半导体电子元器

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半导体电子元器相关的厂商

  • 鹏城半导体技术（深圳）有限公司
    鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积（CVD）系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备（科研型、生产型）、超高真空磁控溅射外延设备（10-8Pa）|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备：PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备：热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台：以内置真空机械手的样品传递室为中心（配4～8个进出口），配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
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  • 载德半导体技术有限公司 铜牌11年
    400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商，载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括： - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System)； - 快速退火炉(RTP)； - 回流焊炉，真空烧结炉(Reflow Solder System)； - 探针台(Probe Station)，低温探针台(Cryogenic Probe Station)； - 贴片机(Die Bonder)，划片机(Scriber)，球焊机/锲焊机(Wire Bonder)； - 原子层沉积系统(ALD)，等离子增强原子层沉积设备(PEALD)； - 磁控溅射镀膜机(Sputter)，电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator)，热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator)，脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD)，等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，快速热化学气相沉积系统(RTCVD)； - 反应离子刻蚀机(RIE)，ICP刻蚀机，等离子体刻蚀机； - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate)； - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe)，光反射膜厚仪(Reflectometer)； 等等...
    主营产品： 退火炉   镀膜机   霍尔效应测试   探针台  
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  • 矽万（上海）半导体科技有限公司 金牌4年
    400-860-5168转4796
    矽万（上海）半导体科技有限公司是一家致力于设计、研发、生产、销售和服务高精密半导体设备的高新技术中外合资企业。我们专注于为客户提供PicoMaster无掩模激光直写光刻机，包括设备的安装调试、工艺改进、软件开发、以及可选配的涂胶显影清洗设备等。我们的产品和服务主要应用于全息防伪、半导体、微纳光学器件、掩模版制作、光学衍射器件、微流控芯片、MEMS器件等领域。 公司注册于上海浦东国家自由贸易区，在上海设有技术服务中心，在荷兰设有生产研发中心，其母公司为注册在香港的Simax Asia Pacific Limited。我们已于2019年和2020年分别在深圳和武汉建立了演示中心 2021年3月上海演示中心也建成并投入使用。演示中心将在3D光刻软件开发、客户定制设计、客户工艺改进等方面发挥巨大作用。 我们以“品质创造价值，服务实现共赢”为经营理念。通过先进的技术，严格的质量管控，为客户提供完整的高品质解决方案。
    主营产品： 激光直写光刻机  
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半导体电子元器相关的仪器

  • 半导体晶圆拉曼光谱测试系统 400-628-5299
    半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： 半导体晶圆
    价格： 面议
  • 半导体晶圆PL光谱测试系统 400-628-5299
    面向半导体晶圆检测的光谱测试系统 荧光测试荧光光谱的峰值波长、光谱半宽、积分光强、峰强度、荧光寿命与电子/空穴多种形式的辐射复合相关，杂质或缺陷浓度、组分等密切相关膜厚&反射率&翘曲度通过白光干涉技术测量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翘曲度荧光光谱系统特点面向半导体晶圆检测的光谱测试系统光路结构示意图自动扫描台：兼容2寸、4寸、8寸晶圆可升级紫外测量模块、翘曲度测量模块侧面收集模组：用于AlGaN样品（发光波段200-380 nm），因为AlGaN轻重空穴带反转使其荧光发光角度为侧面出光，因此需要特殊设计的侧面收光模块。翘曲度测量模块翘曲度测量模块集成在显微镜模组中，利用晶圆表面反射回的375nm激光，利用离焦量补偿实现表面高度的测量，对晶圆片的高度扫描后获得晶圆形貌，从而计算翘曲度的数值。该模块不仅可以测量晶圆的形貌和翘曲度，同时还可以起到激光自动对焦的作用，使得晶圆片大范围移动时，用于激发荧光的激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。物镜5xNA=0.2820xNA=0.40100xNA=0.8离焦量z分辨率 1 μm 0.5 μm 0.06 μm激光光斑尺寸（焦点处）~2 μm~2 μm~1 μm测量时间（刷新频率） 20 ms(50 Hz），可调节最高100 Hz紫外测量模块紫外测量模块的功能主要由集成在显微镜模组中的5x紫外物镜和侧面收集模块实现。可选择213nm或266nm的激光进行激发，聚焦光斑约10微米，可选择通过该物镜收集正面发射的荧光，通过单色仪入口1进行收集和测量。针对AlGaN的发光波段（200-380nm），尤其是Al组分较大（70%）的AlGaN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光，因此设置侧面收集模组，将侧面发出的荧光通过一个单独倾斜60度角的物镜收集后，通过光纤传入单色仪入口2进行收集和测量。可通过翘曲度模块对晶圆片形貌进行测量后，再进行紫外荧光测量时，根据记录的形貌高度，Z轴移动实现晶圆片高度方向的离焦量补偿，使得晶圆片大范围移动时，激光光斑在晶圆表面始终保持最佳的聚焦状态，从而极大的提供荧光收集的效率和分辨率。软件界面晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应用案例6英寸AlGaN晶圆测试随着AlGaN中Al所占比例的增加，可看到发光峰位出现了蓝移，当Al的含量占到70%的时候，峰位已经蓝移至238nm。对AlGaN晶圆进行Al组分比例面扫描，可以看到晶圆中Al的组分分布情况。MicroLED微区PL荧光光谱MappingMicroLED微盘，直径40微米。图（A）：荧光PL Mapping图像，成像区域45×45微米；图（B）：图（A）所示红线，m0-m11点，典型荧光光谱。MicroLED微盘的荧光强度3D成像 2英寸绿光InGaN晶圆荧光光谱测试从InGaN的峰强分布来看，在晶圆上峰强分布非常不均匀，最强发光大约位于P2点附近，而有些位置几乎不发光。发光峰位在500-530nm之间，分布也很不均匀。波长在510nm（P2位置）发光最强。波长越靠近530nm（P1位置），发光越弱。2英寸绿光InGaN晶圆荧光寿命测试从以上荧光寿命成像得到，绿光InGaN荧光寿命在4ns-12ns之间。沿着P1-P3白线，荧光寿命减小。从晶圆上分布看，荧光寿命与荧光强度成像的趋势大致相符，而且峰位有明显关联。即沿着峰位蓝移方向（蓝移至500nm），荧光发光强度增强而且寿命增加，说明辐射复合占据主要比例。而沿着峰位红移的方向（蓝移至530nm），发光强度减弱，同时寿命减小，说明非辐射复合占据主要比例。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统性能参数：荧光激发和收集模块激光波长213/266/375 nm激光功率213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，输出功率2-12mw可调自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米 显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 近紫外物镜，100X/20X，用于375nm激光器,波长范围355-700 nm&bull 紫外物镜, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激发, 200-700 nm 样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。 样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片 光谱仪探测器 光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，可接面阵探测器。&bull 光谱分辨率：优于0.2nm@1200g/mm 可升级模块翘曲度测量模块重复测量外延片统计结果的翘曲度偏差±5um紫外测量模块5X紫外物镜，波长范围200-700 nm。应用于213 nm、266nm的紫外激发和侧面收集实现AlGaN紫外荧光的测量膜厚测试模块重复测量外延片Mapping统计结果的膜厚偏差±0.1um荧光寿命测试模块荧光寿命测试精度8 ps，测试范围50 ps-1 ms软件控制软件可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高、半高宽等进行拟合。&bull 可计算荧光寿命、薄膜厚度、翘曲度等。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 面向半导体晶圆检测的光谱测试系统仪器订购样品委托测试
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： 半导体晶圆PL
    价格： 面议
  • 全晶圆半导体参数非接触测试解决方案 400-628-5299
    全晶圆半导体参数非接触测试解决方案Full-wafer Noncontac Measuring Solutions forSemiconductor Parameters基于我公司自主研发的激光自动聚焦、自动化显微成像、宽场荧光成像、共焦光致发光光谱和共焦拉曼光谱等核心测试技术和模组，联合白光干涉等其它 3D 测量技术，根据客户的需求灵活组合相应的技术搭配，为客户开发定制化的半导体参数测试解决方案，获得从粗糙度、图形尺寸和膜厚等几何参数，到位错、层错等缺陷，再到发光波长、寿命、载流子浓度、组分和应力等物理参数的综合测量，实现无需任何前处理的全晶圆无损自动化检测。
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： 全晶圆半导体参数
    价格： 面议
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半导体电子元器相关的资讯

  • 新型薄膜半导体？电子迁移速度约为传统半导体的7倍
    来自美国麻省理工学院、加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用一种名为三元碲铋矿（ternary tetradymite）的晶体材料研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。据介绍，这种“薄膜”厚度仅 100 纳米，其中电子的迁移速度约为传统半导体的 7 倍从而创下新纪录。这一成果有助科学家研发出新型高效电子设备。相关论文已经发表于《今日材料物理学》杂志。据介绍，这种“薄膜”主要是通过“分子束外延技术”精细控制分子束并“逐个原子”构建而来的材料。这种工艺可以制造出几乎没有缺陷的材料，从而实现更高的电子迁移率（即电子在电场作用下穿过材料的难易程度）。简单来说，当科学家向“薄膜”施加电流时，他们记录到了电子以 10000 cm² /V-s 的速度发生移动。相比之下，电子在“硅半导体”中的移动速度约为 1400 cm² /V-s，而在传统铜线中则要更慢。这种超高的电子迁移率意味着更好的导电性。这反过来又为更高效、更强大的电子设备铺平了道路，这些设备产生的热量更少，浪费的能量更少。研究人员将这种“薄膜”的特性比喻成“不会堵车的高速公路”，他们表示这种材料“对于更高效、更省电的电子设备至关重要，可以用更少的电力完成更多的工作”。科学家们表示，潜在的应用包括将“废热”转换成电能的可穿戴式热电设备，以及利用电子自旋而不是电荷来处理信息的“自旋电子”设备。科学家们通过将“薄膜”置于极寒磁场环境中来测量材料中的电子迁移率，然后通过对薄膜通电测量“量子振荡”。当然，这种材料即使只有微小的缺陷也会影响电子迁移率，因此科学家们希望通过改进薄膜的制备工艺来取得更好的结果。麻省理工学院物理学家 Jagadeesh Moodera 表示：“这表明，只要能够适当控制这些复杂系统，我们就可以实现巨大进步。我们正朝着正确的方向前进，我们将进一步研究、不断改进这种材料，希望使其变得更薄，并用于未来的自旋电子学和可穿戴式热电设备。”
    时间： 2024-07-23
    作者： Jansky
  • 1.73亿元！精测电子与客户签订半导体前道检测设备销售合同
    8月11日，精测电子发布公告称，公司控股子公司深圳精积微近日与客户签订了销售合同，拟向客户出售半导体前道检测设备，总交易金额合计173,229,000元。精测电子表示，若本合同能顺利履行，预计将会对公司经营成果产生积极影响。本合同的签署，是公司与该客户在良好合作基础上进一步加深了双方的合作关系，体现了客户对公司半导体测试设备的高度认可，有助于拓展公司品牌影响力，提升公司的市场竞争力。此外，本合同的履行对公司的业务独立性不构成影响，公司主要业务不会因履行合同而对当事人形成依赖。资料显示，精测电子主要从事显示、半导体及新能源检测系统的研发、生产与销售。公司目前在显示领域的主营产品涵盖LCD、OLED、Mini/Micro-LED等各类显示器件的检测设备，包括信号检测系统、OLED调测系统、AOI光学检测系统和平板显示自动化设备等；在半导体领域的主营产品分为前道和后道测试设备，包括膜厚量测系统、光学关键尺寸量测系统、电子束缺陷检测系统和自动检测设备（ATE）等；在新能源领域的主要产品为锂电池生产及检测设备，主要用于锂电池电芯装配和检测环节等，包括锂电池化成分容系统、切叠一体机、锂电池视觉检测系统和BMS检测系统等。半导体产业化过程，设备先行，半导体前道检测设备是制约我国半导体制造产业的“卡脖子”难题，以美国科磊半导体为代表的国际巨头占据了全球量测检测设备大部分的市场。在政府引导和下游市场需求的双重推动下，越来越多的国产设备企业投入到半导体测试领域。精测电子在半导体领域致力于半导体前道量测检测设备以及后道电测检测设备的研发及生产，在光学领域自主开发针对集成电路微细结构及变化的OCD测量、基于人工智能深度学习的OCD人机交互简便易用三维半导体结构建模软件等核心技术，在电子束领域自主开发了半导体制程工艺缺陷全自动检测、晶圆缺陷自动识别与分类等核心技术，填补了国内空白。此外，公司在半导体光学、半导体电子光学及泛半导体领域积极进行项目研发，在半导体单/双模块膜厚测量设备、高性能膜厚及OCD测量设备、半导体硅片应力测量设备、FIB-SEM双束系统、全自动晶圆缺陷复查设备、DRAMRDBI测试设备、CP/FTATE设备等方面积累了大量经验，形成了较好技术沉淀。
    时间： 2023-08-15
    作者： KPC
  • 半导体行业湿电子化学品常用检测仪器及技术盘点
    湿电子化学品是半导体、集成电路等多个领域的重要基础性关键化学材料，是当今世界发展速度较快的产业领域。我国湿电子化学品2012年市场规模仅为34.81亿元，到2018年已增至79.62亿元，而2021年湿电子化学品市场规模预计超过100亿元。湿电子化学品（又称电子级试剂、超净高纯化学试剂、工艺化学品、湿化学品等）一般主体成分纯度大于99.99%，是电子行业湿法制程的关键材料，常用于湿法刻蚀、清洗等微电子、光电子湿法工艺制程，约占集成电路制造成本的5%。湿电子化学品湿电子化学品可分为通用性湿电子化学品和功能性湿电子化学品。通用湿电子化学品一般为单组份、单功能、被大量使用的液体化学品，包括酸、碱、有机溶剂等，常用于集成电路、液晶显示器、太阳能电池、LED制造工艺等；功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，包括蚀刻液、清洗液、光刻配套试剂等，常用于半导体刻蚀、清洗等工艺中。常见湿电子化学品（数据自中国电子材料行业协会）类别湿电子化学品约占湿电子化学品总需求比例（%）合计占比估计通用湿电子化学品过氧化氢16.70%88.20%氢氟酸16%硫酸15.30%硝酸14.30%磷酸8.70%盐酸4.80%氢氧化钾3.80%氨水3.70%异丙酮2.80%醋酸1.90%功能湿电子化学品MEA等极佳溶液3.20%11.80%显影液（半导体用）2.70%蚀刻液（半导体用）2.20%显影液（液晶面板用）1.60%剥离液（半导体用）1.20%缓冲刻蚀液（BOE)0.90%湿电子化学品的国际分类标准国际半导体设备和材料协会(SEMI)根据金属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等制定了湿电子化学品国际等级分类标准。Grade1等级湿电子化学品常用于光伏太阳能电池等领域；Grade2等级湿电子化学品常用于平板显示、LED、分立器件等领域；Grade3等级湿电子化学品常用于平板显示、LED、集成电路等；Grade4等级湿电子化学品常用于集成电路等领域。 IC制造不同线宽对应湿电子化学品国际等级分类标准SEMI等级IC线宽(μm)金属杂质(10-9)控制粒径(μm)颗粒(个/mL)C1(Grade1)＞1.2≤1000≤1≤25C7(Grade2)0.8-1.2≤10≤0.5≤25C8(Grade3）0.2-0.6≤1≤0.5≤5C12(Grade4）0.09-0.2≤0.1≤0.2*Grade5*≤0.01**国际湿电子化学品市场国际湿电子化学品市场份额的80%主要被德国的E.Merck 公司、美国的Ashland 公司、Sigma-Aldrich 公司、Mallinckradt Baker 公司、日本的Wako 、Summitomo 等占据。欧美传统老牌企业的湿电子化学品产品市场份额（以销售额计）约为34%,主要企业有德国巴斯夫公司、美国亚什兰集团、亚什兰化学公司、美国Arch 化学品公司、美国霍尼韦尔公司、AIR PRODUCTS、德国E.Merck 公司、美国Avantor Performance Materials 公司、ATMI 公司等。日本企业约占30%的市场份额，主要企业关东化学公司、三菱化学、京都化工、日本合成橡胶、住友化学、和光纯药工业（Wako）、stella-chemifa 公司等。中国台湾、韩国、中国大陆企业（即内资企业）约占全球市场份额的35%。全球湿电子化学品行业主要企业国家及地区企业名称美国霍尼韦尔、ATMI、Arch化学品、亚仕兰集团、空气化工产品、Avantor™ Performance Materials德国巴斯夫、汉高、E.Merck日本关东化学、三菱化学、京都化学、东京应化、住友化学、宇部兴产、Stella Chemifa、Wako、日本合成橡胶韩国东友精细化工、东进世美肯、soulbrain ENG中国台湾台湾联仕电子、台湾侨力 国内湿电子化学品研究 自1980 年北京化学试剂研究所在国内率先研制成功适合5µm技术用的MOS级试剂开始，经过数十年积累，国内湿电子化学品企业陆续获得了 G1、G2 等级的化学试剂生产技术，少数部分技术领先企业已经具备 G2 等级化学试剂规模化生产的能力，部分产品的关键技术指标已经达到了国际G3 标准的水平。2010 年之后，技术领先企业的部分产品具备了 G3 等级的生产技术，行业进入快速发展阶段。国内的湿电子化学品目前主要生产G2、G3级别，仅部分达到G4级别，产品主要进口自欧美、日本、韩国、中国台湾的企业。湿电子化学品常用检测仪器与技术湿电子化学品的纯度和洁净度对于电子元器件产品的成品率、性能和可靠性有重要影响。仪器信息网特将湿电子化学品纯度及杂质分析和颗粒检测常用的仪器进行整理。湿电子化学品常用检测仪器常用仪器用途对应仪器专场（点击进入）粒度仪颗粒分析等粒度仪仪器专场电感耦合等离子体—质谱仪（ICP-MS）纯度和杂质分析等电感耦合等离子体—质谱仪（ICP-MS）仪器专场离子色谱纯度和杂质分析等离子色谱仪器专场电位滴定仪纯度和杂质分析等电位滴定仪仪器专场紫外可见分光光度计纯度和杂质分析等紫外可见分光光度计仪器专场液相色谱纯度和杂质分析等液相色谱仪器专场液质联用纯度和杂质分析等液质联用仪器专场
    时间： 2021-03-12
    作者： 管晨光
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  • 半导体中简并电子气稳定的电子激发
    半导体和绝缘体中的激子由费米子系统、电子和空穴组成，它们的吸引相互作用促进了具有准玻色子性质的束缚准粒子。在存在简并电子气的情况下，这种激子由于自由载流子屏蔽而离解。尽管它们不存在，但我们在高达100℃的体锗掺杂GaN的带下边缘区域发现了明显的发射痕迹 K、 模拟高自由电子浓度下的清晰光谱特征（3.4E19–8.9E19 cm−3）。我们对数据的解释表明，简并的三维电子气稳定了一类新的准粒子，我们将其命名为collexon。这些多粒子配合物是通过与费米气体交换电子而形成的。由于掺杂剂几乎理想地取代了主体原子，因此高晶体质量使得能够观察到collexon的潜力及其随着掺杂浓度的上升而稳定化。
  • 紫外荧光法+电子半导体+半导体表面油污检测
    随着半导体技术的不断发展，对工艺技术的要求越来越高，特别是对半导体圆片的表面质量要求越来越严，其主要原因是圆片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率，在目前的集成电路生产中，由于圆片表面沾污问题，在生产过程中造成了很多原材料的浪费。不能获取最高的经济效益。
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    背景介绍电子半导体行业近几年发展特别快， 随之而来的是生产过程中产生了大量的有毒有害废水，包括酸碱废水、含氟废水、金属废水、有机废水、氰化物废水等，这些废水必须经过处理达标后才能排放。 目前， 电子半导体行业没有针对性的污染物排放标准发布， 其执行的标准仍为 《污染物综合排放标准》，但是，电子半导体企业对废水排放有严格的内控指标。电子半导体企业除了监控 COD、氨氮等常规指标外，也非常重视砷、铅等一类重金属污染物的排放量。厦门某电子公司于 2015 年采购了一台 XOS 总砷分析仪，用于排口废水总砷监测，测试数据通过 MODBUS 通讯(仪表自带 RS485 接口)传输至 PLC，实时上传至当地环保局。仪表从企业正常生产后开始运行，连续运行两个多月无需维护，测量数据稳定，用户反馈较好。更多关于本案例的详情，请您下载后查看。
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  • 【转帖】2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会

    为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

  • 【分享】半导体探测器

    【分享】半导体探测器

    半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极，加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时，即产生电子-空穴对。在两极加上电压后，电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷，从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中，入射粒子产生一个电子－空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右，因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料，而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度，必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型（下图由左至右）。金硅面垒型探测器1958年首次出现，锂漂移型探测器60年代初研制成功，同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用，半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]

  • 【资料】半导体中的几个名词解释！

    1．什么是导体、绝缘体、半导体？ 容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。2．半导体材料的特征有哪些？ （1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。 （2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。 （3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。 （4） 晶体的各向异性。

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    ?这款高功率半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源是专业为高功率激光二极管或DPSSL而设计的激光二极管电源。半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源可提供高达10A的电流，并具有Peltier半导体制冷的控制功能，紧凑设计，具有广阔的通用性。半导体激光器电源并提供LD保护功能，使得电流缓慢上升 （软启动功能），具有限制电流，限制温度以及过热保护的功能。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源电源参数Laser diode current source current range0.4 to 10 ALaser diode current increment/decrement step0.004 ALaser diode voltage limit range1.5 to 3 VLaser diode voltage limit increment/decrement step0.001 VNTC (termoresistor) value @25degC10 kOhmTEC driver current (each channel)up to 4 AExternal power supply voltage100-240 V AC to +5 V DCInternal pulse generator frequencies (effective only on ALTx10A-2TEC-LCD-Modulation (OEM version))single shot - 1kHz - 2kHz - 5kHz - 10kHz, other upon requestDimensions126.7mm x 51mm x 18.5mm*******************************************************************LD current modulationAs optional accessoryModulation frequencyfrom Single Shot to 500kHzCurrent Rise/Fall timeExternal TTL trigger signal0-5 V
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    品牌： 孚光精仪
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  • 半导体致冷器
    半导体致冷器(TE)也叫热电致冷器,是一种热泵，它的优点是没有滑动部件,应用在一些空间受到限制,可靠性要求高,无致冷剂污染的场合。半导体致冷器的工作运转是用直流电流，它既可致冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一致冷器上实现致冷或加热,这个效果的产生就是通过热电的原理。 半导体致冷器是利用半导体材料的珀尔帖效应制成的。所谓珀尔帖效应，是指当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热的现象。重掺杂的Ｎ型和Ｐ型的碲化铋主要用作ＴＥＣ的半导体材料，碲化铋元件采用电串联，并且是并行发热。ＴＥＣ包括一些Ｐ型和Ｎ型对（组），它们通过电极连在一起，并且夹在两个陶瓷电极之间；ＴＥＣ组件每一侧的陶瓷电极的作用是防止由ＴＥＣ电路引起的激光器管芯的短路；ＴＥＣ的控制温度可达３０℃－４０℃，当有电流从ＴＥＣ流过时，电流产生的热量会从ＴＥＣ的一侧传到另一侧，在ＴＥＣ上产生&Prime 热&Prime 侧和&Prime 冷&Prime 侧，这就是ＴＥＣ的加热与致冷原理。是致冷还是加热，以及致冷、加热的速率，由通过它的电流方向和大小来决定。在实际应用中，ＴＥＣ通常安装在热沉和组件外壳之间。其冷侧与激光器芯接触，起到致冷作用，它的热侧与散热片接触，把热量散到外部去，这也只是一种最普遍的情况。在对激光器工作温度的稳定性要求较高的场所，一般都采用双向温控，即在常温和高温时对激光器制冷，在低温环境中则制热；半导体致冷器在电流方向逆转时，原来的冷端和热端的位置就互换；则贴近激光器芯的一则就变成了热端，对激光器芯加热。
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  • 小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱
    小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱售后服务◆负责将设备运输到客户指定地点的一楼，并承担相关费用◆工程师亲自上门，免费安装调试设备至正常运作◆工程师会免费培训贵公司设备使用人员，使其具备日常操作及维护之能力◆发货之日起，对设备进行免费保固壹年（天灾、电力异常、操作及保养不当、自行检修或改装而造成的损坏除外）；半年一次到厂定期保养；技术支援终生免费◆我司技术力量雄厚，对其他厂家的环试产品（包含国外同类产品）也能提供维修、改造、升级和长期的维护服务，欢迎来电咨询。小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱安全功能：1.独立限温报警系统，超过限制温度即自动中断运行，并声光报警提示操作者。保证实验安全运行不发生意外。2.温度偏高、偏低和超温报警。3.压缩机过热、过流、过载保护，风机过热保护，缺水保护等。方便的数据处理（选配)可连接打印机或485通讯接口，具有USB数据转移接口（U盘），用电脑显示，并打印温湿度和时间曲线，为试验过程数据储存与回放提供有力保证。用途范围：小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱适用于生物化工、航空航天产品、信息电子仪器仪表、材料、电工、电子产品、各种电子元器件在高低温或湿热环境下，检验其各项性能指标。小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱产品特点：1.国际品牌压缩机和循环风机，使温度分布均匀。环保制冷剂（R134a）效率高，能耗低，促进节能。2.独特风道循环系统，保证工作室温湿度均匀，直径￠25mm测试孔，便于操作于测试。3.采用进口304镜面不锈钢内胆，四角半圆弧过渡，搁板支架可以自由装卸，便于箱内的清洗工作。4.多段可编程控制，可以简化复杂的试验过程，真正实现自动控制和运行。（交变箱具有此功能）产品设计：1.顺应世界环保潮流，全新无氟设计，绿色环保。2.采用干湿球式或电容式湿度传感器，多功能多段可编程温湿度控制器，模糊PID控制器，控温控湿精确波动小。3.进口温湿度控制器寿命长，高精度CFL20字×6行LCD显示器，键盘输入，操作简便。小型半导体恒温恒湿试验箱；中型恒温恒湿试验箱规格型号：型号AP-HX-80AP-HX-150AP-HX-225AP-HX-408AP-HX-800AP-HX-1000内容积(L)801502254088001000内部尺寸(cm)40×50×4050*60*5050×75×6060×85×80100×100×85100×100×100外部尺寸(cm)90*90*15095*150*10595×165×115105×175×135145×190×135145×190×155重量(Kg)300320350400600700性能温度范围-73℃，-60℃-40℃，-20℃，0℃， 150℃， 180℃湿度范围20%RH～98%RH温度波动度±0.5℃升温速率≥3°C/min降温速率≥1°C/min材料内体材料SUS304镜面不锈钢板外壳材料SUS304拉丝不锈钢板或防锈处理冷轧钢板（喷塑）绝缘材料恒温恒湿箱专用超细玻璃棉 聚胺脂泡沫调节器制冷方式机械式二元制冷方式制冷机全封闭（法国泰康或德国谷轮）压缩机制冷剂R23/ R404A冷凝方式风冷或水冷加热器镍铬合金不锈管加热器鼓风机离心风机气流方式宽带式强迫气流循环（上出下进）控制器操作界面恒温恒湿机专用液晶触摸显示屏，中英文切换运转方式恒定运转、程序运转程序记忆容量120组可编程序、每个程序最大999（段）设定指标范围温度：-100℃ 300℃分辨率温度：0.01℃输入PT100或T型热电偶控制方式PID控制通讯功能恒温恒湿机专用RS-232接口(配送光盘)打印功能日本横河6点记录仪（选购件）附属功能上下限报警、自诊断、报警显示（故障原因）、定时装置（自动开机、关机）
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