薄膜沉积系统

概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动： 1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；； 9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统可以在紧凑的平台上生产高品质的薄膜。独特的反应器设计可以在在极低的功率生产具有优异台阶覆盖的低应力薄膜。该系统可以满足实验室和中试生产环境中的所有安全，设施和工艺标准要求。Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统具有许多标准的需求功能，而且是这样一个如此合理价格，这就是为什么许多世界各地的用户已经作出了Trion Orion III PECVD薄膜沉积系统的选择。特征：沉积薄膜：氧化物、氮化物、氧氮化物，非晶硅。工艺气体：＜20%硅烷、氨气、正硅酸乙酯、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮应用：MEMS, 固态照明，失效分析，研发，试验线.客户留言：“相比较实验室的其他设备，我发现该设备（Orion III PECVD薄膜沉积系统和 Phantom RIE 刻蚀系统）是非常强大的。”–Lee M. Fischer，国家纳米技术研究所，艾伯塔大学“I’ve found both machines (Orion PECVD and Phantom RIE) to be quite robust, indestructible by comparison to some other lab equipment.” – Lee M. Fischer, National Institute for Nanotechnology, University of Alberta

PLD技术在薄膜制备方面的优势和特点:脉冲激光沉积技术是目前火热薄膜制备技术, 利用PLD技术制备薄膜具有很好的可控性和可设计性, 可通过控制材料成分、激光能量密度、气压、气体、基底材料、沉积角度等, 来实现薄膜的各种功能和结构. 另外, PLD 可以在室温下进行沉积 然而, 目前PLD还有一些技术和工程上的难题需要解决, 例如, PLD会出现相爆炸等效应, 引起大颗粒飞溅, 从而增大薄膜的表面粗糙度, 降低薄膜质量 另外, 大面积均匀沉积也是目前PLD实现大规模工业化生产的一大瓶颈 芬兰Pulsedeon的ColdAb技术基于皮秒, 飞秒短脉冲激光薄膜沉积技术, 可从源头遏制引起薄膜不均匀的微粒及飞溅效应, 且配合独特的设计和功能配置, 从而被证实在制备大面积高质量薄膜方面有优势, 且可实现全自动产业化.凭借这些技术特点, Pulsedeon受邀成为欧盟LISA锂硫电池, PulseLion全固态电池项目中PLD薄膜沉积工艺参与者.PLD制备高性能薄膜拥有很多的优势，总结如下:1）PLD制备的薄膜材料类型非常广泛。由于高能量密度的激光可以烧蚀大多数材料，包括难融材料和特殊材料，并且材料之间还可以组合成复合材料，这又提高了可制备材料体系的丰富度，因此脉冲激光制备的薄膜材料不受材料类型的限制，拥有庞大的材料体系。2）PLD制备的薄膜结构和形貌可控。PLD可以通过控制激光能量密度、背景气压、背景气体种类、基底材料种类、基底温度、沉积倾斜角度等参数实现对产物结构和形貌的控制，实现不同晶体结构、不同疏松度形貌、不同颗粒形状尺寸薄膜的制备，这使得薄膜性能具有很好的可调控性。3）利用PLD的保组分性能够很容易地实现薄膜成分控制，易获得期望化学计量比的多组分薄膜，有利于制备多元复杂化合物和合金薄膜。4）薄膜生长所需的基底温度相对较低，且与基底结合力强。由于高能量密度的脉冲激光轰击的原子(离子)具有很高的能量，不需要很高的基底温度就可以在基底表面自由迁移，因此与传统方法相比，PLD的薄膜生长温度更低，甚至可以在室温下沉积高质量的薄膜，在不耐高温的柔性基底上沉积薄膜以制备柔性器件。5）沉积效率高。文献中所报道的PLD沉积效率可达10 μm/min以上。欧盟PulseLion全固态锂电电池应用案例：PulseLion项目获得了欧盟地平线及欧盟研究与创新计划的资助, 并联合全欧固态电池行业中知名的15个研究单位及企业, 致力于解决行业技术瓶颈并将第四代全固态电池技术大规模制造产业化 该项目中PLD作为工艺关键一环, 其应用是薄锂金属阳极、高离子导电率固态电解质及隔膜层和缓冲膜等关键技术解决方案均由Pulsedeon公司供应. 除了PLD薄膜沉积工艺外, 其高品质靶材也由Pulsedeon制备供应.欧盟LISA锂硫电池应用案例：欧盟LISA新型固态锂硫电池项目, 致力于解决固态锂硫电池稳定产业化瓶颈, Pulsedeon作为薄膜沉积技术参与者, 提供了从实验级到产业级的PLD相关技术工艺和材料, 其中包括 “集流体及隔膜上多个工艺多层薄膜沉积” “金属锂阳极制备沉积” “陶瓷薄膜沉积层的制备” “固态电解质的制备及优化工艺” “用于R2R PLD中试涂层生产的SSE” “锂硫电池实验级到产业化大面积薄膜沉积制备工艺”等环节.

热ALD设备 AL-1无针孔薄膜沉积概要AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量级。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø 4英寸的晶片。主要特点和优点成膜效率高　通过提供几十毫秒量级的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。真空清洁，温度不均匀性小　通过紧贴反应室内壁的内壁加热器，抑制反应室的温度不均匀，可获得清洁的真空。无针孔成膜　由于多种前驱体在反应室中没有混合，因此可以防止颗粒，形成无针孔的薄膜。应用用于下一代功率器件的栅极氧化膜和钝化膜。在3D结构上形成均匀的薄膜，如MEMS。激光表面的沉积碳纳米管的钝化膜

英国Vac Coat是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者, 尤其是Vac Coat可以将多种PVD工艺集成为一体进行多工艺复合镀膜, 如DST多靶磁控溅射系列, PLD脉冲激光沉积系列, DTT多源热蒸发沉积系列以及多工艺一体化系列已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

英国Korvus公司在高真空领域拥有超过30多年的经验，其HEX薄膜沉积系统(如香港大学，北京大学,中国科学技术大学，东南大学,中山大学,南方科技大学等),为了保障中国用户权益,英国Korvus公司经过认真考核后设立了中国区官方授权商：溢鑫科创,以保障旗下所有产品在中国的市场开拓和售后服务支持。

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

卷对卷柔性薄膜沉积设备Cassette houses flexible material卷筒用于装载柔性衬底材料Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler制备薄膜时，卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室Advantages 此沉积系统的优点- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时，能灵活控制各种运转沉积参数- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护，减少了停机非运转时间Reel to Reel Cassette Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统15cm and 30cm webwidth柔性衬底的宽度可从15cm至30cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积，及溅射(US patent #6,258,408B1)（本产品获美国专利#6,258,408B1）

卷对卷柔性薄膜沉积设备Cassette houses flexible material卷筒用于装载柔性衬底材料Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler制备薄膜时，卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室Advantages 此沉积系统的优点- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时，能灵活控制各种运转沉积参数- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护，减少了停机非运转时间Reel to Reel Cassette Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统15cm and 30cm webwidth柔性衬底的宽度可从15cm至30cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积，及溅射(US patent #6,258,408B1)（本产品获美国专利#6,258,408B1）

中图仪器CP系列沉积薄膜台阶高度测量仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪器，其主要用于台阶高、膜层厚度、表面粗糙度等微观形貌参数的测量。其采用LVDC电容传感器，具有的亚埃级分辨率和超微测力等特点使得其在ITO导电薄膜厚度的测量上具有很强的优势。针对测量ITO导电薄膜的应用场景，CP200沉积薄膜台阶高度测量仪提供如下便捷功能：1）结合了360°旋转台的全电动载物台，能够快速定位到测量标志位；2）对于批量样件，提供自定义多区域测量功能，实现一键多点位测量；3）提供SPC统计分析功能，直观分析测量数值变化趋势；工作过程CP系列沉积薄膜台阶高度测量仪测量时通过使用2μm半径的金刚石针尖在超精密位移台移动样品时扫描其表面，测针的垂直位移距离被转换为与特征尺寸相匹配的电信号并最终转换为数字点云信号，数据点云信号在分析软件中呈现并使用不同的分析工具来获取相应的台阶高或粗糙度等有关表面质量的数据。产品功能1.参数测量功能1）台阶高度：能够测量纳米到330μm甚至1000μm的台阶高度，可以准确测量蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料；2）粗糙度与波纹度：能够测量样品的粗糙度和波纹度，分析软件通过计算扫描出的微观轮廓曲线，可获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等20余项参数；3）翘曲与形状：能够测量样品表面的2D形状或翘曲，如在半导体晶圆制造过程中，因多层沉积层结构中层间不匹配所产生的翘曲或形状变化，或者类似透镜在内的结构高度和曲率半径。2.数采与分析系统1）自定义测量模式：支持用户以自定义输入坐标位置或相对位移量的方式来设定扫描路径的测量模式；2）导航图智能测量模式：支持用户结合导航图、标定数据、即时图像以智能化生成移动命令方式来实现扫描的测量模式。3）SPC统计分析：支持对不同种类被测件进行多种指标参数的分析，针对批量样品的测量数据提供SPC图表以统计数据的变化趋势。3.光学导航功能配备了500W像素的彩色相机，可实时将探针扫描轨迹的形貌图像传输到软件中显示，进行即时的高精度定位测量。4.样品空间姿态调节功能配备了精密XY位移台、360°电动旋转平台和电动升降Z轴，可对样品的XYZ、角度等空间姿态进行调节，提高测量精度及效率。产品应用CP系列台阶仪应用场景适应性强，其对被测样品的反射率特性、材料种类及硬度等均无特殊要求，能够广泛应用于半导体、太阳能光伏、光学加工、LED、MEMS器件、微纳材料制备等各行业领域内的工业企业与高校院所等科研单位，其对表面微观形貌参数的准确表征，对于相关材料的评定、性能的分析与加工工艺的改善具有重要意义。性能特点1.亚埃级位移传感器具有亚埃级分辨率，结合单拱龙门式设计降低环境噪声干扰，确保仪器具有良好的测量精度及重复性；2.超微力恒力传感器1-50mg可调，以适应硬质或软质样品表面，采用超低惯量设计和微小电磁力控制，实现无接触损伤的接触式测量；3.超平扫描平台系统配有超高直线度导轨，杜绝运动中的细微抖动，真实地还原扫描轨迹的轮廓起伏和样件微观形貌。部分技术参数型号CP200测量技术探针式表面轮廓测量技术探针传感器超低惯量，LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)样品R-θ载物台电动，360°连续旋转单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸150mm（6吋）,200mm（8吋）尺寸（L×W×H）mm640*626*534重量40kg仪器电源100-240 VAC，50/60 Hz，200W使用环境相对湿度：湿度 （无凝结）30-40% RH温度：16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)地面振动：6.35μm/s（1-100Hz）音频噪音：≤80dB空气层流：≤0.508 m/s（向下流动）恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

欢迎来到 HEX 系列⾼ 度模块化的 PVD 系统 独特的开放式架构，为薄膜沉积研究⼈ 员提 供⽆ 与伦⽐ 的⽤ 户控制、定制和升级能⼒ 。HEX 系列薄 膜沉 积 系统可 为 您的研究和 实施应⽤ 提供多种沉积选项。 从基本系统开始，该装置可以升级到拥有不同配置 源的仪 器。 这些升级是模块化的，安装简单，提供了⼀ 种经 济⾼ 效的解 决⽅ 案，同时减少了系统停机时间。 ⽆ 论您的研 究⽅ 向是什么， H EX 都在您身边。

产品详情DENTON 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台： DENTON 真空使创新成为可能，并已超过50年。全球成千上万的薄膜沉积工具安装,包括一个大型的、在全球范围内安装的精密光学沉积系统——工程师和研究人员依靠DENTON 的薄膜创新驱动更高的吞吐量,更好的收益和低拥有成本(首席运营官),受益于综合服务和支持,和一个专门的研发项目,提供可行的技术。探索者提供了薄膜工业中最广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。DENTON 薄膜沉积平台• R & D• 批量生产• 在线生产• 蒸发• 溅射• PE-CVD DENTON 的区别你们的过程就是我们的过程。我们与您合作设计一个系统，以解决您的确切薄膜涂装工艺的需要。当我们给你运送工具时，它已经准备好生产了。• 我们的系统规模可以满足您的生产需求• 我们永远相信客户• 全球支持网络 在DENTON，我们关心你的成功• 工厂验收测试• 个性化培训• 远程、实时支持• CE / UL / CSA兼容系统 能溅射电、磁、复合材料。柔性阴极，调整到冲击角也可用。 强大的控制系统可在半手动模式或全自动模式与一个推动自动化，以减少系统停机时间。 Processpro升级提供:1.所有登顿真空产品的一致性控制。2.标准软件使其易于支持和避免昂贵的定制费用。3.源代码为您的程序，以便您可以自定义您的程序。4.网络功能使资源管理器网络上支持实时、远程支持和升级的节点。 灵活的室大小可容纳多达10英寸的衬底。 多个泵配置多种扩散、低温和涡轮泵配置可用于满足您的预算和工艺。后方或底部安装的泵提供方便的访问服务，根据您的工作场所的需要。典型的应用PE-CVD• 材料研究• 小批处理系统• 3 d对象• 覆盖各种材料 溅射• 材料研究• 产品质量控制和质量保证• 半导体失效分析• CD掌握• 纳米技术• 化合物半导体• oled 蒸发• 材料研究• 离子辅助沉积(IAD)• 医疗设备• 电信• CD掌握• 发射• 保护涂层选项：

v 分子束外延，是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。可以精确地控制结晶生长，进行沉积系统中结晶生长过程的研究v 12个源炉：镓、铟、铝、砷、锑、磷、铋、硅、镁、掺杂等v 衬底：最大4inch v 最高温度：1000°C 温度均匀性：≤±3°C（4inch）v 超高真空下全自动样品转移v 用于过程控制和分析的所有现代现场监控功能v 一个集群上最多7个超高真空功能单元：装载、储存、翻转、处理、排气、生长，外部腔室可连接其他分析设备或其他：ALD、PLD、PVD、金属化、STM......

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

请通过我们的联系我们！分子层沉积系统MLD (Molecular Layer Deposition)是一种高级的有机聚合物薄膜与有机无机杂化膜制备技术，可以实现每个循环沉积一个分子层，精确控制厚度，在科研和工业界有非常好的发展前景。分子层沉积系统MLD相对于传统的有机聚合物薄膜沉积工艺（旋涂，热蒸发）而言，薄膜厚度精确可控（控制循环数），厚度更均匀、阶梯覆盖率和保型性更好、重复性更可靠。分子层沉积系统MLD：通过将两种反应气体（或者蒸汽）以气体脉冲形式交替地引入反应器，依靠留在基底表面的吸附分子（如羟基或氨基）进行反应而生成薄膜。由于每次参与反应的反应物局限于化学吸附于基底表面的分子，这使得 MLD 具有自限制生长特征。分子层沉积系统MLD目前可沉积的薄膜有： 有机聚合物物薄膜：Polyimide聚酰亚胺（热解可得到碳膜），Polyurea聚脲，Polyamide（聚酰胺（尼龙66），Polyimide–amide聚酰亚胺-酰胺，Polyurethane聚氨酯，Polythiurea聚硫脲，Polyester聚酯，聚乙二醇（PEG）等。 有机无机杂化薄膜：Al、Ti、Zn、Fe 的有机-无机杂化膜… 设备沉积部分薄膜均匀性数据：材料基片大小均匀性Al-EG(HQ, alucone)6”﹤1%Ti-EG(HQ, Tincone)6”﹤1%Zn-EG(HQ, zincone)6”﹤1%聚酰胺(polyamide)6”﹤3%聚酰亚胺(Polyimide)6”﹤3%聚脲(polyurea)6”﹤3%分子层沉积系统MLD应用领域：MLD沉积的有机聚合物薄膜、有机无机杂化薄膜、有机无机纳米叠层薄膜，可以用于微电子，MEMS， 薄膜封装、生物芯片，润滑，耐磨，耐腐蚀，防静电，阻燃，耐高温 防潮，防水保护层，药片薄膜衣等领域。MLD可实现单层、亚单层、埃级别的精确厚度控制，在分子水平上控制薄膜的形成和生长，并对形貌无特殊要求，能够在平面、粒子、纤维、多孔以及复杂结构上沉积薄膜。Polyimide聚亚酰胺与Ta2O5纳米叠层的介电常数与纳米力学性能：介电常数随Ta2O5含量增加而增加。薄膜的柔软度、弹性、塑性随Polyimide聚酰亚胺的增加而增加分子层沉积系统MLD沉积聚酰亚胺，热解成炭膜Al2O3/TMA+EG纳米叠层防水层：作为气体阻挡层，比单纯的氧化铝薄膜要好，WVTR值可达0.021 g/(m2day)，而氧化铝本身值为0.037 g/(m2day)，测试条件：85 °C，相对湿度85%。PEG薄膜作为防污薄膜-用于生物芯片MLD沉积PEG薄膜，可以提供厚度精确可控，高质量，防污的薄膜，使生物芯片具有高的选择性、稳定、可产业化。技术参数：反应器尺寸：4-8 英寸反应器温度：室温~400 oC前驱体源：4-6 路液/固源，2-3 路气源 MLD可与气相色谱、固定床/高压反应釜联用MLD 可与红外光谱仪联用以上类型 MLD，均可配备实验全程控制与监测系统、尾气处理等

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地：美国Angstrom；型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III； 原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号：- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点：- 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；- 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；- ALD沉积均匀性：1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；- 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；- 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；- ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；- 载气：氮气或者氩气；- 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；- 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等； ALD可沉积材料分类：- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户：中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…

芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的，与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术，因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品，于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有：标准型PICOSUN™ R-200 Standard，只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced，有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好，同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜，如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们！

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

原子层沉积技术原子层沉积系统：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用：高介电薄膜疏水涂层钝化层深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点：独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能安全互锁设计，强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项：NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项案例：6”晶圆片上的均匀性数据

等离子体强化的ALD设备 AD-230LP卓越的重复性和稳定性概要AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。主要特点和优点可以在原子层水平上实现均匀的层控制。可实现高纵横比结构的共形沉积。具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。采用独特的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积最小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。应用氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。电子设备的闸门绝缘子半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面在MEMS等3D结构上的沉积石墨烯上的沉积碳纳米管保护膜粉末涂层

该ALD拥有达到或超过市场上其他品牌的功能，同时易于使用和维护 - 成本远低于当今市场上的价格腔室温度：室温到325°C±1°C 前躯体温度从室温到 150 °C ± 2 °C（带加热夹套）市场上最小的占地面积（2.5 平方英尺），台式 安装和洁净室兼容简单的系统维护和最低的实用程序和 市场上的前体使用流线型腔室设计和小腔室体积快速循环能力（高达 1.2nm/min Al2O3）和高 曝光，提供深度渗透处理全硬件和软硬件联锁，即使操作安全 在多用户环境中AT410 ALD 系统提供用于 TEM 和 SEM 样品制备的溅射替代方案用于电子显微镜的样品通常受益于薄膜的添加。它通常是导电材料，例如Pt，Pd或Au。这些导电层有助于抑制电荷，减少局部光束加热引起的热损伤，并改善二次电子信号。传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不能通过PVD提供，因为需要涂层的特征无法进入现场生长线。研究人员将受益于ALD生长的导电薄膜，因为已经开发出针对小样品导电金属生长进行了优化的系统（与台式溅射的价格点相同） AT410 ALD 系统为保形导电薄膜提供了用于 3D 样品制备的解决方案，同时还提供目前使用溅射/蒸发生长的传统 2D 镀膜。AT 410 不仅突破了界限，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有这些都在台式配置中，价格相当。 沉积材料标配沉积材料菜单开发中设备具备沉积能力的材料氧化物 (AxOy)Al, Si, Ti, Zn, Zr, HfV, Y, Ru, In, Sn, PtLi, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd元素 (A)Ru, Pd, Pt, Ni, CoRh, Os, IrFe, Cu, Mo氮化物 (AxNy)Zr, Hf, WTi, TaCu, Ga, Nb, Mo, In硫化物 (AxSy)Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W其它化合物AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, HfYSZ (yttria stabilized sirconia) ITOMany others

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃预留模块：预留等离子体系统接口，无需更换腔体即可直接升级至等离子体系统（PEALD），实现Thermal-ALD与PEALD的双模式切换 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售先进的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下( 100oC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。 SI 500 D主要特点：l 适用于8寸以及以下晶片l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°Cl 高速率沉积 l 低损伤l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)l SENTECH高级等离子设备操作软件 l 穿墙式安装方式

仪器简介：Ion Beam Assisted Deposition (离子辅助沉积) 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术 高性能的IBAD(离子辅助沉积)系统 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术。Neocera开发了离子辅助的PLD系统，该系统将PLD在沉积复杂材料方面的优势与IBAD能力结合在一起。得到无人伦比的技术专家知识的支持Neocera离子辅助的PLD系统会得到重要应用经验的支持。系统开发结合了Neocera的工程和工艺经验，保证了最大的用途和工艺性能。 利用离子辅助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria稳定的YSZ基片上，开发了具有下列性能的双轴结构的YBCO薄膜： l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7° l 转变温度Tc在88-89K，转变宽度DTc约为约为0.5 K l 77 K零场强时，临界电流密度Jc范围 1.5&mdash 2x106 A/cm2 l 77 K时，磁深入深度l: 284nm l 77 K，10G时，表面电阻Rs等于700mW Continuous Composition Spread (连续组成扩展) 一种基于脉冲激光沉积的、组合材料合成的新型连续组成扩展(CCS)方法。 经济的组合合成 组合合成是材料科学中最激动人心的最新进展。在一次镀膜实验中，生产多种不同材料组成的能力，大大的提高了获得具有期望材料性能的最佳组成的速度。然而，现有组合合成系统的高成本对绝大多数研究预算来说都是不切合实际的。 得到Neocera PLD经验的支持 Neoceora已经应用我们丰富的PLD和开发性能可靠的经济型设备的经验，发明了PLD-CCS(脉冲激光沉积-连续组成扩展)系统。PLD-CCS受益于多层薄膜沉积的方便性和PLD工艺能在基片上改变二元，假二元，或三元体系的组成这一固有特性。 常规沉积条件下的组合合成 PLD-CCS能以连续的方式，而不是间隔的方式改变材料，没有必要使用掩模。这就允许在每一次循环中，以小于一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是基本等同于共沉积法。事实上，该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是有用的。 Laser MBE (激光分子束外延) 一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，PLD和原位高压RHEED的结合， 为单分子水平上的薄膜生长提供了精确控制。 使用激光MBE是纳米技术研究的理想工具 激光MBE是普遍采用的术语，定义了高真空下的PLD与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用。该法为用户提供了类似于MBE的薄膜生长的单分子水平控制。随着更多的PLD研究受到纳米技术的驱动，激光MBE变得对用户更加有益。 正确的设计是成功使用RHEED和PLD的重要因数 RHEED通常在高真空（10-6 torr）环境下使用。然而，因为在某些特殊情况下，PLD采用较高的压力，差动抽气是必要的，维持RHEED枪的工作压力，同时保持500 mTorr的PLD工艺压力。同时，设计完整的系统消除磁场对电子束的影响是至关重要的。 Neocera的激光MBE系统为用户在压力达到500mTorr时所需的单分子层控制。技术参数：一种用途广泛的、用于薄膜沉积和合成纳米结构和纳米粒子的方法。 PLD是一种复杂材料沉积的创新方法 激光脉冲镀膜(PLD)是一种用途广泛的薄膜沉积技术。脉冲激光快速蒸发靶材，生成与靶材组成相同的薄膜。PLD的独特之处是能量源（脉冲激光）位于真空室的外面。这样，在材料合成时，工作压力的动态范围很宽，达到10-10 Torr ~ 100 Torr。通过控制镀膜压力和温度，可以合成一系列具有独特功能的纳米结构和纳米颗粒。另外，PLD是一种&ldquo 数字&rdquo 技术，在纳米尺度上进行工艺控制（A° /pulse）。 Neocera Pioneer系列 PLD系统 &mdash 基于卓越经验的有效设计 Neocera利用PLD开展了深入广泛的研究，建立了获得最佳薄膜质量的临界参数，特别适用于沉积复杂氧化物薄膜。这些思考已经应用于Pioneer系统的设计之中。 很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧气压力（100 Torr）下冷却是有利的。所有Pioneer系统设计的工作压力范围从它们的额定初始压力到大气压力。这也有益于纳米粒子的生成。 Pioneer PLD系统的激光束的入射角为45° ，保持了激光密度在靶材上的最大均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。浅的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。 为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵流体，消除担心油的回流对薄膜质量的影响，所有Pioneer系统的标准配置都采用无油泵系统。 所有的系统都可以按完整PLD实验室的方式获得，包括248nm激光器，激光气体柜，激光和光学器件台，光学器件包。 我们的研究表明靶和基片的距离是获得最佳薄膜质量的关键参数。Pioneer系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行最大的控制。主要特点： Pioneer240 Pioneer180 Pioneer120 Pioneer80 最大wafer直径 4&rdquo 2&rdquo 1&rdquo 0.5&rdquo 最大靶材数量 6个1&rdquo 或3个 2&rdquo 6个1&rdquo 或3个 2&rdquo 6个1&rdquo 或3个2&rdquo 4个1&rdquo 压力(Torr) 10-8 10-6 10-6 10-6 真空室直径 24&rdquo 18&rdquo 12&rdquo 8&rdquo 基片加热器 4&rdquo ，旋转 3&rdquo ，旋转 2&rdquo ， 平板 1&rdquo ，平板 最高样品温度 850 ° C 850 ° C 950 ° C 950 ° C Turbo泵抽速 （liters/sec） 800 260 260 70 计算机控制 包括 包括 包括 包括 基片旋转 包括 包括 - - 基片预真空室 包括 选件 选件 - 扫描激光束系统 包括 选件 - - 靶预真空室 包括 - - - IBAD离子束辅助沉积 选件 选件 选件 - CCS连续组成扩展 选件 选件 - - 高压RHEED 选件 - - - 520 liters/sec 泵 a/n 选件 - -