半导体外观检测

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半导体外观检测相关的厂商

  • 矽万(上海)半导体科技有限公司是一家致力于设计、研发、生产、销售和服务高精密半导体设备的高新技术中外合资企业。我们专注于为客户提供PicoMaster无掩模激光直写光刻机,包括设备的安装调试、工艺改进、软件开发、以及可选配的涂胶显影清洗设备等。我们的产品和服务主要应用于全息防伪、半导体、微纳光学器件、掩模版制作、光学衍射器件、微流控芯片、MEMS器件等领域。 公司注册于上海浦东国家自由贸易区,在上海设有技术服务中心,在荷兰设有生产研发中心,其母公司为注册在香港的Simax Asia Pacific Limited。我们已于2019年和2020年分别在深圳和武汉建立了演示中心 2021年3月上海演示中心也建成并投入使用。演示中心将在3D光刻软件开发、客户定制设计、客户工艺改进等方面发挥巨大作用。 我们以“品质创造价值,服务实现共赢”为经营理念。通过先进的技术,严格的质量管控,为客户提供完整的高品质解决方案。
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  • 鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积(CVD)系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备(科研型、生产型)、超高真空磁控溅射外延设备(10-8Pa)|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备:PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备:热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台:以内置真空机械手的样品传递室为中心(配4~8个进出口),配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
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  • 深圳市矽电半导体设备有限公司(简称“深圳矽电”),成立于2003年,是一家由海外博士和国内专业团队联合创办的高科技公司。公司于2006年被授予自主创新型留学生企业、2008年被授予国家高新技术企业,是深圳市LED产业联合会、半导体行业协会会员单位。 历经九年的沉积,深圳矽电已经成长为国内规模最大的探针台(点测机)生产企业,是中国大陆最早研制,批量生产全自动探针台、LED点测机,专业从事研发、生产各种半导体设备的中国国家高新技术企业。主要产品有:8吋全自动探针台,4~8吋多款探针台、双面探针台、LED探针台、LED全自动抽测探针台、焊卡台、全自动芯粒镜检机(AOI)等芯片测试相关设备及配件,在国内同行业处于领先地位。公司拥有专业的、完整的产业结构及配套能力。可为客户提供从研发、生产、测试技术解决方案的一条龙专业服务。 深圳矽电不仅能提供标准的产品,深圳矽电而且可为客户量身定做订制机型,例如温控环境测试、高压环境测试、磁场环境测试和辐射环境测试等需求。 深圳矽电的产品覆盖企业,科研院所,高校等,得到了客户的认可和信赖。
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半导体外观检测相关的仪器

  • 产品概述SUPEC 2050半导体AMC综合监测系统由采样预处理子系统、气体监测子系统以及辅助设备和数据采集与处理子系统等构成,如下图所示。采样预处理子系统由多路样气传输管、采样泵和分布式多通道采样仪组成,可以对多个点位进行不间断实时采样,并通过管路切换实现不同采样点样气的循环监测。气体监测子系统由多个分析仪组成,可以根据不同的监测需求进行定制化的搭配,实现不同物质的在线监测。辅助系统由集成机柜和校准单元组成,可以保证整套系统的正常运行,校准单元可以定期对系统进行校准,保证监测数据的稳定和准确。数据采集与处理子系统可以监控查询所有测量信息和系统工作状态信息,并将监测数据传输至企业的中控平台。产品特点1.采样覆盖面广:多点位同时采样,覆盖面广,成本低,可支持200m点位监测,多点位形成网格化分析体系。2.轮巡速度快:系统具备预抽功能,节约管路传输等待时间。3.自由配置通道数量:系统可扩展,可自由配置采样点位数量。4.样品间干扰小:具备反吹功能.确保各路样品互不影响,低残留。5.样品超标留样:可搭配超标留样,系统可搭配苏玛罐留样系统,当点位污染超标时自动留样。应用领域半导体行业检测
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  • SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定,重复性好,可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒:内置常用激光器及激光片组,拓展激光器包含自由光及单模光纤输入;② 光路转向控制:光路转向控制可向下或向左,与原子力、低温、探针台等设备连用,可升级振镜选项③ 明视场相机:明视场相机代替目镜④ 显微镜:正置科研级金相显微镜,标配落射式明暗场照明,其它照明方式可升级⑤ 电动位移台:75mm*50mm 行程高精度电动载物台,1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合:光纤共聚焦耦合为可选项,提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合:标配CCD- 狭缝耦合方式,可使用光谱仪成像模式,高光通量⑧ 光谱CCD:背照式深耗尽型光谱CCD相机, 200-1100nm 工作波段,峰值QE > 90%⑨ 320mm 光谱仪:F/4.2高光通量影像校正光谱仪, 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪,只含一路532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪,含532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台,可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪,含532nm 激光器,定制开放式显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台,可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm,100mW 激光器,其他激光可选,最多耦合4 路激光,可电动切换,功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪,光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm,最大300mm*300mm显微镜正置显微镜,明场或者暗场观察,带10X,50X,100X 三颗物镜;开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3,重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性(拉力/ 张力),针对特种样品,可直接计算应力大小,应力均匀性分析(需额外配置电动位移台), 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰,自动拟合,自动计算出晶化率,并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例
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  • 正业半导体芯片焊点无损检测 正业科技多年聚焦检测领域,专注X光检测创新技术解决方案,技术成熟,经验丰富,针对这一行业痛点和国内知名半导体公司已开展合作,开发全新的自动检测解决方案,替代进口单机设备。 要实现自动检测,对检测的效率及自动识别的能力及算法提出更高的技术要求,经过项目组的努力,目前已经取得突破性进展,半导体芯片缺陷自动检测技术的识别功能及关键检测指标已得到客户的认可,即将推出自动检测设备,未来将为更多的半导体客户解决检测的难题,助力行业发展! 目前半导体芯片缺陷类型:有线脱焊、塌线、跪线、弧度低、断颈、平颈、多die、弧度高、多余线、重复焊线、无线脱焊、颈部受损、胶水厚、线尾长、球厚/球大/球畸形等。 ▲良品及部分缺陷类型
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半导体外观检测相关的资讯

  • 盘点|半导体常用失效分析检测仪器
    失效分析是芯片测试重要环节,无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品,失效分析可以帮助降低成本,缩短周期。常见的半导体失效都有哪些呢?下面为大家整理一下:显微镜分析OM无损检测金相显微镜OM:可用来进行器件外观及失效部位的表面形状,尺寸,结构,缺陷等观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与计算机(数码相机)通过光电转换有机的结合在一起,不仅可以在目镜上作显微观察,还能在计算机(数码相机)显示屏幕上观察实时动态图像,电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。金相显微镜可供研究单位、冶金、机械制造工厂以及高等工业院校进行金属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用,实现样品外观、形貌检测 、制备样片的金相显微分析和各种缺陷的查找等功能。体视显微镜OM无损检测体视显微镜,亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器,从不同角度观察物体,使双眼引起立体感觉的双目显微镜。对观察体无需加工制作,直接放入镜头下配合照明即可观察,成像是直立的,便于操作和解剖。视场直径大,但观察物要求放大倍率在200倍以下。体视显微镜可用于电子精密部件装配检修,纺织业的品质控制、文物 、邮票的辅助鉴别及各种物质表面观察等领域,实现样品外观、形貌检测 、制备样片的观察分析、封装开帽后的检查分析和晶体管点焊检查等功能。X-Ray无损检测X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击,在撞击过程中,因电子突然减速,其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置,利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化,产生的对比效果可形成影像,即可显示出待测物的内部结构,进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。X-Ray可用于产品研发,样品试制,失效分析,过程监控和大批量产品观测等,实现观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板,观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况,芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷等功能。C-SAM(超声波扫描显微镜)无损检测超声扫描显微镜是一种利用超声波为传播媒介的无损检测设备。在工作中采用反射或者透射等扫描方式来检查材料内部的晶格结构,杂质颗粒、夹杂物、沉淀物、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。I/V Curve量测可用于验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失效分析流程中,I/V Curve的量测往往是非破坏分析的第二步(外观检查排在第一步),可见Curve量测的重要性。I/V Curve量测常用于封装测试厂,SMT领域等,实现Open/Short Test、 I/V Curve Analysis、Idd Measuring和Powered Leakage(漏电)Test功能。SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸)扫描电镜(SEM)SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的,根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜(SEM)使用,可以对样品进行微区成分分析。在军工,航天,半导体,先进材料等领域中,SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可实现材料表面形貌分析,微区形貌观察,材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析,薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析,纳米尺寸量测及标示和微区成分定性及定量分析等功能EMMI微光显微镜微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs)Recombination会放出光子(Photon)。如在P-N结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴(或N端的电子)做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面,微光显微镜可分析P-N接面漏电;P-N接面崩溃;饱和区晶体管的热电子;氧化层漏电流产生的光子激发;Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题Probe Station 探针台测试探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发时间和器件制造工艺的成本,可用于Wafer,IC测试,IC设计等领域。FIB(Focused Ion beam)线路修改FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。在工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域,FIB可以实现芯片电路修改和布局验证、Cross-Section截面分析、Probing Pad、 定点切割、切线连线,切点观测,TEM制样,精密厚度测量等功能。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。取die用酸法去掉塑封体,漏出die decap(开封,开帽)利用芯片开封机实现芯片开封验证SAM,XRAY的结果。Decap即开封,也称开盖,开帽,指给完整封装的IC做局部腐蚀,使得IC可以暴露出来,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备,方便观察或做其他测试(如FIB,EMMI), Decap后功能正常。化学开封Acid DecapAcid Decap,又叫化学开封,是用化学的方法,即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸腐蚀芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全,并且产生干净无腐蚀的芯片表面。研磨RIERIE是干蚀刻的一种,这种蚀刻的原理是,当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。 自动研磨机自动研磨机适用于高精微(光镜,SEM,TEM,AFM,ETC)样品的半自动准备加工研磨抛光,模块化制备研磨,平行抛光,精确角抛光,定址抛光或几种方式结合抛光,主要应用于半导体元器件失效分析,IC反向等领域,实现断面精细研磨及抛光、芯片工艺分析、失效点的查找等功能。 其可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料,可以高速自动切割材料,提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率等。去金球 De-gold bump,去层,染色等,有些也需要相应的仪器机台,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray观察封装内部情况以及分层失效。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。芯片失效分析步骤:1、非破坏性分析:主要是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,xray--看内部结构,等等;2、电测:主要工具,万用表,示波器,sony tek370a3、破坏性分析:机械decap,化学 decap芯片开封机4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞气泡失效分析(原作者:北软失效分析赵工)
  • 武汉森蓝助力高精度半导体检测早日实现国产替代
    数据显示,全球半导体芯片高端检测设备市场基本由美国、日本等国外公司垄断。这意味着,尽快实现芯片高端检测设备国产化成为我国发展集成电路产业的关键之一,关系到我国能否拥有产业自主权。 党的二十大报告指出,坚持面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,加快实现高水平科技自立自强。以国家战略需求为导向,集聚力量进行原创性引领性科技攻关,坚决打赢关键核心技术攻坚战。 “多年来,我们始终专注于高精度显示芯片检测的国产替代,致力于成为国内一流的工业检测、产线自动化及人工智能创新检测解决方案的提供商。”武汉森蓝智能科技有限责任公司(以下简称“森蓝智能”)创始人、CEO傅敏介绍,作为一家专注人工智能系统产品研发、生产、销售、运维的高新技术企业,核心团队来自厦门大学、武汉理工大学、华中农业大学等高校,具有多年工业信息化、芯片缺陷检测系统的开发经验,拥有多项人工智能领域高水平论文、著作权以及国家专利。 傅敏说,在半导体制造过程中,芯片检测是提升产品良品率和效率的重要环节,“目前国内现有检测设备不能完全满足国内半导体产业现阶段的发展需求,又面临国际市场的诸多限制。因此,不管从国家安全还是产业需求角度出发,检测设备的国产替代都成了行业共识”。 该项目聚焦于半导体光学外观缺陷检测,利用人工智能检查制造工艺的合规性,高精度、高效地检测出产成品的缺陷。针对半导体芯片缺陷检测“缺陷难发现”“检测精度与效率低”和“新缺陷易遗漏”三大技术难点,森蓝智能研发了“自适应光源控制系统”“基于分治策略的人工智能视觉识别算法”和“正样本学习”三大核心技术,在效率、精度、人力和成本上取得了极大的优势,将检测精度率稳定在99.9%以上。 “与国外领头企业动辄百万元的服务费用相比,我们在保证检测精度的同时,拥有更低的价格和更快的反应速度。”傅敏介绍,目前该产品已经具备批量交付能力,近两个月内已交付3台订单,并已获得三安光电及聚灿光电的20台订单。随着AOI外观机的交付,该公司成功研发了第二款标准化产品自动镜检机。同时,项目被列为“国家科技计划路演行动”重点支持项目。
  • 半导体电容器组件三合一检测关键技术通过评价
    3月7日,中国机电一体化技术应用协会在广州组织并主持召开了“半导体电容器组件三合一检测关键技术研究及应用”项目科技成果评价会议。此次成果评价会议以线上线下相结合的形式进行,经专家评价,该项目整体技术水平达到国际先进水平。该项目由广州诺顶智能科技有限公司、华南理工大学、广州天极电子科技股份有限公司共同完成,特邀中国工程院院士、浙江大学求是特聘教授谭建荣担任专家组组长,广东省科学院智能制造研究所教授级高工程韬波为副组长,评价会议由中国机电一体化技术应用协会科技质量部主任、专家委秘书长刘明雷主持。针对微小半导体电容器组件的外观检测、电性能检测、分选三合一高速高精度集成测试难题,该项目研发了光度立体成像技术与互补融合视觉检测算法、电容充电及测量快速精准切换控制技术、首创微小电容器组件三合一无损吸附测试技术等,研制出半导体电容器组件三合一智能检测设备。该设备集成了外观检测、电性能检测、分选等功能,具备兼容性好、测量精度高、智能化程度和分选效率高等特点,填补了微小半导体电容器组件的外观检测、电性能检测、分选三合一检测集成装备的空白,实现了进口替代。项目产品经广东产品质量监督检验研究院检测,所检项目符合相关要求。来自浙江大学、广东省科学院智能制造研究所、广州机械科学研究院有限公司、广东产品质量监督检验研究院、广东省机械研究所等单位的7位专家组成的评价委员会,认真听取了项目完成单位的报告,审查了相关资料。经质询和讨论,他们一致认为,该项目成果具有创新性,整体技术水平达到国际先进水平。此次成果评价会议得到多方资源的支持,受到中国机电一体化技术应用协会的高度重视及聚智诚团队专业的科技成果评价指导。据悉,广州诺顶智能科技有限公司自主研发的设备覆盖芯片、元器件、通信、汽车电子、新能源等领域。2020年,该公司在芯片半导体微小器件领域投入大量研发后,成功研发出01005级别微小器件封测技术。科技成果评价会议现场。中国工程院院士谭建荣以线上方式参加评价会议。评价专家与项目团队合影。项目产品(局部)。本文图片由朱汉斌拍摄

半导体外观检测相关的方案

  • 徕卡DM8000M,DM12000M 半导体尺寸外观检测方案
    徕卡DM8000M半导体尺寸外观检测方案显微镜解决方案在半导体制造业的高效可靠检测、质量控制 (QC)、故障分析 (FA) 和研发 (R& D) 中发挥着重要作用。DM12000M在半导体制造过程中,不同步骤可能会出现多种类型的缺陷,从而影响设备的正常运行。这些缺陷越早发现越好。这些缺陷可能是由于随机分布在晶片上的灰尘颗粒(随机缺陷),也可能是由于加工条件(例如在刻蚀过程中)造成的涂层和光刻胶的划痕、脱落和残留,并且会出现在晶片的特定区域。由于其尺寸较小,显微镜是识别此类缺陷的首选工具。尤其是光学显微镜(OM)与电子显微镜(EM)等速度较慢、成本较高的显微镜相比,具有许多优势。由于光学显微镜的多功能性和易用性,它通常用于定性和定量研究裸晶圆和刻蚀/加工晶圆上的缺陷,也用于集成电路(IC)的组装和封装过程。不同的光学显微观察方法,如明场 (BF)、暗场 (DF)、微分干涉对比 (DIC)、偏光 (POL)、紫外 (UV)、斜照明和红外线 (IR) 透射光 [1-4] 对于在晶圆和集成电路芯片检测过程中快速、准确地检测缺陷至关重要
  • 半导体材料检测应用文集
    赛默飞世尔科技作为科学服务行业的领导者,凭借其离子色谱和电感耦合等离子体质谱和辉光放电质谱的技术实力,不断开发各类半导体材料中痕量无机阴离子、阳离子和金属离子的检测方案,为半导体集成电路制造行业提供多种解决方案,在晶圆表面清洗化学品、晶圆制程化学品、晶圆基材和靶材等各方面,全方位满足半导体生产对相关材料的质量要求,从完整制程出发提供全面可靠的分析技术,促进行业整体质量水平的提高,帮助半导体客户建立起完整质量控制体系,促进中国半导体行业与国际水平接轨。
  • 半导体行业中材料观测检测方案
    随着第五代移动通信系统(5G)的普及,半导体工件的精细化、高度集成化不断发展,对产品的检测分析需求也越来越高。下面介绍基恩士数码显微系统VHX系列在半导体行业中的 BGA、焊点、接合线、探针卡销等的观察案例。

半导体外观检测相关的资料

半导体外观检测相关的试剂

半导体外观检测相关的论坛

  • 【求助】请帮忙推荐几种半导体气体检测器?

    由于使用场所禁止易燃易爆气体,所以不能选用FID检测器。但是TCD的灵敏性距检测要求略低,因此打算采用半导体检测器。请各位前辈指点1、2,帮忙推荐几种性能比较稳定的半导体检测器。

  • 半导体工厂有毒有害/易燃易爆气体监测传感器解决方案

    由于美国调整芯片出口规则,中国对芯片国产化的重视程度越来越高,并定下了2025年将芯片自给率提高到70%的目标,国内半导体行业也掀起了投资热潮。近年来,随着国家的对于集成电路产业的重视以及资本的支持,国内的集成电路产业发展迅速,但是与国外仍有不小的差距,特别是在上游的半导体材料等领域,更是差距巨大。不过,随着国内半导体制造的崛起,也推动了半导体材料的国产化进程。虽然目前各大主要品类的半导体材料领域均有国内企业涉足,但整体对外依存度仍在 60%以上,特别是大尺寸半导体硅片、光刻胶、电子特气等材料更为依赖进口,进口替代空间巨大。除技术难题外,还有一个阻绊我们半导体制造的崛起的难题:在芯片制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材。在目前工艺技术较为先进的半导体晶圆代工厂的制造过程中,全部工艺步骤超过450道,其中大约要使用50种不同种类的气体。一般把气体分为大宗气体和特种气体两种。大宗气体一般是指集中供应且用量较大的气体,特种气体主要有各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体以及其他广为各种制程设备所使用的惰性气体等。如沉积工艺中作为所用的NH3氨气、O2氧气等,光刻时常用的H2氢气等,刻蚀时常用的HCL氯化氢、Cl2氯气、F2氟气等。热处理时常用的O2氧气和H2氢气等。腔室清洗时常用的卤化物HCI氯化氢、Cl2氯气、HF氟化氢、HBr溴化氢和O2氧气等以及离子注入法作为n型硅片离子注入磷源、砷源的PH 3磷化氢和AsH3砷化氢等。从以上的应用可以看出,气体在半导体晶圆代工厂有着非常重要的作用。因为各种气体的特性不同,所以要设计出不同的气体来满足各种不同制程的需求。[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055.png][img=QQ图片20220714171055,401,300]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171055-401x300.png[/img][/url]半导体制造业所使用的特种气体一般按其使用时的特性,[b][b]可分为易燃性气体、毒性气体、腐蚀性气体、惰性气体和氧化性气体五大类。[/b][/b]隋性气体本身一般不会直接对人体产生伤害,在气体传输过程中,相对于安全上的要求不如以下其他气体严格。惰性气体具有窒息特性,不开阔空间下发生少量泄漏不会使人窒息而造成工伤事故;易燃性气体一般指可发生自燃、易燃的可燃气体。当环境温度达到一定时,PH3等气体也会产生自燃。可燃易燃气体都有一定的着火燃烧爆炸范围,即上限、下限值。此范围越大的气体起爆炸燃烧危险性就越高,属于易燃气体有H2,NH3,PH3, 等等;毒性气体是指在半导体制造行业中使用的气体很多都是对人体有害、有毒的。如PH3、NH3、HCL、CL2、AsH3、CO等气体在工作环境中的允许浓度极微,因此在贮存、输送以及使用的过程中都要求特别的小心。一般都应该采取特定的技术措施来控制使用这些气体;腐蚀性气体通常同时也兼有较强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态下一般不易侵蚀金属,但在遇到水的环境下就显示出很强的腐蚀性,如HCl, HF, 等;氧化性气体有较强的氧化性,一般同时具有其他特性,如毒性或腐蚀性等。属于这类的气体有ClF3 ,Cl2,NF3等。半导体制造业被美国(FMS)组织列为”极高风险”的行业。主要是因为它在制程中要使用到极高毒性,腐蚀性及易燃性气体、液体和大量可燃性塑材,再加上无尘室的密闭作业环境及回风系统,所有这些因素都大大增加了半导体厂房的风险。作为半导体晶圆代工厂气体的使用者,每一位工作人员都应该在使用前对各种危险气体的安全数据加以了解,并且应该知道如何应对这些气体外泄时的紧急处理程序。一般来讲,我们将有三重保障来防范万一有意外发生的危险气体外泄进入到工作环境中。一个是特种气体的气瓶以及全部经过正负压测漏的气体输送管路;第二个是持续不断的排气抽风系统(Exhaust),管路节点如气瓶柜、VMB、工作台等均具有很强排气抽风系统,以确保每一管路节点外围都处于负压环境。若发生微量的有毒气体的泄漏,排气抽风系统将第一时间抽出。另外一个很重要的是:根据现行国家标准[b][b]《特种气体系统工程技术规范》GB50646-2011[/b][/b]和[b][b]《有毒气体检测报警仪技术条件及检验方法》HG23006[/b][/b]中的有关规定,同时结合半导体工厂使用气体检测装置产品的快速响应要求作出检测报警响应时间规定。要求处于抽风口或环境点安装[b][b]毒性气体侦测器[/b][/b]及系统,若发生任何有毒气体的泄漏将会被气体侦测系统所侦测到,这个控制系统将根据气体外泄对人体危害的大小来确定整个气体输送系统的相关互锁动作,严重时紧急关闭上游所有气源,同时会驱动中央控制室和现场的相关报警系统LAU,甚至会驱动全厂的自动语音广播系统通知立即疏散,要求相关人员迅速撤离报警区域。因此只要工程技术人员严格按照所制定的标准作业程序操作,所有这些安全装置都将确保人员不会有安全上的顾虑。[b][b]工采网提供监测[/b][/b]一氧化碳CO、氨气NH3、氧气O2、氯化氢HCL、氯气CL2、氟化氢HF、磷化氢PH3和氢气H2等有毒有害/易燃易爆气体传感器,是针对半导体制造业毒气监测应用的专业级传感器产品,传感器寿命长,可长时间稳定持续监测,可大大降低半导体制造业毒气监测成本,实现大范围安装应用,为半导体制造业毒气监测提供了切实可行的安全生产监测解决方案。具体产品如下:[url=http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png][img=QQ图片20220714171413,756,222]http://news.isweek.cn/wp-content/uploads/2022/07/QQ图片20220714171413.png[/img][/url]

  • 半导体行业超纯化学品阴离子检测

    各位大神好! 小弟刚转到半导体行业做化学检测,之前工作无半导体行业测试经验,现在所测的化学品杂质含量极低,不稀释进样的话色谱柱超载,稀释的话又低于离子色谱检出限,导致实验室的ICS1100无法满足测试需求,还请各位帮忙是否有办法解决。 所测化学品:盐酸、硫酸、硝酸、双氧水、磷酸、氢氟酸等; 所测离子含量:小于200ppb; 设备:ICS-1100。

半导体外观检测相关的耗材

  • 佰氟达半导体清洗设备配件PFA等径弯头
    半导体PFA等径弯头,作为半导体工艺中的关键元件,其在集成电路制造和封装过程中扮演着至关重要的角色。随着科技的飞速发展,半导体行业对元件的性能和精度要求越来越高,PFA等径弯头作为连接和传输的关键部件,其性能的提升对于提高半导体制造的效率和可靠性至关重要。  近年来,针对PFA等径弯头的研发与改进取得了显著进展。一方面,通过优化材料选择和制造工艺,PFA等径弯头的耐高温、耐腐蚀性能得到了显著提升,从而确保了其在高温、高湿等恶劣环境下的稳定运行。另一方面,通过精确控制弯头的弯曲半径和角度,使得PFA等径弯头在传输信号时能够保持较小的信号衰减和失真,从而提高了半导体器件的性能。  此外,随着智能制造和自动化技术的广泛应用,PFA等径弯头的生产过程也日益智能化和精细化。借助先进的自动化生产线和智能检测系统,可以实现对弯头尺寸、形状和性能的精确控制,大大提高了生产效率和产品质量。  展望未来,半导体PFA等径弯头将继续朝着高性能、高精度、高可靠性的方向发展。随着新材料、新工艺和新技术的不断涌现,我们有理由相信,PFA等径弯头将在半导体行业中发挥更加重要的作用,为集成电路制造和封装技术的进一步发展提供有力支撑。
  • 佰氟达半导体清洗机配件PFA焊接三通管接头
    半导体清洗机作为现代电子制造工业中不可或缺的重要设备,其性能的稳定性和精度的准确性直接影响着半导体产品的质量和生产效率。在半导体清洗机的构造中,配件的选择与安装尤为重要,其中PFA焊接三通管接头便是关键的一环。  PFA,作为一种性能卓越的氟塑料材料,具有优异的耐腐蚀性、耐高温性以及良好的机械强度,因此在半导体清洗机中得到了广泛应用。特别是在需要承受高温、高压以及强腐蚀性液体的环境下,PFA材料展现出了其独特的优势。  PFA焊接三通管接头在半导体清洗机中扮演着重要的角色。它不仅连接着清洗机的各个部件,还承担着传输清洗液、保证清洗效果的重要任务。因此,对于PFA焊接三通管接头的品质要求极高,必须确保其具有良好的密封性和稳定性。  在制造过程中,我们采用先进的焊接技术,确保PFA材料在焊接过程中不会出现变形、开裂等问题,从而保证了接头的强度和稳定性。同时,我们还对焊接后的接头进行严格的质量检测,确保其符合相关标准和要求。  随着半导体行业的不断发展,对于半导体清洗机的要求也在不断提高。作为半导体清洗机配件的供应商,我们将继续致力于研发更加先进、更加稳定的PFA焊接三通管接头,为半导体行业的发展提供有力的支持。我们相信,在不久的将来,我们的产品将会在半导体清洗机领域发挥更加重要的作用。
  • 半导体激光模块
    半导体激光模块筱晓光子供应半导体激光模块,波长:405nm、445nm、635nm/638nm、650nm。该系列半导体激光器具有效率高、可靠性好、结构紧凑、寿命长、免维护的特点,广泛应用于:生物医疗、数据存储、材料检测、科学研究、OEM系统集成。ModelLDM-405LDM-445LDM-635/638LDM-650Wavelength405±5nm445±5nm635±5nm650±5nmSpatial modeNear TEM00Near TEM00MultimodeMultimodeOutput power10, 20, ..., 200mW100, 200, 500, 1000mW200, 500, 800mW250, 500, 900mWHigher power could be available upon requestOperation modeCW or ModulationBeam diameter (1/e2)4.0mm2x4mm4.0mm5.0mmBeam divergence0.5mrad2mrad1.5 or 3mradPower stabilityWarm up timeOperating temp.20-30℃Storage temp.10-50℃Lifetime10000 hours10000 hours5000 hours5000 hours
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