二极管测试仪原理

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二极管测试仪原理相关的仪器

  • 二极管反向恢复时间测试仪 一:主要特点A:测量多种二极管 B:二极管反向电流峰值≥100AC:二极管正向电流≥50AD:二极管反向电压分档设定Vr=0-100/0-400VE:二极管接反、短路开路保护F:示波器图形显示G:EMI/RFI屏蔽密封 H:同步触发输出端二:应用范围A:快恢复二极管 B:场效应管(Mosfet)内建二极管C:IGBT内建二极管 D:其他需要测量trr的二极管三:DI-50-400-III外观介绍 第三代产品,在第二代产品的基础上,增加了0~50V低压大功率二极管的兼容测量;二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示,包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节显示与档位选择、恢复电流斜率调节、示波器波形采集端、示波器同步信号输入端。四:DI-50-400测试仪参数类 型数 值单 位备 注反向恢复电流≥100AA峰值,取决于二极管反向电压0-100/0-400V分档正向电流≥50A峰值触发频率0.5Hz手动按下电源输入220VAC功耗小于30W
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  • 激光雷达核心器件~SPAD 单光子雪崩二极管效率测试仪/新型单光子探测器特性分析设备SPD2200是针对最新型的单光子探测器SPD ,Single Photon Detector ,dToF LiDAR 激光雷达收发光核 心芯片测试仪,常应用于dToF的SPAD(Single Photon Avalanche Detector)光感测器(或称SPAD光电探测器,SPAD传感器)的特性测试分析设备。单光子探测器可以对单个光子进行探测和计数,在许多可获得的信号强度仅为几个光子能量级的新兴套用中,单光子探测器可以一展身手。SPD2200是针对最新型的单光子探测器(SPD,Single Photon Detector),如应用于dToF的SPAD(Single Photon Avalanche Detector)光感测器的特性测试分析设备可整合分析如下参数:全光谱性能参数测试分析:(SR,Spectral Responsivity)全光谱量子效率(EQE , External Quantum Efficiency)全光谱光子探测率(PDP,Photon Detection Probability)暗计数DCR(Dark Count Rate)崩溃电压BDV(Break-Down Voltage)SPAD的单光子雪崩二极管特性参数分析: JitterAfterpulsing probabilityDiffusion tailSNR
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  • DI-1nS-1n4148可以测试反向恢复时间小于350nS的信号二极管,精度0.1nS,尤其擅长测试反向恢复时间小于6nS的高速信号二极管。仪器采用恒流工作模式和脉冲恒流工作模式,测试二极管反向恢复时间稳定可靠。一:主要特点A:测量高速信号二极管B:二极管正向电流值10mAC:二极管反向测试电压6VD:测量精度0.1nSE:可设定下降、上升沿比较预值F:可测试最大反向恢复电流G:用户可自行标定精度H: 不需配合示波器使用二:应用范围A:高速信号二极管B: 二极管筛选测试三:测量原理如下图所示,为测试原理图。它包括下降沿触发发生器模块、可调电源、高速比较和FPGA 测试模块等组成。通过VR设置电位器可调节DI-1nS-1n4148下降沿脉冲的幅度,从而改变二极管反向恢复电流大小。通过调节Vadj的电压幅度,可以改变正向电流IF大小。76.5欧姆和23.5欧姆组成100欧的电阻负载,在23.5欧姆的电阻上进行下降沿和上升沿时间判断;23.5欧姆电阻相比较50欧姆电阻,拥有更高的时间常数优势,精度高2倍。高速比较器和FPGA测试模块二合一且具有可调阈值,可以进行独立的下降沿触和上升沿触发,数字显示Trr值,取消示波器约束,成本低,降低操作示波器的读数难度。增加If正向电流连线工作模式和脉冲工作模式,连续恒流工作模式下,二极管PN结温度慢慢升高,测试反向恢复时间会随着温度慢慢变化;脉冲工作模式下,二极管PN结温度恒定在室温不变化,测试数值稳定不变。四:参数类型数值单位备注反向恢复电流Reverse current=60mA反向电压Reverse Voltage0~7V一般为6V测试精度Measure accuracy0.1nS测试范围Range350nS正向电流Forward current10mA固定值,测试标准规定的测试频率Trigger Input Pulse20Hz测试脉冲信号沿速度Speed of falling pulse700pSAboutIf工作模式If mode连续模式脉冲模式通过触摸屏设置测试脉冲信号沿速度Speed of falling pulse700pSAbout电源输入Power Requirement220VAC功耗小于50W
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二极管测试仪原理相关的方案

  • 利用激光二极管进行光输出功率的建模方法
    本文提出了一种激光二极管光输出功率的建模方法,包括其对温度的依赖性。本研究使用的设备是一个40W的Monocrom二极管,发射波长为808nm的光,带有一个19个发射器的CS安装激光板条,使用Monocrom的夹紧方法安装。本研究的目的是提出激光二极管器件的Pspice模型,主要关注光学输出功率随温度的变化,并允许其计算机模拟。还要建立一个表征系统,以获得光学模型数学表达式所需的参数值。因此,本文解释了所提出的激光条形二极管光输出功率模型生成方法及其参数值的获取方法、光输出功率测量装置及其校准、所获得的Pspice模型及其仿真,以及能够获得具有短上升时间电流斜率的必要参数的表征系统。最后,给出了评价结果和相关结论。
  • 二极管阵列检测器在农药液相色谱分析中的应用
    二极管阵列检测器是一种基于光电二极管阵列技术的新型检测器。使用二极管阵列检测器,可以对色谱峰进行光谱扫描、峰纯度鉴定等定性分析,在方法研究中可以快速选择最佳检测波长,在多组分混合物分析中可以编辑波长程序。由于具有这些明显优势,二极管阵列检测器在农药分析中有着极佳的应用前景。
  • 硅光电二极管探测器EUV响应的温度依赖性
    使用同步加速器和实验室辐射源测量了硅光电二极管在3至250nm波长范围内从-100℃到+50℃的响应性。研究了两种类型的硅光电二极管,具有薄氮化二氧化硅表面层的AXUV系列和具有薄金属硅化物表面层的SXUV系列。根据波长的不同,响应率随着温度的升高而增加,AXUV光电二极管的速率为0.013%/C至0.053%/C,SXUV光电二极管为0.020%/C至0.084%/C。响应度的增加与硅带隙能量的减少相一致,这导致对产生能量的增加。这些结果对于极紫外(EUV)光刻步进器和光源中的剂量测量尤其重要,因为所涉及的高EUV强度通常会导致探测器温度增加。

二极管测试仪原理相关的论坛

  • 二极管阵列检测器原理

    最近领导说要买二极管阵列检测器,我只是听说,没有见过,不知什么原理,二极管个数对仪器是否重要?

  • 电子基础知识简介——晶体二极管

    电子基础知识简介——晶体二极管

    电子基础知识简介——晶体二极管知识全解 普通晶体二极管的基础知识 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。一、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。普通二极管实物图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212230001_414505_1841897_3.jpg大功率二极管实物图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212230002_414506_1841897_3.jpg可参考一个PPT课件,有一点电子基础的话,可能更好理解一些。

二极管测试仪原理相关的耗材

  • 超辐射发光二极管SLD
    超辐射发光二极管SLD 我们的超辐射发光二极管(SLD)产品是基于单模光纤耦合的二极管模块,谱线分布从670nm到1610nm不同的波长范围。 我们可以针对客户不同的应用(光纤陀螺,OCT,光器件测试,光学仿真等)能够制造带有冷凝和加热的不同模块。我们也能够特别是为原子力显微镜提供自由空间输出的模块,也能为无影照明,白光干涉等其他光学测试测量提供帮助。 我们还可以根据客户的特殊要求提供PM和MM类型尾纤的模块。在上表中,我们将超辐射二极管(SLD)根据不同的波段分类,如果需要得到更加详细的产品参数,请与我们联系。
  • 超辐射发光二极管
    Superlum超辐射发光二极管(SLD)产品是基于单模光纤耦合的二极管模块,谱线分布从670nm到1610nm不同的波长范围。可以针对客户不同的应用(光纤陀螺,OCT,光器件测试,光学仿真等)能够制造带有冷凝和加热的不同模块。特别是为原子力显微镜提供自由空间输出的模块,也能为无影照明,白光干涉等其他光学测试测量提供帮助。还可以根据客户的特殊要求提供PM和MM类型尾纤的模块。
  • 光电二极管夹具 (Jig)
    - OLED寿命试验.- OLED电池功率驱动.- 基于光电二极管的亮度传感.- 风车/直线并排式装置.- 顶部/底部接触方式.- 使用Pogo Pin的电触点.- 使用盖子和磁铁的压力触点.- 使用切换开关的测试设备选择.联系方式:025-84615783

二极管测试仪原理相关的资料

二极管测试仪原理相关的资讯

  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
  • 光电二极管的量子效率:如何提高光电二极管的量子效率?
    提高光电二极管的量子效率 (QE) 可以通过多种方法实现:优化材料特性:选择吸收系数较高的材料可以增强光子吸收,从而提高QE。表面钝化:最大限度地减少表面缺陷和复合中心可以减少电子空穴对复合,从而提高 QE。抗反射涂层:应用减少反射的涂层可以增加进入光电二极管的光子数量,从而增强 QE。器件几何优化:设计具有最佳厚度和几何形状的光电二极管可以提高光吸收和载流子收集效率。增强光捕获:在光电二极管内采用捕获光的结构或技术可以增加与光子的相互作用长度,从而提高 QE。这些方法中的每一种都针对光电二极管操作的不同方面,以最大限度地提高其将光转换为电信号的效率。图 抗反射 (AR) 涂层对不同波长范围内光电二极管的量子效率 (QE) 的积极影响。QE 以百分比形式测量,表示光电二极管将入射光子转换为电流的效率。不同的曲线代表具有不同结构或材料的光电二极管,它们吸收不同波长范围的光。从图中可以明显看出,增透膜的应用增强了所有三种类型光电二极管的 QE。涂层减少了表面的光子反射,允许更多的光被吸收并转化为电信号,从而直接提高 QE。当具有增透膜的曲线与没有增透膜的曲线相比达到更高的百分比值时,这一点尤其明显。光伏检测请搜寻光焱科技
  • 美研制新型中红外激光二极管
    美国西北大学的研究人员研制出了一种小型中红外激光二极管,其转换效率超过50%。有关报道称这一成果是量子级联激光器(QCL)研究的重大突破,使量子级联激光器向多个领域的实际应用,包括对危险化学品的远程探测,迈出了重要一步。相关研究成果刊发在最近的《自然—光子学》(Nature Photonics)杂志网络版上。  量子级联激光器是一种发光机制异于传统半导体激光器的新型二极管激光器,根据量子力学原理设计,其发光波长可覆盖中红外区域。与传统的二极管激光器不同,量子级联激光器是单极器件,仅需电子即可运作,利用电子在一维量子化的导带间的跃迁来实现发光。经过多年的研究和工业化开发,现代近红外(波长在1微米左右)激光二极管的转换效率已接近极值,而中红外(波长大于3微米)激光二极管却很难达到效率极值。先前的报道认为,即使冷却到低温状态,高效量子级联激光器的转换效率也不会高于40%。  美国西北大学量子器件研究中心(CQD)的研究人员通过优化激光器设备的材料质量,在量子级联激光器效率方面取得了突破性进展。他们剔除了在低温条件下激光器操作中非必要的设计元素,研制出的新型激光器在温度冷却到40开尔文时,4.85微米波长光的转换效率达到了53%。  该研究小组的领导者、美国西北大学麦考密克工程与应用科学学院电气工程和计算机科学教授玛尼杰拉泽吉认为,这种高效激光器的问世是一个重大突破,这是科学家们首次使激光器发出的光能超过热能。她强调,激光器的转换效率突破50%这个门槛,是一个里程碑式的成就。  报道称,提高转换效率依然是目前激光器研究的首要目标。而新型设备所展现的高效率,可大大扩展量子级联激光器的功率标定范围。最近的研究表明,伴随着量子级联激光器的广泛发展,单体脉冲激光器的输出功率已高达120瓦特,而在一年前,只有34瓦特。  该研究得到了美国国防部高级研究计划局高效中红外激光器(EMIL)项目和美国海军研究所的共同资助。
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