薄膜沉积系统

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  • 上海续波光电技术有限公司 铜牌1年
    400-860-5168转4180
    上海续波光电技术有限公司是一家专业从事高性能薄膜沉积及处理设备、光电材料及软件、金刚石合成及应用、激光等离子体仿真和诊断等产品及服务进口的技术贸易服务型公司。公司至今已与法国、德国、英国、瑞士、意大利、美国、加拿大、日本、俄罗斯等国家的多家企业建立了战略合作关系，并服务于国内从事微电子、半导体、光学、纳米技术等领域的研究所和大学。公司从事领域及产品主要包括：加速器质谱仪：第三代14C加速器质谱仪系统（AMS），包括全套可兼容第三代石墨化系统AGE3、气动压样装置PSP、铁制分配器FED、管密封装置TSE、气体电离探测器GID、气体接口系统GIS、碳酸盐处理系统CHS2、同位素比质谱仪IRMS。薄膜制备及处理：磁控溅射仪（magnetron sputtering system）、电子束蒸镀设备(E-beam Evaporation system)、离子束溅射沉积(IBS system)、化学束外延镀膜(CBE/GSMBE)、分子束外延设备(MBE)、离子减薄仪(Ion Milling)、超高真空多功能镀膜设备、高精密光学镀膜设备(Optical Coating system)、刻蚀机（RIE, RIEB）、超导约瑟夫森结制备(Josephson Junction, Qubits)、DLC类金刚石镀膜设备。金刚石制备及应用：纳米晶金刚石制备设备、热丝化学气相沉积（HFCVD）、CVD单晶金刚石合成设备、CVD光学级金刚石窗口合成、微波等离子化学气相沉积（MPCVD）、工具级金刚石涂层制备（tool coating）、金刚石单晶/多晶掺杂（single crystal diamond and doping）、CVD金刚石单晶及其应用、高温高压金刚石单晶（HPHT diamond）、金刚石抛光设备（diamond polishing）、激光切割设备（laser cutting）、钻石净度及切工评定仪器；高能密度物理：辐射流体力学模拟、原子光谱分析软件、多维碰撞辐射软件、三维热辐射CAD软件、状态方程和不透明度、原子物理数据库；微波干涉仪、金刚石靶丸、超高功率输出窗口；激光等离子体气体/固体靶、粒子加速器源、激光等离子体加速器及应用（无损测试）激光器与设计：固体激光器设计软件(Solid-state Laser)、光纤激光器设计软件(Fiber laser)、半导体激光器设计软件(Semiconductor laser)、激光镜面镀膜设备(Lasers coating system)、高功率激光输出窗口(High power output window)、高功率激光热沉片(Heat Sink)、高功率钻石激光器(Diamond Laser)、金刚石窗口镀增透膜(AR coating service)；磁场分布测量：微霍尔阵列磁场相机(1D/3D)、大面积磁场分布测量解决方案、永磁转子表磁测量解决方案，多功能表磁测试平台
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  • 激埃特光电有限公司
    深圳市激埃特光电有限公司，地处物流四通八达，供应资源丰富，技术及市场活跃，生产及加工高效率的深圳市龙岗区宝龙工业城深长岗科技园区内。酒店式工厂环境，激埃特是家精密光学滤光片及精密光学镜片生产厂家，拥有多台先进光学真空镀膜机，以及全套相关检测仪器和装置，采用先进电子枪蒸发离子辅助沉积多层薄膜技术（IAD），专注于光电器件及光学仪器滤光片的应用和开发。力求把最适用的方案提供给光机电厂家! 公司产品批量应用于考勤机（手纹，掌纹，静脉及人脸识别），安防监控系统，防伪识别系统，智能灯具，卫橱感应器系统，舞台灯光及激光演示系统，投影光学器件，激光器件以及生化医疗光学器件。 激埃特人性化管理，注重人才，技术创新，为全体员工提供再学习深造机会，不断提升员工福利，注重员工工作环境改进，关心员工生活。 激埃特以追求质量，客户满意为宗旨。平等对待，合作创新，互惠互利，价格适宜，交期快捷，品质稳定，服务周到竭诚为天下客户服务。
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  • 巨力科技有限公司 银牌17年
    400-860-5168转1431
    巨力科技有限公司专门经销欧美、日本等国家制造的先进科学仪器，为客户提供完备的售前咨询和售后服务、技术支持。目前产品涵盖材料科学、微纳米技术、表面测量及表征、半导体、光伏和生命科学等领域。 主要产品：d33测量仪，压电系数测试仪，精密压电测试仪； 电容充放电测量系统高压漏电流及热释电测量系统电滞回线及高压介电击穿强度测量系统低温宽频介电测量系统高场宽频谱介电测量系统kSA MOS US薄膜应力测量系统,kSA MOS Thermal Scan薄膜热应力测量系统，kSA MOS原位薄膜应力测试仪，kSA MOS薄膜残余应力测试仪； kSA 400 RHEED 分析系统； kSA BandiT 测温系统；石磨盘发射率测量系统；kSA RateRat沉积速率检测仪； ALD 原子层沉积系统 碳纳米管生长系统 纳米碳制备CVD炉 石墨烯制备系统SPD喷雾热解成膜系统太阳能电池量子效率测试系统/光谱响应测量系统/IPCE测量系统； AAA级太阳光模拟器，全光谱太阳光模拟器（A+A+A+）；高准直太阳光模拟器；稳态太阳光模拟器； 单体测试仪，太阳能电池IV测试仪，全自动太阳能电池IV测试； 大面积组件太阳能模拟器及IV测试系统； 有机太阳能电池太阳光模拟器；光催化太阳光模拟器；有机半导体载流子特性测量系统有机/钙钛矿太阳能电池载流子测量系统钙钛矿太阳能电池/LED寿命分析系统OLED光谱分析系统有机/钙钛矿太阳能电池扩散长度测量系统有机/钙钛矿太阳能电池量子效率测量系统有机/钙钛矿太阳能电池缺陷测量系统有机/钙钛矿太阳能电池制备系统实验室涂布机等等
    主营产品： 太阳光模拟器   IV测试仪   介电常数测定   原子层沉积  
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薄膜沉积系统相关的仪器

  • 高真空互联物理气相薄膜沉积系统 400-860-5168转5919
    概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动： 1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；； 9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。
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    厂商： 深圳市矢量科学仪器有限公司
    品牌： 矢量科学/Vector Scientific
    型号： SLKX-102-11
    价格： 面议
  • Trion Orion III PECVD 薄膜沉积系统 400-860-5168转3855
    Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统可以在紧凑的平台上生产高品质的薄膜。独特的反应器设计可以在在极低的功率生产具有优异台阶覆盖的低应力薄膜。该系统可以满足实验室和中试生产环境中的所有安全，设施和工艺标准要求。Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统具有许多标准的需求功能，而且是这样一个如此合理价格，这就是为什么许多世界各地的用户已经作出了Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统的选择。特征：沉积薄膜：氧化物、氮化物、氧氮化物，非晶硅。工艺气体：＜20%硅烷、氨气、正硅酸乙酯、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮应用：MEMS, 固态照明，失效分析，研发，试验线.客户留言：“相比较实验室的其他设备，我发现该设备（Orion III PECVD薄膜沉积系统和 Phantom RIE 刻蚀系统）是非常强大的。”–Lee M. Fischer，国家纳米技术研究所，艾伯塔大学“I’ve found both machines (Orion PECVD and Phantom RIE) to be quite robust, indestructible by comparison to some other lab equipment.” – Lee M. Fischer, National Institute for Nanotechnology, University of Alberta
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    厂商： 德国韦氏纳米系统有限公司
    品牌： Trion
    型号： Trion Orion III PECVD
    价格： 10万 - 30万元
  • PLD脉冲激光薄膜沉积系统 400-860-5168转2856
    PLD技术在薄膜制备方面的优势和特点:脉冲激光沉积技术是目前火热薄膜制备技术, 利用PLD技术制备薄膜具有很好的可控性和可设计性, 可通过控制材料成分、激光能量密度、气压、气体、基底材料、沉积角度等, 来实现薄膜的各种功能和结构. 另外, PLD 可以在室温下进行沉积 然而, 目前PLD还有一些技术和工程上的难题需要解决, 例如, PLD会出现相爆炸等效应, 引起大颗粒飞溅, 从而增大薄膜的表面粗糙度, 降低薄膜质量 另外, 大面积均匀沉积也是目前PLD实现大规模工业化生产的一大瓶颈 芬兰Pulsedeon的ColdAb技术基于皮秒, 飞秒短脉冲激光薄膜沉积技术, 可从源头遏制引起薄膜不均匀的微粒及飞溅效应, 且配合独特的设计和功能配置, 从而被证实在制备大面积高质量薄膜方面有优势, 且可实现全自动产业化.凭借这些技术特点, Pulsedeon受邀成为欧盟LISA锂硫电池, PulseLion全固态电池项目中PLD薄膜沉积工艺参与者.PLD制备高性能薄膜拥有很多的优势，总结如下:1）PLD制备的薄膜材料类型非常广泛。由于高能量密度的激光可以烧蚀大多数材料，包括难融材料和特殊材料，并且材料之间还可以组合成复合材料，这又提高了可制备材料体系的丰富度，因此脉冲激光制备的薄膜材料不受材料类型的限制，拥有庞大的材料体系。2）PLD制备的薄膜结构和形貌可控。PLD可以通过控制激光能量密度、背景气压、背景气体种类、基底材料种类、基底温度、沉积倾斜角度等参数实现对产物结构和形貌的控制，实现不同晶体结构、不同疏松度形貌、不同颗粒形状尺寸薄膜的制备，这使得薄膜性能具有很好的可调控性。3）利用PLD的保组分性能够很容易地实现薄膜成分控制，易获得期望化学计量比的多组分薄膜，有利于制备多元复杂化合物和合金薄膜。4）薄膜生长所需的基底温度相对较低，且与基底结合力强。由于高能量密度的脉冲激光轰击的原子(离子)具有很高的能量，不需要很高的基底温度就可以在基底表面自由迁移，因此与传统方法相比，PLD的薄膜生长温度更低，甚至可以在室温下沉积高质量的薄膜，在不耐高温的柔性基底上沉积薄膜以制备柔性器件。5）沉积效率高。文献中所报道的PLD沉积效率可达10 μm/min以上。欧盟PulseLion全固态锂电电池应用案例：PulseLion项目获得了欧盟地平线及欧盟研究与创新计划的资助, 并联合全欧固态电池行业中知名的15个研究单位及企业, 致力于解决行业技术瓶颈并将第四代全固态电池技术大规模制造产业化 该项目中PLD作为工艺关键一环, 其应用是薄锂金属阳极、高离子导电率固态电解质及隔膜层和缓冲膜等关键技术解决方案均由Pulsedeon公司供应. 除了PLD薄膜沉积工艺外, 其高品质靶材也由Pulsedeon制备供应.欧盟LISA锂硫电池应用案例：欧盟LISA新型固态锂硫电池项目, 致力于解决固态锂硫电池稳定产业化瓶颈, Pulsedeon作为薄膜沉积技术参与者, 提供了从实验级到产业级的PLD相关技术工艺和材料, 其中包括 “集流体及隔膜上多个工艺多层薄膜沉积” “金属锂阳极制备沉积” “陶瓷薄膜沉积层的制备” “固态电解质的制备及优化工艺” “用于R2R PLD中试涂层生产的SSE” “锂硫电池实验级到产业化大面积薄膜沉积制备工艺”等环节.
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    厂商： 溢鑫科创科技集团
    品牌： Pulsedeon
    型号： ColdAb Series 4，ColdAb Series 2
    价格： 面议
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  • 纳米薄膜材料制备技术新进展！——牛津大学也在用的薄膜沉积系统，有什么独特之处？
    一、纳米颗粒膜制备日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜，很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入，不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向，需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下，纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸，颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下，Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布（厂家测试数据）不同颗粒密度样品（厂家测试数据）纳米颗粒制备技术特点：▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调；▪ 多可达3重金属，可共沉积，可制备纯/合金颗粒；▪ 材料范围广泛，包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性（类似于反应溅射）▪ 的纳米颗粒层厚度控制，从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向：▪ 生命科学和纳米医学： 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向：电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究：光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化：燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器：生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而，人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物，想要消除铅对环境的影响，而迄今为止，这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的，如果将它们结合起来，就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期，牛津大学的光电与光伏器件研究组的Henry Snaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙，可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合，使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比，无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题，由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长，因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统，通过真空蒸发三种不同的前驱体，研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性，使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后，XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后，表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统，可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点：▪ 蒸发设备：热蒸发（金属）、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射：直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性：可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备：二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制：触屏编程式全自动控制
    时间： 2022-06-08
    作者： QUANTUM量子科学
  • 薄膜沉积工艺和设备简述
    薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法，因为它有如下的这些特点：1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程：i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD，LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD，)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染，耗材少。成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法：◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating
    时间： 2024-05-15
    作者： Jansky
  • 可视化技术为薄膜沉积研究降本增效
    当前，我国半导体设备依旧高度依赖于海外企业，并且在核心技术和零部件上受到一定的限制。作为半导体产业重要的一环，薄膜沉积设备可以说牵一发而动全身。而中国作为半导体设备的重要市场，随着各地半导体项目的林立，晶圆代工厂的产能扩建热潮以及自主可控进程的推进，薄膜沉积设备厂商也迎来了快速成长和突破的新黄金期。对此，仪器信息网特邀请天津中环电炉股份有限公司介绍了其薄膜沉积设备。不断加大研发投入，为用户提供试用平台据了解，薄膜沉积领域在过去一直处于国外品牌独占市场。在此背景下，天津中环集中力量，借鉴国际先进经验，结合国内特色，开发了独具特色的薄膜沉积设备。其主要薄膜沉积产品包括CVD12IIIH-3-G、双相气流二硫化钼沉积设备、等离子薄膜沉积设备PECVD12IIH-3-G、三源流化床薄膜沉积设备等，凭借优异的性能，多次帮助用户在Science等多种国际级顶级期刊发表高影响力文章及成果，更是几乎进入了目前主流实验领域全部实验和部分高难度实验。天津中环的1200℃预加热双温区PECVD集成系统目前我国总体上看在薄膜沉积设备技术还处于新兴产业，发展时间短，技术积累薄弱，专业人才稀缺。市场处于萌芽阶段，但后续市场规模和技术需要又相当高。对此，天津中环认为，必须加大投入，无论资金、技术、人力等，不加大投入一但被国外产品拉开差距，建立技术壁垒，我国该产业很难发展，以至于薄膜沉积领域科研严重受制。正是在这种不断的研发投入下，天津中环现有产品已基本达到与国际龙头企业参数一致、价格更低、操作更容易、维护更简单。国内市场已经占据较多份额，主要客户群体有中科院所、大专院校、研究所、企业研发部门和检验部门。其中73%为实验领域。目前用户主要关注产品的技术参数和实验效果，为了更好的服务用户，天津中环组织人力、物力积极筹建实验室，为客户提供设备试用平台，目前天津中环实验室已经可以完成大多数实验，并得到理想的实验结果。确保客户采购设备后能够达到使用效果。另辟蹊径，绕开壁垒，突破“卡脖子”技术在贸易战以来，全社会都关注“卡脖子”问题，而在薄膜成绩领域当然也存在一定的“卡脖子”现象。在真空领域、气体控制领域特别明显，如高真空无油泵、特种气体流量控制等方面尤为突出。据透露，天津中环在5年前就发现问题，并积极联合各相关企业进行联合开发，通过特殊的设备结构、独特的设计理念另辟蹊径的达到了与国外类似的实验结果。从根本上绕过了一定的技术壁垒。谈到未来发展趋势时，天津中环认为未来的实验室和工业领域对于薄膜沉积技术更倾向于可视化的沉积与制备，可以更加直观的发现问题和解决问题。目前沉积设备都是盲烧。无法直观的展现沉积过程与沉积状态。这大大延缓了实验进度，阻碍了科学工作者的实验思路。基于对未来发展趋势的判断，天津中环于4年前着手研发可视化烧结、沉积设备。目前已经达到8微米级别的可视化分辨率，产品在陶瓷烧结、金属冶炼熔渗、高温接触角分析等领域获得无数好评，想成了稳定销售。下一步，天津中环还将着重研发纳米级分辨精度产品，为薄膜沉积领域打开一条新路。关于天津中环天津中环电炉是一家成立于1993年的股份制企业，现有产品专利40项，于2017年成功上市，具备研发、生产、实验等能力，产品上专精于实验电炉与薄膜沉积类设备及外延产品。在近年来半导体产业热潮下，天津中环主要业绩同比上一年度提高接近30%，三年平均增长18.7%。连续8年实现销售额增长超过10%。天津中环产品主要应用于材料行业、陶瓷行业、金属冶炼、处理。生物材料以及化学化工行业。
    时间： 2022-01-11
    作者： KPC
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  • 【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    溅射制膜的过程：气体辉光放电、等离子体、靶、溅射、沉积到衬底（一）与蒸发法相比，溅射沉积的主要特点：①沉积原子能量高，因此薄膜的组织更致密，附着力也可以得到明显改善；②制备合金膜时，其成分的控制性能好；③靶材可以是极难熔的材料；④可利用反应溅射技术，从金属无素靶材制备化合物薄膜；⑤由于被沉积的原子均携带有一定的能量，因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力，降低薄膜表面的粗糙度。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151100_555534_2989334_3.jpghttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif（二）溅射沉积分类主要的溅射方式可以根据其特征分为四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151102_555536_2989334_3.jpg图1 不同溅射方法的靶电流密度和靶电压的比较http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif（1）直流溅射直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射图2直流溅射沉积装置示意图，其典型的溅射条件为：工作气压10Pa，溅射电压3000V，靶电流密度0.5mA/cm2，薄膜的沉积速率低于0.1μm/min直流溅射过程中常用Ar作为工作气体。工作气压是一个重要参数，它对溅射速率以及薄膜的质量都有很大影响直流溅射设备的优点和缺点：优点：简单缺点：使用的气体压力高，溅射速率较低，这不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151105_555538_2989334_3.jpg图2直流溅射沉积装置示意图http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif（2 ）射频溅射直流溅射要求靶材有较好的导电性，可以很大方便地沉积各类合金膜。对于导电性很差的非金属材料的溅射，我们需要一种新的溅射方法—射频溅射。射频溅射是适于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法射频场对于靶材的自偏压效应。在衬底或薄膜本身是绝缘体的情况下，采取对其施加一个射频电压的方法，也可以起到对其施加负偏压的作用。（3）磁控溅射相对于蒸发沉积来说，一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一，溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低；第二，溅射所需的工作气压较高 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。而磁控溅射技术：沉积速度较高，工作气体压力较低。工作原理：磁场对电弧运动有一定的约束作用（绕磁场螺旋前进）；（1）电子的电离效率高，有效提高了靶电流密度和溅射效率，（2）较低气压下溅射原子被气体分子散射的几率较小（三）气体放电是离子溅射过程的基础（1）首先介绍直流电场作用下的物质的溅射现象预抽真空，充入适当压力的惰性气体，如Ar气，10-1～10Pa；在正负电极间外加电压的作用下，电极间的气体原子将被大量电离；Ar—→Ar++e，Ar+被电场加速后射向靶材，撞击出靶材原子（分子），靶材原子脱离靶时仍具有一定能量，飞向衬底，电子被电场加速飞向阳极；http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151107_555542_2989334_3.jpg图3直流气体放电体系模型及伏安特性曲线http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif电压进一步增大，发生极板两端电压突然降低，电流突然增大，并同时出现带有颜色的辉光，此过程称为气体的击穿；击穿后气体的发光放电称为辉光放电；这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击，即使自然游离源不存大，放电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低，且不变，此时电流的增大显然与电压无关，而只与阴极板上产生辉光的表面积有关；正常辉光放电的电流密度与阴极材料和形状、气体种类和压强有关；由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小，所以在溅射方面均是选择在非正常辉光放电区工作。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151110_555543_2989334_3.jpg图4示意性地画出了在离子轰击条件下，固体表面可能发生的物理过程http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151111_555544_2989334_3.jpg图5所示，不同能量离子与固体表面相互作用的过程不同当离子入射到靶材上时，对于溅射过程来说，比较重要的过程有两个：其一是物质的溅射；其二是二次电子发射：二次发射电子在电场作用下获得能量，进而参与气体分子的碰撞，并维持气体的辉光放电过程。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif （四）合金的溅射和沉积用溅射法沉积合金膜，比蒸发法易于保证薄膜的化学配比；溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递。因此，溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能，其数值一般可以达到5~20eV；一方面，溅射原子具有很宽的能量分布范围，其平均能量约为10eV左右；另一方面，随着入射离子能量的增加，溅射离子的平均能量也有上升的趋势；溅射过程还会产生很少的溅射离子，它们具有比溅射出来的原子更高的能量。能量较低的溅射离子不易逃脱靶表面的鞘层电位的束缚，将被靶表面所俘获而不能脱离靶材；由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV，两者相差两个数量级；在溅射沉积中，高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力，另一方面也会引起衬底温度的升高。

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