助焊剂

近日，德州仪器半导体制造（成都）有限公司凸点加工及封装测试生产扩能项目（二期）竣工验收。该二期工程建设内容包括：在集成电路制造厂（FABB）新增凸点加工产能18.7975万片/年（全为常规凸点产品），在封装测试厂（AT）新增封装测试产能 10 亿只/年（均为常规QFN产品）。二期工程建设完成后，扩能项目新增凸点加工产能33.3975万片/年（全部为常规凸点33.3975万片/年），新增封装测试产能 21.48 亿只/年（其中常规QFN 15.48 亿只/年，WCSP 6 亿只/年）。仪器信息网通过公开文件查阅到该项目的相关仪器设备配置清单和工艺流程。FABB 集成电路制造厂主要生产设备清单.封装测试厂（AT）主要生产设备清单生产工艺:1、凸点加工晶圆凸点是在封装之前完成的制造工艺，属于先进的封装技术。该工艺通过在晶圆级器件上制造凸点状或球状结合物以实现接合，从而取代传统的打线接合技术。凸点加工制程即从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统 Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积，此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。扩能项目凸点包括普通凸点和 HotRod 凸点两种，其主要区别在于凸点制作所采用的焊锡淀积技术不同，普通凸点采用植锡球工艺，工艺流程如下图所示，Hot Rod 凸点采用电镀锡银工艺，工艺流程如下图所示。扩能项目凸点包括 RDL(Redistribution Layer)、BOP-on-COA(Bump on Pad –Copper on Anything)、BOP(Bump on Pad)、BOAC (Bond Over Active Circuit)、BOAC PI (Bond Over Active Circuit with Polyimide)、Pb-free HotRod，上述各类凸点结构如下图所示，主要区别为层次结构和凸点类型不同。扩能项目各类凸点结构示意普通凸点加工主要工艺流程及产污环节注：普通凸点产品中的 BOAC 不含灰化、回流焊与助焊剂去除工艺Hot Rod 凸点加工主要工艺流程及产污环节凸点加工的主要工艺流程简述如下：（1）晶圆检测分类(wafer sorting)：对来料晶圆进行检测，主要是检测晶圆有无宏观缺陷并分类。（2）晶圆清洗(incoming clean)：由于半导体生产要求非常严格。扩能项目清洗工艺分为两种工艺，第一种仅使用高纯水，另一种使用 IPA 清洗，清洗后再用纯水进行清洗。IPA 会进入废溶剂作为危废收集，清洗废水进入中和废水系统进行处理。（3）烘干(Dehydration bake)：将清洗后的晶圆烘干。该工序产生的烘干废气通过一般废气排气系统排放。 （4）光刻（Photo）扩能项目采用光刻机来实现电镀掩膜和PI（聚酰亚胺）层制作，包括涂胶、曝光，EBR和显影。涂胶是在晶圆表面通过晶圆的高速旋转均匀涂上光刻胶（扩能项目为光阻液和聚酰亚胺（PI））的过程；曝光是使用曝光设备，并透过光掩膜版对涂胶的晶圆进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影之前，需要使用EBR对边缘光阻进行去除。显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。通过曝光显影后再进行烘干，晶圆表面可形成绝缘掩膜层。扩能项目该制程使用了各类光阻液、聚酰亚胺、EBR、显影液及纯水，完成制程的废液统一收集，作为危废外运处置。显影液中由于含有四甲基氢氧化铵，将产生少量的碱性废气，由于其浓度很低，扩能项目将其通入酸性废气处理系统进行处理；显影液及显影液清洗水排入中和废水处理系统。光刻工艺示意图（5）溅射（SPUTTER）溅射属于物理气相沉积（PVD）的一种常见方法，即金属沉积，就是在晶圆上沉积金属。UBM（凸点底层金属）是连接焊接凸点与芯片最终金属层的界面。UBM 应在芯片焊盘与焊锡之间提供一个低的连接电阻。为了形成良好的 UBM，一般采用溅射的方法按顺序淀积上需要的金属层。扩能项目采用 Ti:W 合金-Cu的顺序进行溅射。溅射示意图（6）电镀（Plate）凸点电镀根据需求，可单纯镀铜，也可镀铜、镍、钯或镀铜、锡银，镀层厚度也有差异，可为铜膜或铜柱。扩能项目普通凸点电镀工艺包括镀铜膜、镀镍和镀钯。扩能项目 HotRod 凸点电镀工艺包括电镀底层铜（plate COA，Copper on Anything）、电镀铜柱（plate Cu POST）、电镀锡银。基本的电镀槽包括阳极、阴极、电源和电镀液。晶圆作为阴极，UBM的一部分作为电镀衬底。在电镀的过程中，铜、锡银溶解在电镀液中并分离成阳离子。加上电压后，带正电的 Cu2+、Sn2+、Ag+迁移到阴极（晶圆），并在其表面发生电化学反应而淀积出来。电镀工艺原理示意图如下：电镀工艺示意图扩能项目采用的铜、镍阳极为颗粒状，会全部消耗，不产生废阳极；扩能项目使用的镀钯、锡银阳极是镀铂钛篮，呈网状支架作为电镀阳极，不消耗也不更换，镀银采用烷基磺酸盐无氰镀银工艺。阳极金属如下图所示：电镀阳极实物图b.电镀操作过程进机台→将每片晶圆上到杯状夹具上→用超纯水预湿→镀铜→清洗→镀锡银（或镀镍→清洗→镀钯）→清洗→甩干→出机台。c.电镀清洗扩能项目电镀清洗采用单槽快速喷洗，清洗水直接排入废水处理系统，不重复利用，清洗废水排入 FABB 一楼电镀废水处理系统进行处理，保证处理设施出口一类重金属排放达标。清洗过程中产生有机废气排入有机废气处理系统统一处理。d.电镀槽液更换项目对电镀槽中电镀液离子浓度定期检测，适时添加化学药剂，保证电镀液可用。使用一段时间后，因电镀液中悬浮物浓度升高，需对电镀液进行更换。扩能项目依托 FABB 一层现有的2个2m³的电镀废液收集槽将电镀废液全部收集暂存，委托有资质的危废处理公司外运处置。电镀废液约半年排放一次，年排放量约为 3.5m³，因此收集槽的容积可满足废液收集需求。（7）去光阻（Resist stripping）电镀完成后，利用光阻去除剂去除电镀掩膜光阻，依次使用 NMP 与 IPA 进行湿式清洗，最后用纯水进行清洗，清洗后进行干燥。干燥通过自燃烘干或者 IPA吹干。（8）蚀刻(ETCH)将凸点间的 UBM 刻蚀掉。扩能项目采用湿法腐蚀。湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，对不同的去除物质使用不同的材料。扩能项目采用过氧化氢作为 Ti-W 合金的腐蚀材料，普通凸点采用硫酸腐蚀铜，含锡银凸点采用磷酸腐蚀铜，产生的含磷的酸性废水排入 CUB5c 氢氟废水处理系统进行处理，不含磷的酸性废水排入中和系统进行处理。蚀刻完成后，使用气体吹扫晶圆表面进行去杂质。（9）灰化(Ash)剥离光掩膜的过程可以使用干燥的、环保的等离子工艺（‘灰化’），即用氧等离子体轰击光掩膜并与之反应生产二氧化碳、水等物质使其得以剥离。该过程产生一般热排气，排入一般排气。（10）凸点制作晶圆凸点工艺最主要的 3 种焊锡淀积技术是电镀、焊锡膏印刷以及采用预成型的焊锡球进行粘球。RDL、BOP、BOAC 等凸点采用粘球工艺(Ball place)，粘球的一般操作过程为，首先在晶圆表面涂抹一层助焊剂，然后将预先成型的焊锡球沾在助焊剂上，接着进行检查，确保每个晶粒都沾有焊锡球。Hot Rod 等凸点焊锡淀积技术采用电镀锡银工艺。回流(reflow)，该过程将焊料熔化回流，使凸点符合后续封装焊接要求。最后，再使用纯水对助焊剂进行清洗去除（Flux wash）。助焊剂清洗废水排入中和废水系统进行处理。（11）自动检测(AVI) 对凸点加工完的晶圆进行自动检测，确认是否有缺陷。至此，晶圆上的凸点制作完成。 （12）晶圆针测(Probe)在凸点完成后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。针测（Probe）是对每个晶粒检测其导电性，只进行通电检测操作，没有任何化学过程。不合格晶粒信息将被电子系统记录，在接下来的封装和测试流程中将不被封装。扩能项目晶圆针测工序全部在 OS5 进行。（13）包装(Packing)：利用塑料盒、塑料袋等对完成凸点的晶圆进行简单包装，然后进入AT厂房进行封装（后工序）。2、封装测试QFN 封装测试QFN 封装即倒装式四周扁平无引脚封装(QFN，Quad Flat No lead Package)，扩能项目 QFN 封装包括传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装（Flip Chip on Lead frame QFN Package，框架上倒装芯片封装）。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装的结构如图所示。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装结构对比覆晶框架QFN在工艺流程上相较传统QFN主要区别在芯片与载板框架的连接方式，传统 QFN 通过金属导线键合，覆晶框架 QFN 通过芯片倒装凸点键合，相比传统工艺新增助焊剂丝网印刷、覆晶结合、助焊剂清洗、等离子清洗等工艺，以下对 QFN 封装的工艺及产污进行表述。贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过程中保护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（1）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（2）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。 （3）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（4）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（5）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（6）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（7）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000转每秒）或激光将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒（die）。刀片的金刚石颗粒大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。激光划片属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性参数优于机械切割方式，用超纯水进行硅屑冲洗。（8）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射使粘结剂失去黏性达到去膜的目的。（9）点银浆：将银浆点到框架上以备粘合用；（10）粘片：将芯片置入框架点银浆处；（11）银浆固化：在氮气保护环境下烘干固化，将芯片牢固的粘结在框架上；（12）引线键合：使用金线或铜线将芯片电路 Pad 与框架引脚 Lead 通过焊接的方法连接起来，实现电路导通，焊接采用超声波焊接，无焊接烟尘产生，主要产污为废引线。（13）助焊剂丝网印刷：在密闭机台内用丝网将助焊剂印刷到引线金属框架上，无排气。丝网采用 IPA 清洗，清洗有有两种情况，一种是用设备自动清洗，IPA 会喷到丝网上，然后用棉布擦拭，擦拭布吸收 IPA 及丝网上的脏物后就当作危废处理，没有废液，设备是密闭的，不连接排气；另外一种是人工擦拭，会在化学品通风橱内操作，也是用棉布擦拭，没有废液产生，通风橱连的一般排气。（14）覆晶结合：将晶圆 IC 反扣在引线金属框架上，让锡银铜柱对准丝网印刷的助焊剂。（15）回流焊：将覆晶结合后的芯片放在氮气保护的回焊炉内按一定的温度曲线通过该炉，使用回流焊的方式实现晶圆 IC 与引线金属框架的焊接，该过程使用的助焊剂无挥发性物质，后续使用专用清洗剂进行清洗。（16）助焊剂清洗：使用助焊剂清洗剂洗掉回流焊残留的助焊剂并用水冲洗干净。设备自带清洗废气冷凝装置，冷凝液进入废水处理系统，不凝气接入现有一般排气系统。（17）等离子清洗：使用等离子清洗剂激发氧氩等离子体实现更高级别的彻底清洗，将残留的微量氧化层清洗干净，清洗废气接入现有一般排气。 （18）塑封固化：使用环氧树脂对 IC 进行外壳封装。（19）去毛刺：去除塑封外壳毛刺并进一步烘烤固化成型将塑封固化好的芯片置入有机盐溶液中去除塑封外壳毛刺及溢出料，产生去毛刺废水。（20）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将产生打印粉尘和硅粉。（21）切带：切开胶带使单个晶粒分离。（22）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（23）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（24）终检：使用最终检测设备进行终检。（25）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。传统 QFN 工艺流程及产污环节FCOL QFN 工艺流程及产污环节2、WCSP 封装WCSP 封装（Wafer Chip Scale Packaging，晶圆级封装），即在晶圆片未进行切割划片前对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸相同。此外，WCSP 封装无需载板框架，可直接焊接在 PCB 印制线路板上使用。凸点和针测完成后，晶圆即进入封装测试厂 AT 厂房进行 WCSP 封装及测试，主要工艺流程如下：（1）贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过程中保护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（2）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（3）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。（4）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（5）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（6）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（7）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（8）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将产生打印粉尘和硅粉。（9）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000转每秒）将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒。刀片的金刚石颗粒大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。（10）激光切片：首先进行晶圆黏片，即在晶圆背面贴上水溶性保护膜然后进行切割。激光切割属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性参数优于机械切割方式；激光可以切割任意形状，如六角形晶粒，突破了钻石刀只能以直线式加工的限制，使晶圆设计更为灵活方便。切割过程中使用超纯水进行硅屑冲洗。 （11）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射去膜。（12）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（13）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（14）终检：使用最终检测设备进行终检。（15）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。WCSP 工艺流程及产污环节

近日，苏州通富超威半导体有限公司公示了《苏州通富超威半导体有限公司高性能中央处理器等集成电路封装测试项目》。公示信息显示，苏州通富超威半导体有限公司将在江苏省苏州工业园区苏对高性能中央处理器等集成电路封装测试项目进行扩建，总投资达18.97062亿元。据了解，超威半导体技术（中国）有限公司成立于2004年3月，位于苏州工业园区苏桐路88号，是尖端的微处理器（CPU）制造企业，主要从事微处理器（CPU）、集成电路等的封装、测试，是一家有着世界顶级设备和优秀管理人员的现代化工厂。2016年05月23日，该公司名称变更为苏州通富超威半导体有限公司。苏州通富超威半导体有限公司目前主要进行CPU的生产。项目于2010计划建设13条新型可控坍塌芯片连接技术封装生产线，最终形成年产和测试13000万颗CPU的能力，但实际只建成及验收 5 条封装生产线，实际年产CPU5000万颗。由于市场需求发生变化，为抢占市场份额，企业拟购置新设备，采用倒装封装技术及先进测试技术，在新增封装线的同时对现有封装工艺五条线进行技术改造，调整现有产能，建成后预计最终年产CPU（中高端集成电路封装）1.4 亿颗。同时，本项目还将引进晶圆研磨机，用于加工半导体晶圆，使晶圆的尺寸达到公差范围内，预计年研磨片数4.0万片。同时购入圆片级测试机，新增晶圆级测试工艺，改造完成后有助于本土集成电路产业链的延伸，实现企业在晶圆制造后的全制程能力，预计可实现年产能5.0万片。根据公示信息透露出的本次扩建涉及到的设备信息，估计变化量达近千台。该项目涉及CPU封装工艺流程、产品测试工艺流程及晶片测试工艺流程等。CPU封装工艺流程晶圆检测：在高倍显微镜下对每叠芯片进行抽检，其余部分用裸眼全检，检测有没有焊球损坏或焊球变形，芯片碎裂或芯片背面损坏情况，同时在晶圆表面贴上晶圆胶带。 激光开槽：使用激光开槽机在激光切割保护液的保护下对晶圆进行开槽，随后使用纯水对晶圆进行冲洗。 机械切割：使用机械切割机对开槽后的晶圆进行进一步切割，同时使用纯水对晶圆进行冲洗、降温。UV固化：UV固化机对晶圆表面进行固化使表面膜跟晶圆更加贴合。抓取分拣：使用晶圆分拣机将晶圆按性能分拣归类。基板烘烤：使用基板烘烤机在125℃（电加热）条件下对基板烘烤约 2.5h，使其拥有更好的绝缘度。锡膏印刷：从干燥箱中取出已经烘烤结束的基板，冷却到室温，喷洒助焊剂，印刷锡膏；使用完成后的钢网需进行清洁，使用沾有异丙醇的擦拭纸进行擦拭。贴电容、贴芯片、回流焊：使用电容贴片机、晶圆贴片机分别将电容、晶圆芯片摆放在焊接位置，采用回流焊接的方式，利用热风和红外高温使焊接处的锡膏融化、回流、冷却使接点焊接牢固，焊接电容、芯片；随后进行检测，若有焊接不牢固产品，则用无尘纸沾取少量异丙醇对焊点处进行人工擦拭，然后进行返工。助焊剂清洗1：将助焊剂清洗剂与纯水按照一定比例进行配比，使用助焊剂清洗机对焊接后的半成品进行冲洗。底封胶填装：利用毛吸现象原理，使用底封胶填充机在晶元和基板间填充粘胶，来填充焊接球与基板间的缝隙，减少热应力的危害。固化：为保护电容，部分产品继续填充紫外线固化剂，后在 165℃（电加热）条件下对半成品烘烤一定时间。锡球植球、回流焊：使用锡球植球将锡球摆放在焊接位置并喷洒助焊剂，采用回流焊接的方式，利用热风和红外高温使焊接处的锡球融化、回流、冷却使接点焊接牢固。 助焊剂清洗2：焊接后送入清洗槽内浸泡 5-10min，清洗槽内为溶有清洗剂的纯水（50℃），将其表面粘附的助焊剂清洗干净。开闭路测试：通过开路和闭路测试，检测封装工艺是否完好，此过程会产生一定量的不良品，其中智能移动终端及图像处理集成电路及高性能中央处理器集成电路测试完成后合格品进行包装入库，CPU 流入下一工序。点胶、加盖子、烘干：使用点胶机在基板的四周点上粘胶，并用热传导贴胶机在芯片背面刷热传树脂，同时用贴盖机对集成电路加上散热盖，在烘干炉里加热烘干。产品测试工艺流程测试工艺流程1：封装后的集成电路经功能性测试、系统测试、激光打标、质量抽检、外观检测、Pin脚测试后包装入库，测试过程均会产生一定量的不良品，外观检测时用无尘纸沾取少量无水乙醇对进行人工擦拭（擦拭灰尘）。测试工艺流程2：对需要测试的产品进行登记记录，使用 X-ray 设备对需要进行检测的产品进行 X 光照射进行分析，使用盐酸进行破坏性测试，根据实验结果对分析的结果进行分析并出具实验报告。晶片测试工艺流程来料接收：根据物流的到料信息，进行晶圆的到料接收，物料收入后，存放于氮气柜中。 备料：根据排料计划进行提前准备。 来料检查：对来料晶圆进行抽检，对抽样品采用裸眼全检，检测晶圆在盒中是否斜插，有无破片划伤变色，再采用高倍显微镜抽检，确认晶圆焊球有无损坏变形缺失等异常。 探测：晶圆探测是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上探针，与晶粒上的接点接触，测试其电性能力和电路机能，不合格晶粒会被标记淘汰，不再进行后端的一些制程，以免增加制造成本。在探针的正常维护和修理过程中，会使用无尘布沾取少量酒精对针处进行人工擦拭。出站检查：对测试后的晶圆进行抽检，对抽样品采用裸眼全检，检测晶圆在盒中是否斜插，有无破片划伤变色，再采用高倍显微镜抽检，确认晶圆焊球有无损坏变形缺失，针痕伤害等异常。存储：将需要出货的晶圆放置在氮气柜中存储。打包：将晶圆、干燥剂、湿度指示卡放入静电袋中，贴上晶圆信息的标签。若铝箔袋破损、标签信息错误，或者湿度指示卡变色，都需要废弃。出货检查：确认打包后的晶圆实物与标签一致，且标签完整，合格品厂内自用。

虽不属于高能耗产业，但我国迅猛发展的电子信息制造业，依然在环保和节能指标上与发达国家相去甚远。怎样早日摆脱&ldquo 穹顶之下&rdquo 的能耗压力，调整产业结构，促进电子制造从材料到制作工艺全面升级，将于2015年4月21日-23日在上海世博展览馆隆重开幕的第二十五届中国国际电子生产设备暨微电子工业展(NEPCON China 2015)，首次推出全新电子新材料论坛，对我国电子材料行业现状及发展前景开始全面解读。　　高端行业峰会，专业解读电子新材料发展之道　　据了解，本次论坛是NEPCON China 2015的精选活动之一，也是关注电子材料行业发展专业人士的一次高端聚会。SMTA 、SPCA、中国电子材料行业协会电子锡焊料材料分会、ITRI-IPC中国焊料技术理事会等业界知名协会都对本次论坛举办提供了有力的专业支撑。届时，将有来自终端用户群体的研发与设计、项目主管、技术支持、采购/市场/销售等材料行业的权威专家，以及行业媒体等共约150人参加论坛，涵盖了消费电子及家电、电子制造、通信、汽车电子、控制/安全/测试服务等诸多领域。除了集中展示半导体材料、元器件材料，平面显示材料、印刷电路板材料、电池材料、电子锡焊料材料、胶黏剂等新产品和新技术外，与会人士还会就电子材料升级转型等热门话题直面交流分享经验。　　放眼当前，伴随公众审美和环保意识的不断提高，电子产品正朝着绿色无害、小型节能的方向发展，渗透在电子产品制造工艺中的电子材料，也必须顺应历史潮流，更加注重自身的高效安全、灵活、和环境友好特性，这样才能适应市场多元化需求。可以预计的是，在未来几年推崇产业升级换代的电子产业中，电子新材料必将化身高新技术产业发展的先导，成为电子制造工业领域最具活力和发展潜力的UP新势力。　　品牌引领潮流，电子新材料展品缤纷登场　　即使只是一次行业峰会，但本次电子新材料论坛在沟通了上下游产业链、助力企业多元发展上的作用不容置疑。在NEPCON China 2015展会上，以AIM、ALPHA、Henkel、ITW、Zestron、化研为代表知名公司，均与论坛同步推出多款与绿色环保主题相关的焊锡材料、清洗设备，新材料闪亮登场，说明环保节能理念已经深入人心。　　一直致力于为半导体封装、印刷电路板组装提供优质材料和高级焊接解决方案的汉高(Henkel)公司(展位号：B-1G35)，在本次展会推出了全新耐温变锡膏- LOCTITE GC 10。该锡膏适合常温下超长时间保存，且制作工艺比传统焊锡膏有了显著升级。相对于普通材料的平均1至4小时暴露时间，汉高LOCTITE GC 10无卤素、无铅、恒温型配方，最长可暴露24小时。稳定一致的印刷转移效率，宽大的回流窗口，让LOCTITE GC 10具有更高的活性，能够大大提高生产线上焊接系统的稳定性。　　知名焊材公司华加美(展位号：A-1G74)本次带来了M8完全新一代的免洗锡膏，基于无铅T4及更细锡粉开发设计，工艺更精致、使用更持久，适用工艺窗口更广泛。它可为超微粒子和umBGA装置提供稳定的印刷性，为最具挑战性的电子应用减少DPMO。更为关键的是，M8免洗锡膏制作时加入了清洁化学剂，保证残留物被轻而易举一扫而空，为产品设计打上了深深的环保印记。　　首次进入国内市场的ALPHA公司(展位号：A-1D55)，携旗下多款竞品入驻NEPCON，焊膏、焊料合金、助焊剂、卷带式低温SnBiAg预成型焊锡，各种型材应有尽有，为电子制造提供最全面的焊接工艺方案。其中ALPHA SnCX Plus&trade 07是一种无铅无银的助焊合金，专为简单至标准复杂的双面组装而设，其中包含的锡、铜以及各种独有添加品，让焊接过程更简单，效果更明显。　　专注于研发、生产和销售电子清洗剂的依工特种材料有限公司(ITW，展位号：A-1D50)，旗下包罗各种CBA工艺中清洗助焊剂，钢网板清洗剂，用于PCB保护的三防漆，各类ESD清洗或防护剂、锡编带、助焊笔、涂层笔等便利产品，一展打尽全部电子清洗材料，是工业电子、电路板组装等制造商的最佳选择。　　引领全球的ZESTRON(展位号：B-1C35)水基清洗产品凭借独创的MPC微相清洗技术开发，能够高效去除电子元器件表面的助焊剂残留，保证卓越的清洗效果并提供良好的材料兼容性。ZESTRON 水基清洗产品可过滤循环使用，因此拥有超出寻常的清洗寿命，减少成本。该产品安全环保，累计帮助全球2000多家知名客户提升了工艺表现。　　对精密电路板和半导体电子元件的清洗，一直以来是清洗剂行业的难题。化研科技株式会社(展位号：B-1J01)采用了超微净清洗系统，一键清洗所有精密电子元件。它不仅实现无污染清洗，同时推进了循环再生利用，是环保性能极高的精密清洗系统。　　通过业界人士合作交流来探讨行业话题，这在NEPCON历史上不是唯一，但本次论坛却首次把关注焦点投向了电子新材料领域。作为电子制造业的重要参与者，电子材料的环保指数和安全系数，直接决定着整个行业的走向，更为紧迫的是从生产工艺和材料应用等关键环节上采用更为先进的技术，这样才能打造中国电子产品的高品质印象。　　来源：NEPCON　　2015 NEPCON China观众预登记途径：　　· 发送短信&ldquo CNH+姓名+公司名&rdquo 至106900297333即可登记参观NEPCON China 2015并收到展会资讯　　· 参观热线：国内观众&mdash 4006505611或86-10-5763 1818 国际观众&mdash 86-21-2231-7011　　· 关注官方微博：NEPCONChina电子展 官方微信服务号：NEPCON_CHINA　　· NEPCON China 2015详情请访问：www.nepconchina.com　　· NEPCON South China 2015详情请访问：www.nepconsouthchina.com　　关于励展博览集团大中华区&mdash &mdash 中国领先的展览会主办机构　　励展博览集团大中华区是世界领先的展览及会议活动主办机构&mdash &mdash 励展博览集团的下属公司。励展博览集团在世界各地拥有3,700名员工，在43个国家举办500多个展会项目，其展览及会议组合为跨美洲、欧洲、中东、亚太和非洲地区43个行业部门提供服务。2014年，励展博览集团举办的展会吸引了来自世界各地的700余万名参与者，为客户达成了数十亿美元的业务交易。励展博览集团是励德爱思唯尔集团的成员之一，后者是全球领先的专业信息解决方案提供商，亦是一家FTSE-100上市公司。　　励展博览集团大中华区历经30多年的快速发展，如今已成为中国领先的展览会主办机构，在华拥有八家出色的成员公司：励展博览集团中国公司、国药励展展览有限责任公司、励展华博展览(深圳)有限公司、北京励展华群展览有限公司、上海励欣展览有限公司、北京励展光合展览有限公司、励展华百展览(北京)有限公司和河南励展宏达展览有限公司。　　目前，励展博览集团大中华区在中国拥有500多名员工，服务于国内11个专业领域：电子制造与装配 机床、金属加工与工业材料 包装 生命科学与医药、保健、美容与化妆品，休闲运动 礼品与家居 汽车后市场 生活方式 博彩 出版 地产与旅游 海洋、能源，石油与天然气。　　2014年，励展博览集团大中华区主办的50余场展会吸引了100万余名观众以及近4万余名参会代表出席 在我们的展会上，共有3万多家供应商参与展示，其展位面积总计超过160万平方米。