半导体电子元器

为宣传和贯彻获准发布的9项半导体照明行业标准，中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准工作组定于2010年1月24-25日在广东省江门市举行2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣贯大会。本次大会得到工业和信息化部、广东省经济和信息化委员会、江门市人民政府及国内外上中下游厂商的大力支持。出席本次大会的领导有工业与信息化部科技司韩俊副司长、电子信息司丁文武副司长、关白玉副巡视员、广东省经济和信息化委员会彭平副主任，中国电子技术标准化研究所张宏图副所长、江门市人民政府常务副市长吴紫骊、副市长易中强等领导，共汇集了国内外上中下游重要厂商、研究机构、行业协会以及政府机构等代表400多人报名参会。 此次大会发布的标准包括《SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11394-2009半导体发光二极管测试方法》、《SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉》、《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《SJ/T 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法》、《SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《SJ/T 11401-2009半导体发光二极管产品系列型谱》以及《SJ/T 11395-2009半导体照明术语》共9项，涵盖LED材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域。 大会邀请了工业和信息化部半导体照明技术标准工作组各项标准起草专家分别对9项电子行业标准进行详细讲解，主要讲师包括中国光电协会副秘书长胡爱华、中电十三所张万生教授、浙大三色董事长牟同升、深圳淼浩总经理李明远、有研稀土研发主任庄卫东等，他们现场讲解标准的技术内容、测试方法操作时应注意的问题以及产品规范类标准编写实例等。

1．什么是导体、绝缘体、半导体？ 容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。2．半导体材料的特征有哪些？ （1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。 （2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。 （3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。 （4） 晶体的各向异性。

随着硅半导体技术的发展，全球知名半导体厂商也开始向医疗领域进军。医疗电子器件和技术的革新，不仅是医疗电子领域的一次大发展，也为患者带来新的体验。看看半导体厂商给医疗领域带来了哪些革新。 德州仪器在医疗领域的新成果，包括病人监护仪、消费者健身设备、可移植脊髓调节器等。德州仪器新开发的病人监护仪不同于传统监护仪，该仪器具有远距离可移植的系统。而消费者健身设备则嵌入了身体质量指数仪，能够精确测试出肥胖百分比。可移植脊髓调节器能够有效减轻患者背部疼痛，并对帕金森症患者有一定的治疗效果。 基于德州仪器芯片，GoWear便携医疗仪器被开发出来，主要用于测量人体生命体征健康和体重，同时这些数据将能够传输到手表等期间上，让你随时了解自己身体信息。比利时微电子研究中心则最新研发出了大脑电波无线检测器，特别之处是该检测器可以由耳机充当。通过八通道模拟ASIC芯片和EEG传感器，该耳机能够帮助癫痫患者实现交流，让其用大脑意念控制键盘。 一次性有源电子医疗电子器件也在飞速增长，而内置了8位微控制器驱动和血糖仪的一次性注射筒OmniPod就属于此类。Onyx II血氧计是Nonin的新品，能够对人体血氧含量进行检测并通过蓝牙传输将数据传输到手机等进行报告。ADI公司集成了模拟前端前沿的医疗产品就是——ADAS1000，该仪器能够对五组心电图系统数据和呼吸进行监测。 事实上，半导体厂商将技术应用于医疗领域的，远不止上面介绍的这些。包括飞思卡尔半导体等也在向该领域进军，开发出一系列医疗仪器。医疗电子器件和技术的革新，带来医疗领域的新发展。

[b]近日，拓荆科技、中科飞测、盛美上海、微导纳米4家半导体设备厂商联合成立合资公司。据工商资料显示，广州中科共芯半导体技术合伙企业（有限合伙）（下称“中科共芯”）于2023年12月12日注册成立，注册资本1.8亿元。中科共芯位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业，经营范围包括：半导体分立器件制造和销售；集成电路芯片设计及服务、产品制造和销售；集成电路设计、制造和销售；电子元器件制造、批发、零售；电力电子元器件制造、销售等。从股权结构来看，拓荆科技、中科飞测全资子公司、微导纳米均持股27.7624%；盛美上海持股比例为16.6574%；中科共芯的执行事务合伙人为广州中科齐芯半导体科技有限责任公司，持股0.0555%。记者以投资者身份从拓荆科技、中科飞测公司证券部了解到，中科共芯定位将会是一家投资平台，投资范围将聚焦半导体设备零部件，并将以战略性投资为主。记者关注到，除中科共芯，近两年有多家名称类似的一系列公司亦悄然成立，包括广州中科同芯半导体技术合伙企业（有限合伙）、广州中科锐芯半导体技术合伙企业（有限合伙）、广州中科众芯半导体技术合伙企业（有限合伙）等，分别成立于2021年10月、2023年6月、2021年11月。据前述公司证券部人士称，这几家公司在定位方面类似。以中科同芯为例，其出资额约4亿元，合伙人包括富创精密、安集科技、北京君正、芯源微、北方华创、南大广电、江风电子、概伦电子、同创普润资本等。2023年11月，中科同芯首次对外投资项目为锐立平芯，据介绍，该公司聚焦FDSOI特色工艺量产平台。另据称，中科共芯成立并非由政府或相关单位牵头。不过记者关注到，上述系列公司执行事务合伙人中科齐芯，其执行董事名为李彬鸿。而李彬鸿还曾担任上述几家公司法定代表人。据悉，李彬鸿担任过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院院长助理、FDSOI创新中心主任，有约超10年半导体行业从业经验。在2023年的一次公开活动中，李彬鸿曾公开介绍前述锐立平芯及FDSOI项目。[来源：《科创板日报》][/b][align=right][/align]

各位大侠:谁有《半导体光电化学》这本电子书啊？？？能不能麻烦上传以下，或者给小弟我发到邮箱里，邮箱是 vvxd@hotmail.com ，麻烦了~~急用，谢谢

本人现在急需美国半导体行业标准，关于电子级硅烷的。标准号：SEMI3.54或许和这个号差不多的，实在惭愧，没有找到确定的号。那位老师能帮忙，先谢谢了。我的邮箱：songzf1981@163.com感激不尽。

图解半导体制程概论来自：《电子技术应用》博客 作者：光子http://blog.chinaaet.com/detail/17334.html介绍：基本介绍了所有的电子元器件的工作原理和工作特性。对电路的理解非常有帮助。 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如： 杂质的添加·温度 光的照射·原子结合的缺陷 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9058894285301.jpg █ 半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第IV族,其最外壳(最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上之元素的化合物半导体. ●硅、锗半导体 （Si、Ge Semiconductor) 单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。 ●化合物半导体 (Compound Semiconductor) 除硅（Si)之外，第III族与第V族的元素化合物，或者与第IV族元素组成的化合物也可用于半导体材料。 例如，GaAs（砷化镓）、 Gap（磷化砷）、 AlGaAs（砷化镓铝）、 GaN（氮化镓） SiC（碳化硅） SiGe（锗化硅）等均是由2个以上元素所构成的半导体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059051067700.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059206133119.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059290682905.jpg █ 本征半导体与自由电子及空穴 我们将第IV族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge等），以及和第IV族等价的化合物（GaAs、GaN等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic semiconductor）。 ●本征半导体（intrinsic semiconductor） 当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons）用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电阻比。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059490838355.jpg ●自由电子（free electrons） 束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。 ●空穴（hole） 在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059632324179.jpg █ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴 将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子且成为N型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子的地方且成为P型半导体。 ●N型半导体（N type Semiconductor） N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。 作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 ●P型半导体（P type Semiconductor） 在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059887851531.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059983012447.jpg █ 漂移电流及扩散电流 流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS型半导体中漂移电流起着很重要的作用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。 ●漂移电流（drift current） 与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动所产生的电流。场效应管（FET）内流动的电流称为漂移电流。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060152592260.jpg ●扩散电流（diffusion current） 将P型半导体与N型半导体接合且加电压。如电子从N型半导体注入到P型半导体，而空穴从P型半导体注入到N型半导体，即电子和空穴因热运动而平均地从密度浓密的注入处移动到密度稀薄的地方。以这样的结构所流动的电流称为扩散电流。在双极性（双载子）晶体管或PN接合二极管，扩散电流为主体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060288624919.jpg █ PN接合和势垒 在接合前，由于P型半导体存在与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体存在与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。将这样的P型半导体和N型半导体接合就会产生势垒。 ●接合前为中性状态 接合前，在P型半导体存在着与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体即存在着与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060451806881.jpg ●空乏层与势垒（depletion layer＆potential barrier） 将P型与N型半导体接合时，由于P型与N型范围的空穴及电子就相互开始向对方散。因此在接合处附近，电子和空穴再接合后就仅剩下不能移动的受体与施体。该层称为“空乏层”。由于该空乏层会在PN接合部会产生能差，故将该能差称为“势垒”。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9062912097902.jpg █ PN接合面的电压及电流特性 如外加电压到PN接合处，使电流按照外加电压的方向（正负极）流通或不流通。这是二极管基本特性。 ●外加正相电压到PN接合面 从外部在减弱扩散电位的方向（正极在P型而负极在N型）外加电压时，PN接合面的势垒就被破坏了，空穴流从P型半导体注入N型半导体，电子流则从N型半导体注入P型半导体，而扩散电流得以继续流动。电流流动的方向就称为“正向”。 http://files.china

[b]职位名称：[/b]电子半导体行业销售经理[b]职位描述/要求：[/b]职责描述：1、参与制订行业销售目标，进行分解、组织实施与达成；2、制订产品市场推广与销售策略，实施与反馈，完成既定目标；3、负责电子、半导体行业的销售管理，业务推广，大项目攻关，提升赢单率；4、竞品动态跟踪与分析，定期汇报工作；任职要求：1、大专及以上学历，五年以上仪器行业或者电镜行业经验者优先；2、有电子半导体行业（芯片、电子元器件、PCB）相关销售或产线管理经验；3、优秀的团队意识与内部沟通、协作能力；4、适应频繁出差。工作地点：苏州、上海、杭州，如人选优秀，其他区域亦可。薪资结构：15-20k/月+业绩奖金（提成）有意者可直接申请或将简历发送至：2853069190@qq.com联系电话：15120019050（微信同号）[b]公司介绍：[/b] 仪器直聘平台猎头/内推岗位合集，欢迎求职者及时投递，投递后有专门的工作人员对接推进，提高您的求职效率。...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/72138]查看全部[/url]

2023年，全球半导体行业仍处于周期底部，导致上游半导体设备产业市场需求出现小幅萎缩，但在国产替代的黄金浪潮推动下，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，成为首家闯入全球TOP 10的中国半导体设备厂商。根据各半导体设备公司公布的财报数据及营收预测，笔者整理了全球前十大半导体设备供应商的销售数据及排名显示，荷兰光刻机巨头荷兰阿斯麦（ASML）2023年营收增长30%，以276亿欧元的销售额，超越美国应用材料（AMAT）排名第一；美国应用材料以265.2亿美元（截至2023年10月29日）的收入排名第二；美国泛林（LAM）以143.17亿美元（截止2023年12月24日）的营收排名第三；日本东京电子（TEL）预估今年度（2023年4月-2024年3月）合并营收目标为1.73万亿日元，排名第四；美国科磊（KLA）预计营收为96亿美元排名第五。[align=center][img=,500,305]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/ed0a3679-2e74-40c4-a72d-bbbb8cee571e.jpg[/img][/align]注：（1）鉴于汇率的变化，以及各半导体企业的财报统计的起止时间上有差异，笔者尽量统计各大企业2023年自然年度的营收，难以拆分的数据则为2022/23年的总营收。（2）上述企业财务数据为整体业务收入，并未拆分出半导体设备业务收入，且部分厂商为预测数据，取中位数计算。因此，上述数据难以详尽，仅供大家参考。从上述数据来看，在业务体量方面，尽管除ASML大幅增长和应用材料小幅增长外，泛林、东京电子、科磊都出现了不同程度的下滑，但上述Top 5的地位基本难以撼动，门槛接近百亿美元的范畴。而排在第六位的日本迪恩士（Screen）预计2023财年销售额为5000亿日元，换算为美元仅科磊的三分之一，日本爱德万（Advantest）预计2023财年销售额为4700亿日元，排名第七。排名第八至第十的分别为中国北方华创、荷兰ASMI和美国泰瑞达（Teradyne）。值得注意的是，得益于国内旺盛的市场需求，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，其增长幅度达42.77%至57.27%，远超其他半导体设备企业，也是首次闯入全球TOP 10的中国半导体设备厂商。由上可知，进入全球前十大半导体设备企业的营收门槛约为26.7亿美元。另外，从前十大半导体设备厂商总部的所属地区来看，美国占4家；日本占3家；荷兰2家；中国大陆1家。由此也可以看出，美国、日本、荷兰在半导体设备领域的强势地位，而中国大陆企业正在逐步突围。[来源：集微网][align=right][/align]

1月3日消息，博纳半导体设备（浙江）有限公司（以下简称「博纳半导体」）获得数千万元A轮融资，资方为宁波梓禾和嘉善经开同芯创业投资，独木资本将为项目的后续融资提供财务顾问服务。资金将用于生产基地建设，技术团队建设以及完善公司管理体系。「博纳半导体」创始人兼CEO刘亮表示，当摩尔定律发展到极致，晶圆也在越做越薄——在先进封装应用中，晶圆厚度一般小于100μm，晶圆减薄技术是封装技术工序中最重要的工艺之一。「博纳半导体」创始人兼CEO刘亮表示，临时键合和解键合流程此前多用日本设备，但日本厂商往往有不平等条约，比如需要采用其指定的材料、为不少额外类目的付费等等，并且交付周期和价格也更长，国产设备相比之下，优势则高下立现。据介绍，目前「博纳半导体」已经推出了临时键合、临时解键合设备、临时解键合清洗一体机在内的三款设备，公司已建设完整的打样试验线，为客户提供一体化，完整工艺段的服务。相比国外设备，「博纳半导体」产品造价是国外同等产品的一半左右。并且，这些机器的零部件中有超过85%为该公司自主研发，更加自主可控，也可配合下游客户的具体需求。目前，「博纳半导体」的商业化进展快速，已经与国内先进封装龙头企业长电科技及关联企业交付数台整机设备、并且实现量产。团队方面，「博纳半导体」创始人兼CEO刘亮有着超过 15 年的先进封装、晶圆制造设备开发经验，团队拥有自主知识产权、全国首创的临时解键合清洗一体机产业化技术。领投方梓禾资本创始人郑昕表示，「博纳半导体」公司产品具备较大的先进性，处于国内领先地位。公司设备相较进口设备具有性价比高、设备重量轻体积小等优势，并符合国家战略发展方向；临时键合/解键合设备在先进封装、化合物半导体、MicroLED等领域均具有较大应用场景；「博纳半导体」发展思路清晰，在围绕晶圆临时键合/解键合工艺进行前后端机台研发，未来发展前景可期。[来源：投资界][align=right][/align]

南京滨正红仪器有限公司专业生产特氟龙实验耗材及仪器，主要提供以下产品和服务：[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/04/202404081657052336_1117_5984553_3.png!w690x690.jpg[/img]1. PFA系列取样瓶、洗瓶、容量瓶、烧杯、量杯、量筒、洗气瓶、反应瓶、圆底烧瓶、三角瓶、层析柱等器皿。2. FEP系列试剂瓶、洗瓶、容量瓶、烧杯、量筒等器皿。3. PTFE四氟系列晶圆清洗架、方盘、溢流槽、布氏漏斗过滤装置等定制产品。5.产品加工/定制服务，定制不同规格、材质的特氟龙氟化氢蒸馏冷凝装置，加工半导体、新能源、湿电子化学品等领域的UP-SS级取样瓶、洗气瓶；特氟龙系列器皿、PFA阀门、接头、输送管、水槽等各种配件。6.石墨消解仪及配套的四氟消解管、PFA消解管等。7.各厂家微波消解罐（CEM、安东帕、迈尔斯通、屹尧、新仪、新拓等系列）8.平板加热板、石墨电热板。9.PFA、PTFE酸纯化器，高纯酸制备。联系方式：13913944240滨正红田恬

[size=16px][color=#ff0000][b][url=https://www.instrument.com.cn/job/position-79249.html]立即投递该职位[/url][/b][/color][/size][b]职位名称：[/b]电子半导体行业销售经理[b]职位描述/要求：[/b]岗位描述：1、负责赛默飞FEI电子显微镜系列产品在电子半导体行业的销售工作； 2、负责产品行业推广策略的制定与实施工作，达成既定的销售任务；3、负责电子客户的开发与维护工作； 任职要求： 1、本科及以上学历，材料学相关专业为佳；2、3年左右晶圆制造/半导体封装与测试/电子组装/电子部品/液晶制造或其他相关行业工作经验 3、对晶圆制造/半导体封装与测试/电子组装/电子部品/液晶制造相关工艺与流程熟悉，有失效分析试验测试工作经历或经验是加分项；4、能够接受经常性出差；5、也非常欢迎有志加入销售团队的电子领域测试仪器与设备的应用和售后技术人员投递简历。[b]公司介绍：[/b] 欧波同（中国）有限公司，是一家具有外资背景的多元化的科技集团公司，是实验室分析解决方案的领军者！欧波同成立于2003年（总部位于香港），旗下拥有国际贸易、行业解决方案研发、第三方技术服务、融资租赁等业务板块。公司经过十多年的发展已经与美国赛默飞世尔公司、美国Gatan公司等多家品牌建立战略合作伙伴关系，公司总营业额超6亿，旗下员工200余人。 作为中国材料分析领域的领军企业，欧波同拥...[url=https://www.instrument.com.cn/job/position-79249.html]查看全部[/url][align=center][img=,178,176]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/08/202108160948175602_3528_5026484_3.png!w178x176.jpg[/img][/align][align=center]扫描二维码，关注[b][color=#ff0000]“仪职派”[/color][/b]公众号[/align][align=center][b]即可获取高薪职位[/b][/align]

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工作地点：苏州、上海、杭州，如人选优秀，其他区域亦可。职责描述：1、参与制订行业销售目标，进行分解、组织实施与达成；2、制订产品市场推广与销售策略，实施与反馈，完成既定目标；3、负责电子、半导体行业的销售管理，业务推广，大项目攻关，提升赢单率；4、竞品动态跟踪与分析，定期汇报工作；任职要求：1、大专及以上学历，五年以上仪器行业，有（尼康、徕卡、奥林巴斯）显微镜销售经验者优先；2、有电子半导体行业（芯片、电子元器件、PCB）相关销售或产线管理经验；3、优秀的团队意识与内部沟通、协作能力；4、适应频繁出差。工作地点：苏州、上海、杭州，如人选优秀，其他区域亦可。薪资结构：15-20k/月+业绩奖金（提成）有意者可直接申请或将简历发送至：2853069190@qq.com联系电话：15120019050（微信同号）

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半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

[align=center][b][size=16px]电子/半导体行业显微镜应用案例分享：常见问题迎刃而解！[/size][/b][/align][align=center][size=16px]会议时间：2021年6月16日10:00[/size][/align][font=&][size=16px][b]内容介绍：[/b]随着5G的普及，半导体工件的精细化不断发展，对产品的检测、分析要求也越来越高。此次介绍拥有丰富的数码显微镜在IC行业的观察案例（如：BGA、线绑定结合、接触式探针等技术信息以及观察案例）、同时会介绍对于传统显微镜的各种拍摄难点和解决方案。这对从事半导体行业的客户以及使用到显微镜的客户带来帮助。[b]讲师介绍： 夏天齐:[/b]基恩士公司显微/3D测量系统部门，显微镜技术负责人，负责数码显微镜的技术支持工作。[/size][/font][font=&][size=16px][b]报名地址：[/b][url]https://www.instrument.com.cn/webinar/meeting_19722.html[/url]、[/size][/font][font=&][size=18px][color=#cc0000][b]观看讲座的用户即有机会获得基恩士准备的精美礼品一份。[/b][/color][/size][/font]

半导体气体传感器是利用半导体气敏元件作为敏感元件的气体传感器，是最常见的气体传感器，广泛应用于家庭和工厂的可燃气体泄露检测装置，适用于甲烷、液化气、氢气等的检测。　　分类　　对于半导体气体传感器，按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部，可分为表面控制型和体控制型两种；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型和非电阻型两种。电阻型半导体气体传感器是利用半导体接触气体时其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气体传感器则是根据对气体的吸附和反应，使半导体的某些特性发生变化对气体进行直接或间接检测。

半导体激光器又称激光二极管(LD)，是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低，此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大，光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)，所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展，目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平，而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用。 在气体激光器中，最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好，光束发散角小，可以连续工作，所以这种激光器的应用领域也很广泛，是应用领域最多的激光器之一，主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大，启动和运行电压高，电源复杂，维修成本高。

[color=#000000]4月1日，总投资10亿元的惠然科技半导体量测设备总部项目正式签约落地滨湖。区委书记孙海东与惠然科技有限公司董事长杨仁贵一行会谈，惠然科技有限公司副总裁刘航等出席活动。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/41763465-44bb-437f-b306-afbb20cdc9eb.jpg[/img][/align][back=#c6d9f0][b][color=#000000]孙海东对项目的成功落地表示祝贺。[/color][/b][/back][color=#000000]他说，惠然科技有限公司技术储备雄厚、人才配备扎实，产品化经验丰富、科创实力强劲，自去年8月北京拜访接洽以来，双方合作密切、项目推进迅速。此次签约落地的半导体量测设备总部项目，让滨湖集成电路产业发展再添“生力军”，为滨湖乃至无锡深化集成电路产业链布局、健全集成电路产业“生态圈”注入新动能。希望双方能以此次签约为契机，深化交流、强化对接、紧密联动，推动合作走深走实，力促项目早建设、早投产、早见效。滨湖将一如既往不遗余力地做好项目支持、人才服务等各项保障工作，为公司发展创造最优环境。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/dae1230b-de70-4715-b325-00b1124ab5a8.jpg[/img][/align][back=#c6d9f0][b][color=#000000]杨仁贵感谢滨湖各级各部门对公司发展的大力支持。[/color][/b][/back][color=#000000]他说，滨湖产业基础深厚、人才资源优质，好山好水之间科创活力迸发，是一片干事创业的热土。惠然科技坚持自主研发、深耕半导体产业，与滨湖产业发展、周边市场需求契合度高。相信在滨湖各级政府的大力支持下，惠然科技能充分发挥自身科技、人才优势，不断夯实核心技术攻关能力，推动半导体相关设备产品国产化，助力无锡滨湖集成电路产业高质量发展。[/color][color=#000000]惠然科技有限公司是一家以电子光学技术为核心，专注于扫描电子显微镜及半导体量测设备研发、生产和销售的高新技术企业。此次签约落地的项目包含[b]公司总部、上市主体以及新设立的半导体量测设备研发生产基地[/b]。[/color][color=#000000]惠然科技自2016年成立以来，始终坚持技术主导创新，已经成为创新引领型企业，目前公司拥有国际化研发队伍规模百余人，并拥有许多自主知识产权。其中包括4项发明专利、15项实用新型专利、5项软件著作权，以及18项正在申请的发明专利等。2022年电子光学原型机验证成功，并于2023年7月顺利出机交付首代电镜产品FE-SEM整机“风”系列F6000；同年，与北京大学联合研发“聚焦离子束PFIB设备”。[/color][color=#000000]区别于逆向仿制和复制，惠然科技汇聚国内外专家及高级工程师，基于全自主正向研发，在科研和工业领域拥有丰富的工程化和产品化经验，具备根据应用需求差别进行定制化的核心能力，致力于打破科技封锁，期望努力成为电子光学领域科学仪器和工业级检测设备解决方案的领先企业![/color][来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

一、中国大陆半导体产业发展现状 （一）高速发展的中国大陆半导体产业 中国大陆由於PC、手机及数位消费电子等整机产品的制造向中国大陆地区转移，带动了上游晶片市场需求的增加，半导体市场规模首次突破人民币2000亿元，总销售额达到人民币2074.1亿元，增长率高达41％。其中，PC首次成为中国大陆半导体市场最大的应用领域，对高阶晶片的需求量也大幅增长。 从2001年开始，全球半导体业的平均资本支出每年萎缩了30％，而中国大陆半导体业的资本支出年增长率却高达50％。目前中国大陆地区有中芯国际、上海先进、华虹NEC、和舰和宏力五个主要晶圆代工厂，光是8英寸晶圆厂就达8个，总月产能达到15.5万片，较2003年单月的8.4万片大幅增长83％。 在未来几年，受到中国大陆经济高速增长的拉动、政策的扶持、2008北京奥运会以及2010上海世博会等众多因素的影响，中国大陆半导体需求将持续高速增长，预计2004年中国大陆半导体市场销售额将达到人民币2800亿元，到2008年市场规模将达到人民币6000亿元以上。 （二）不断追赶高端技术 虽然中国大陆的半导体制造制程整体上落后於台湾，但由於近年来的迅猛发展，中芯国际、宏力、苏州和舰等晶圆代工厂陆续进入了0.18mm制程的量产阶段，中国大陆各主要晶圆代工厂都有计划在今年年底前导入0.13mm的制程。而且，为了能与晶圆代工业巨头台积电、联电相抗衡，中国大陆晶圆代工报价普遍低於台湾，正不断蚕食台、联两家的市场份额。 从2004起，中国大陆前4大晶圆代工厂相继导入0.18mm制程，直到产品的量产，相关的制程技术已经达到了成熟阶段，且中国大陆晶圆代工厂在技术上也在快速追赶台湾晶圆厂。 对於半导体设计业，整机生产的下游客户大多集中在中国大陆地区，中国大陆晶圆厂又有能力提供越来越先进的制程，部分台湾半导体设计业者甚至计画将主力产品转移至中国大陆代工厂。 因此，在市场规模迅速扩大的同时，中国大陆半导体的制造工艺与国际先进水准将日益缩小，0.13mm的晶片制造将规模化，0.09mm的工艺也将走向市场，系统晶片（SoC）将成为发展的主 要方向。 （三）中国大陆半导体产业的地区分布 从地域上来看，中国大陆半导体产业主要分布在长江三角洲、京津环渤海湾和珠江三角洲地区，三个地区的产值占全中国大陆半导体行业产值的95%以上。 在三大经济区域中，由於长三角地区近几年的高速发展，成为中国大陆地区半导体最主要的开发和生产基地，在中国大陆半导体产业中占有重要地位。在半导体设计方面，长三角地区的半导体设计业销售额占中国大陆地区的45%左右。晶圆制造约占中国大陆的70%左右，2003年近80%的封装测试企业和近65%的封装测试量都集中在长三角地区。目前，长三角地区已形成半导体设计、制造、封装、测试及设备、材料等配套齐全、较为完整的半导体产业链。在半导体产业链下游整机部分，长三角地区的笔记型电脑产量占中国大陆的80％，DVD产量占50％以上。目前，长三角地区已经有上海张江开发区、苏州工业园、无锡等众多电子园区和上海、杭州、无锡三个半导体设计产业化基地，还有常州高新技术开发区和常州新区。中芯国际、宏力半导体、先进和华虹NEC都落户在上海张江开发区；台积电落户在了上海松江开发区；和舰落户在苏州工业园。这些晶圆生产企业带动了集群效应，初步形成了长三角地区半导体设计、晶圆制造、封测、设备材料企业以及下游整机生产完整的半导体产业链。 在京津环渤海区域，有北京、天津、山东、河北、辽宁行政区域，其中北京、天津的资讯产业在中国大陆占有重要地位。中国大陆第一座12英寸晶圆厂，中芯国际四厂正是设在北京经济技术开发区；现被中芯国际收购的原摩托罗拉8英寸晶圆厂位於天津。晶圆生产业是高耗水工业，而且对水质和空气的品质要求非常高。但北京地区面临缺水的环境以及沙尘暴气候，这无疑增加晶圆生产的成本，不过，北京在发展环境、市场条件、技术基础和人才资源上的优势大大抵消了环境上的影响。 珠江三角洲地区是中国大陆地区电子产品的重要制造地，集中了大量的下游整机制造商，对进口半导体产品的依赖程度极高，消费量占中国大陆进口总量的80%以上。 二、中国大陆半导体的优惠扶持政策 半导体业在中国大陆的迅速发展，尽管有中国大陆中央政府和地方政府在土地、环境、手续等方面的大力支持，也有中国大陆市场的巨大需求和运作成本较低等因素的存在，但不可否认的是，目前中国大陆政府所颁布的各种优惠政策和给予的各种优惠措施也同样功不可没。其中，首当其冲的是国务院在2000年颁布和实施的《鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》，即业界所称的“18号文件”。其次，中国大陆财政部、税务总局、海关总署和各地政府还分别在自己的责任范围内为鼓励半导体行业制定了优惠政策的实施细则，如关於《鼓励软体产业和积体电路产业发展有关税收政策问题》的通知（财税[2000]25号）、《财政部、国家税务总局关於进一步鼓励软体产业和积体电路产业发展税收政策的通知》（财税〔2002〕70号）、上海市《关於本市鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策规定》、《江苏省鼓励软体产业和积体电路产业发展的若干政策》等。这些政策的颁布为半导体产业链上游的半导体设计、中游的晶圆生产、下游的封装测试环节给予了优惠，进一步推动半导体产业在中国大陆的发展。 （一）在半导体设计企业方面 “18号档”将半导体设计企业视同於软体企业，享受与软体企业同等优惠。而依据18号档和其他相关档可知，半导体企业优惠政策主要为： 1、 所得税方面，可以享受自获利年度开始“两免三减半”的优惠政策； 2、 增值税方面，在销售自行设计的半导体产品时，可以享受“2010年前按17％的法定税率徵收增值税，对实际税负超过3％的部分即徵即退”的优惠； 3、 对经认定的半导体设计企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税； 4、 半导体设计企业设计的半导体，如在境内确实无法生产，可在国外生产晶片，其加工合同(包括规格、数量)经行业主管部门认定后，进口时按优惠暂定税率徵收关税； 5、 半导体设计企业的工资和培训费用，可按实际发生额在计算应纳税所得额时扣除； 6、 企业对购进半导体产品，凡购置成本达到固定资产标准或构成无形资产，可以按照固定资产或无形资产进行核算。投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧或摊销年限可以适当缩短，最短可为2年。 不过要提醒注意的是，要享受这样的优惠条件，半导体设计企业应按照《积体电路设计企业及产品认定管理办法》之规定获得资讯产业部和税务总局的认定，并取得《积体电路设计企业认定证书》和《积体电路产品认定证书》。 （二）关於半导体生产企业方面 按照目前半导体企业的分类可知，除了半导体设计企业之外，其他制造、封装测试等企业都属於半导体生产企业，根据“18号档”和其他相关规定可知，目前中国大陆对於半导体生产企业的优惠政策主要有： 1、所得税方面：作为生产性企业，可以依照《外商投资企业和外国企业所得税法》等规定，享受“两免三减半”之税收优惠。 2、增值税方面： 半导体生产企业销售自己生产的半导体产品（含单晶矽片），2010年前按17%法定税率徵收增值税，对实际税负超过3%的部分即徵即退；对投资超过80亿人民币或半导体线宽小於0.25微米的，企业所得税为“五免五减半”。 3、对经认定的半导体生产企业引进半导体技术和成套生产设备，单项进口的半导体专用设备与仪器，除国务院规定的《外商投资专案不予免税的进口商品目录》和《国内投资项目不予免税的进口商品目录》所列商品外，免徵关税和进口环节增值税。 4、投资额超过80亿元人民币或半导体线宽小於0.25微米的半导体生产企业，除了享受所得税“五免五减半”之外，对於其进口自用生产性原材料、消耗品，免徵关税和进口环节增值税。 5、对於半导体生产企业的生产性设备，投资额在3000万美元以上的外商投资企业，报由税务总局批准；投资额在3000万美元以下的外商投资企业，经主管税务机关核准，其折旧年限可以适当缩短，最短可为3年。

【序号】：1【作者】：刘恩科 ( 必须是刘恩科等编的 )【题名】：半导体物理学 【期刊】：【年、卷、期、起止页码】：国防工业出版社，1994年，第4版【全文链接】：

半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

KLA－TENCOR推出最新电子束晶圆检查系统 KLA-Tencor发布了其最新一代在线电子束（e-beam）晶圆检查系统eS31，它能够满足芯片制造商对65nm和以下节点的工程分析和生产线监控应用方面的高灵敏度检查需要。eS31采用了KLA-Tencor的经过生产验证的23xx光明场检查平台，以及若干能够比前一代电子束检查设备在拥有成本（CoO）方面提升六倍之多的若干硬件和软件。利用eS31，芯片制造商可以发现电路缺陷，并在工艺开发阶段及时解决这些问题，使他们的先进产品更迅速地进入市场，与此同时，在生产过程中对电性缺陷异常增高的监控能够实现更高的产量，并降低其每个成品硅片的成本。 随机携带的mLoop技术缩短了数星期的工艺开发时间eS31是eS3x产品系列中第一个集成了该公司专有的mLoop（“Micro Loop”）技术的系统，它可以在早期发现以前使用电路探针需要花几个星期才能发现的对良率有关键影响的电性缺陷。自从KLA-Tencor推出了前一代eS20XP检查系统以来，mLoop已经被全球领先的芯片制造商采用，以加速他们先进工艺的良率学习周期。mLoop采用独特的优化电压对比测试结构，有助于芯片制造商确定电路缺陷的精确位置。利用eS31的mLoop技术可以在一个小时内完成整个晶圆区的检查。mLoop最初是为生产线后端（BEOL）工艺加速良率学习周期设计的，它也能发现生产线前端（FEOL）工艺中的重要缺陷，例如多晶硅间微小残留，为SRAM结构提供先进电路的检验。这尤其适用于微调光刻板/光掩膜，以改善线宽。 新型缺陷推动着新型检查解决方案的需求向小型设计标准的转变、新材料和更大的晶圆尺寸导致了缺陷类型的显著增加，这些问题利用电子束检查才能发现。在铜的双重镶嵌工艺中，更小的线宽导致了新的隐蔽的缺陷——铜空洞——用光学检查系统是难以发现的。新材料，例如钴化物和镍化物，其隐蔽的电路缺陷也在增加。漏电对先进逻辑器件性能的影响日益加大，也已成为人们越来越关注的一个焦点。此外，先进存储器件的极大的高宽比比（＞40∶1）结构也推动着电子束检查的需求，因为光学检查设备不能发现这些结构底部形成的蚀刻下缺陷。eS31是专门用来发现以上这些和影响器件电路性能的许多其他重要缺陷类型的方法。 汉民半导体前段设备出货联电汉民微测成功开发前段检测设备，eScan晶圆检测设备出货将达18台，上周南科厂成功制造第一台监视设备eProfile给联电，显示汉民在要求最严苛的半导体前段设备开发上，有重大突破。 汉民集团运用原本代理设备、装设机台的成功经验切入半导体前段制程设备，在美国设立研发中心、在台湾组装生产，进行电子束检测与离子植入技术的核心研究。 以往高科技产业前段制程设备几乎必须完全仰赖国外大厂生产的局势，获得改观，而且汉民微测并成功将设备销往美国、韩国、日本、大陆等地，意义重大。 汉民总经理许金荣表示，汉民科技转投资的汉民微测所制造eScan可以90奈米以下的晶圆缺陷检测机，今年进入大量生产。此外汉民并开发制造过程的监视设备，监视制造过程的变异状况，第一台在上周出货给联电。 许金荣说，发展设备厂的口号已喊了多年，台湾半导体前段及后段制程约有30多家厂商。LCD生产设备厂商，进度比半导体好，汉民将先聚焦在半导体产业，再进行LCD的相关设备开发。

中国科技网讯 据物理学家组织网9月12日（北京时间）报道，由多伦多大学物理学家领导的国际研究小组利用透明胶带首次在半导体内诱发出了高温超导现象。这一方法为研制可用于量子计算机和提升能效的新型设备铺平了道路。相关论文发表在9月11日出版的《自然—通讯》杂志上。 高温超导是一种物理现象，通常指一些具有比其他超导物质更高临界温度的物质在液氮环境下产生的超导现象。而高温超导体是指无需加热就能够在液氮温度下导电且不会损失能量的材料，其通常也指在液氮温度以上超导的材料。它们目前被用于低损耗输电，并可作为量子计算机等下一代设备的基础构件。 人们在1911年发现超导体的时候，就被其奇特的性质，即零电阻、反磁性和量子隧道效应所吸引。但在此后长达75年的时间内，所有已发现的超导体都只能在极低的温度下才显示超导。另外，只有特定的铁化合物和铜氧化物才显示出高温超导特性，但铜氧化物却具有完全不同的结构以及复杂的化学组成，使其无法与一般的半导体相结合，因此这种化合物的实际应用也深受限制，而探索它们所能产生的新效应也变得尤为重要。例如，观察材料的邻近效应，即一种材料中的超导性会引发其他邻近的普通半导体也能产生超导现象。由于基本的量子力学要求两种材料要进行近乎完美的接触，因此上述情况很难发生。 研究小组负责人、该校的物理学家肯尼斯·博奇谈道：“通常情况下，半导体和超导体之间的交界面材料需经过复杂的生长过程才能形成，制造的工具也要比人的头发更为精细。而这个界面正是此次试验中透明胶带的附着地。”研究团队使用了透明胶带和玻璃载片来放置高温超导体，使其接近一种特殊类型的半导体——拓扑绝缘体。拓扑绝缘体能像大部分的半导体一样，其表面十分具有金属质感，允许电荷移动。这是因为在拓扑绝缘体的内部，电子能带结构和常规的绝缘体相似，其费米能级位于导带和价带之间。而在拓扑绝缘体的表面存在一些特殊的量子态，这些量子态位于块体能带结构的带隙之中，从而允许导电。因此也在这种新奇的半导体内首次诱发了高温超导现象。（记者 张巍巍） 总编辑圈点： 透明胶带和高温超导，这两个看似风牛马不相及的东西，却神奇地联系到了一起，让我们不得不惊叹科学家的非凡想像力。超导技术作为21世纪的宠儿，其发展、应用和普及将在世界能源方面发挥不朽的作用，将为世界免去大量不必要的边缘耗散。如果这些能量被合理利用，对人类的发展不可谓不大。超导材料的普及必将是一场材料大革命，其意义并不会亚于其他科技革命。而文中所述的研究发现，或将超导材料的应用普及引入“快车道”。 《科技日报》（2012-9-13 一版）