磁控溅射/热蒸发/电子束蒸发镀膜机

n产品简介

       HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。

 n产品特性：

- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合

- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术

- 适用于科研用户

- 可与手套箱集成

- 占地面积小

n主要指标：

- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)

- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源

- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10^-6Torr)

- 适用于6英寸及以下尺寸样品

- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等

- 可集成膜厚测量功能，

- 兼容手套箱系统

- 可配备快速进样腔（选配）

- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振

- 系统占地空间小，约1m²

n主要应用

- 化学催化

- 电极薄膜制备

- 金属半导体薄膜制备

- 磁性薄膜制备

- 微纳米器件

- 光学器件

PVD热源简介

（1）FISSION磁控溅射源

- 靶材尺寸：50mm（2”）

- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）

- 直流电源：780W（600V，1.3A）

- 射频电源：300W（13.56MHz）

- 气体补偿：通过内置气罩

- 冷却：水冷（最小0.5L/min）

（2）TAU电子束蒸发器

- 工艺腔热源数：4个

- 工艺腔单个热源最大功率：250W

- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中

- 是否支持同时蒸镀：支持

- 冷却：水冷（最小0.5L/min）

（3）ORCA有机材料沉积源

- 坩埚容积：15cc

- 温度范围：50-600℃

- 热电偶：K型

- 电源：直流

- 冷却：水冷（最小0.5L/min）

（4）TES舟型热蒸发源

- 舟型载体容积：1cc-5cc

- 温度范围：50℃-2200℃

- 电源：直流（1.2kW）