率的SiC器件，需要一种具有高分辨率的材料表征方法，以及一种研究SiC缺陷来源的方法，以进一步提高SiC器件的质量。
SiC晶体
碳化硅晶体
微波检测光电导率(MDP)和光诱导电流瞬态光谱(MD-PICTS)两种无接触和无破坏的方法是表征材料质量和缺陷的理想方法。
德国Freiberg MDPmap结合紫外激发光(355 nm)是研究SiC少数载流子寿命空间不均匀性的理想工具，其下限为20 ns。
MD-PICTS测量使得温度依赖性的光电导率瞬态研究成为可能，从而可以确定缺陷激活能和俘获截面。使用MD-PICTS系统，可以用液氮浴低温恒温器测量到85 K，甚至可以用氦冷却系统测量到4 K。温度上限为800k，因此也可以研究深阱水平。有了额外的扫描选项，小样品(2 × 2厘米)可以在不同的温度进行扫描。
结果
图1和图2显示了4H-SiC样品的少数载流子寿命图和光电导瞬态。两者都是用分辨率为100µm和355 nm激发光的德国Freiberg MDPmap测量的。
图3展示了一个MD-PICTS光谱，它具有两个检测到的缺陷能级，活化能分别为0.12 eV和0.22 eV。测量用MDpicts和液氮浴进行。
图1.4寸SiC晶圆片的少子寿命图
图2.4H-SiC样品的典型光电导瞬态
图3.具有两个陷阱水平的4H-SiC样品的MD-PICTS光谱
更多信息请参考：
了解更多详情，请登陆弗莱贝格仪器（上海）有限公司中文网站：http://www.freiberginstruments.com.cn/
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