半导体激光治仪

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半导体激光治仪相关的厂商

  • 矽万(上海)半导体科技有限公司是一家致力于设计、研发、生产、销售和服务高精密半导体设备的高新技术中外合资企业。我们专注于为客户提供PicoMaster无掩模激光直写光刻机,包括设备的安装调试、工艺改进、软件开发、以及可选配的涂胶显影清洗设备等。我们的产品和服务主要应用于全息防伪、半导体、微纳光学器件、掩模版制作、光学衍射器件、微流控芯片、MEMS器件等领域。 公司注册于上海浦东国家自由贸易区,在上海设有技术服务中心,在荷兰设有生产研发中心,其母公司为注册在香港的Simax Asia Pacific Limited。我们已于2019年和2020年分别在深圳和武汉建立了演示中心 2021年3月上海演示中心也建成并投入使用。演示中心将在3D光刻软件开发、客户定制设计、客户工艺改进等方面发挥巨大作用。 我们以“品质创造价值,服务实现共赢”为经营理念。通过先进的技术,严格的质量管控,为客户提供完整的高品质解决方案。
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  • MCF公司自成立以来一直致力于半导体及及晶体材料高精度磨抛设备及工艺的研发和制造。MCF生产制造中心设立在德国慕尼黑,研发技术中心设立在苏格兰的格拉斯哥大学城,工艺技术中心设立在比利时布鲁塞尔。我们的产品包括精密研磨抛光设备,等离子清洗机,激光干涉仪,3D轮廓仪,红外显微镜,探针台等设备;我们也根据客户技术要求提供专属定制传感器,更关注开发前沿传感器技术,如基于SiC,Sapphire的高温动态压力传感器。传承欧洲50多年半导体的专业技术和成功经验,MCF产品进入中国市场20年获得业内用户一致好评。为保证中国用户提供高效,专业的技术服务,我们在中国北京,香港分别设立办公室和常规备品备件仓库。了解更多信息,请联络MCF中国!www.mcfsens.com
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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半导体激光治仪相关的仪器

  • 产品名称:半导体制冷片温度控制半导体激光器温度控制产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统,其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点,是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件,智能无级控温,既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术,以及PWM调制、双向电源、PID调节技术,具有优良的电压、电流输出特性,开关机时无过冲、反冲、浪涌现象,并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路,以及RS232或RS485远程控制接口注:为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC(热敏电阻)作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温,双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃~300℃之间选择,其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式:双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸:根据产品型号不同,具体参见产品手册 接受定制:可根据客户需要定制温控平台,夹具平台、恒温盒、恒温箱等产品应用 半导体激光器、激光晶体,激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压(VAC) AC220V±15%制冷功率(V) 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC(25℃-10K)平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸
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  • 半导体激光模块 新势力光电供应半导体激光模块,波长:405nm、445nm、635nm/638nm、650nm。该系列半导体激光器具有效率高、可靠性好、结构紧凑、寿命长、免维护的特点,广泛应用于:生物医疗、数据存储、材料检测、科学研究、OEM系统集成。ModelLDM-405LDM-445LDM-635/638LDM-650Wavelength405± 5nm445± 5nm635± 5nm650± 5nmSpatial modeNear TEM00Near TEM00MultimodeMultimodeOutput power10, 20, ..., 200mW100, 200, 500, 1000mW200, 500, 800mW250, 500, 900mWHigher power could be available upon requestOperation modeCW or ModulationBeam diameter (1/e2)4.0mm2x4mm4.0mm5.0mmBeam divergence0.5mrad3x0.5mrad2mrad1.5 or 3mradPower stability3% per 4 hrs3% per 4 hrs3% per 2 hrs3% per 2 hrsWarm up time2minsOperating temp.20-30℃Storage temp.10-50℃Lifetime10000 hours10000 hours5000 hours5000 hours相关商品半导体激光二极管 光纤耦合激光二极管 皮秒半导体激光器 DPSS激光器
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  • 半导体激光器 400-860-5168转6171
    半导体激光器 新势力光电供应半导体激光器,具有体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。同时,该系列半导体激光器具有最佳的光束质量和调制性能,适合于工业仪器和设备的集成化开发。Cobolt MLD 系列半导体激光器,可以单独用于实验室研究,也可以用于各类分析仪器和计量设备的OEM系统集成。Wavelength [ nm ]405445473488515640660Wavelength precision± 5 nmPower [ mW ]10050806025100100Beam divergence (full angle) [ mrad ] 1.1 1.2 1.2 1.3 1.3 1.7 1.7Spatial modeTEM00, M2 1.2Beam diameter at aperture700 um ± 100 umBeam symmetry 0.90:1Noice, 250 Hz - 2 MHz (rms) 0.2%Power stability over 8 hours 0.5%Spectral linewidth (FWHM) 1.2 nmPolarization ratio 1:100ModulationDigital modulationInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLbandwidthDC - 150 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall time 2.5 nsAnalogue modulationInput signal: 0-1 V ( 1 kOhm or 50 Ohm)bandwidthDC - 2 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall time 200 nsRemote ON - OFFInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLfrequencyDC - 500 KHzextinction ratio1 : infRise / Fall time 500 nsMaximum base plate temperature50 ℃Total system power consumption 10 WCommunicationRS - 232 or USBModel number structureWavel-06-01-pwr-100 (CDRH: Control box with key-switch included)Wavel-06-01-pwr-200 (OEM: Auto - start mode)Warranty12 monthsNoteOutput beam diameter can be tailored to specific customer requirements 连续激光器(单纵模/单频) 尾纤激光器 激光二极管 皮秒半导体激光器
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半导体激光治仪相关的资讯

  • 大族激光又一子公司冲刺IPO,专攻半导体及泛半导体封测市场
    9月28日,大族激光旗下子公司深圳市大族封测科技股份有限公司(以下简称“大族封测”)向深交所提交了《首次公开发行股票并在创业板上市招股说明书 (申报稿)》。这是继大族数控完成独立上市后,又一家提交招股书的大族激光子公司。原名大族光电 引入宁德时代等战略投资者大族封测原名大族光电,于2007年由大族数控和国冶星共同出资成立。成立之初,大族光电主要产品集中于 LED 封装环节的固晶机、焊线机、 分光机及编带机,经过15年的发展,已经开启国产焊线机在半导体和泛半导体市场的品类全替代和全面布局,设备保有量已过万台。今年3月,在大族数控上市后一周,大族激光就宣布计划将子公司大族光电分拆至创业板上市。3月10日,大族光电正式更名为大族封测。而在宣布分拆上市之前,尚未更名的大族光电已在推动员工持股计划并引入了外部战略投资。为增强公司凝聚力,维护公司长期稳定发展,大族激光及大族光电投资1.41亿元,为公司核心员工成立了“族电聚贤”和“合鑫咨询”两大员工持股平台。同时,大族光电通过增资扩股方式引进五方战略投资人,投资总额不超过1.41亿元。值得一提的是,宁德时代旗下的投资基金高瓴裕润本次增资的出资占比达45%,增资完成后持有大族光电5%的股份。封测市场依赖进口 从LED封装开始实现国产替代大族封测是国内领先的半导体及泛半导体封测专用设备制造商,主要为半导体及泛半导体封测制程提供核心设备及解决方案(泛半导体设备指主要应用于LED领域的焊线设备)。众所周知,半导体封装包括较多步骤和制程,其中核心环节为固晶、焊线、塑封、切筋等四大工序,分别对应固晶机、焊线机、塑封机和切筋机等半导体设备。然而,我国目前在封装核心设备研发制造上总体仍与国外企业具有差距,研发生产的设备在精度、技术含量方面与国外主流机型相比仍有不小的差距,整个半导体集成电路封装设备产业处在从产业价值链底端向上爬升的过程。
  • 半导体所成功研制太赫兹量子级联激光器产品
    中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室,在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下,经过努力探索,制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品。  太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结构材料的导带中形成电子的受激光学跃迁而产生相干极化THz辐射的新型太赫兹光源。半导体材料科学重点实验室经过多年的基础研究和技术开发,目前推出系列太赫兹量子级联激光器产品。频率覆盖2.9~3.3 THz,工作温度10~90 K,功率5~120mW。  太赫兹波介于中红外和微波之间,是一种安全的具有非离化特征的电磁波。它能够穿透大多数非导电材料同时又是许多分子光学吸收的特征指纹光谱范围。它的光子能量低(1 THz对应的能量大约4meV),穿透生物组织时不会产生有害的光电离和破坏,在应用到对生物组织的活体检验时,比X光更具优势。它的波长比微波短,能够被用于更高分辨率成像。THz波在分子指纹探测、诊断成像、安全反恐、宽带通讯、天文研究等方面具有重大的科学价值和广阔的应用前景。半导体研究所制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品
  • 我国成功研发出民用半导体激光器件
    “民用半导体激光器件我们已摆脱长期依赖进口的局面。现在,我们已经发明成功,工艺性能稳定,产品投入规模生产阶段。”1月10日,记者在山东浪潮华光公司采访,听着技术专家高兴地介绍着,看到那长长的流水线正“收获成熟的芯片”。如今,我们的企业真正拥有了世界顶尖的核心技术,产品价格大幅度下降,让“等面值人民币”买到“等面值美元”的产品不再是梦想。  民用激光显示技术能够完美地再现自然色彩,是继黑白显示、彩色显示、数字显示之后的第四代显示技术。目前,国际上激光显示技术已发展到产业化前期阶段,未来3至5年,将是全球激光显示技术产业化发展的关键时期。为加快推进光电技术研究,打破关键技术的“封锁”,我国把“新一代激光显示技术工程化开发”列为863计划重点项目,其中的“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发”课题让山东浪潮华光光电子有限公司所承担。  浪潮华光是国内唯一一家拥有从激光器材料生长到器件制作的完整生产线的高新技术企业,自1999年建厂以来,其半导体激光二极管及大功率激光器的产销量持续稳居国内第一。为推进课题进展,浪潮华光组建精英团队,加速科研攻关。公司成立了由总经理、国务院特殊津贴专家郑铁民研究员担任组长的项目小组,调动公司所有资源,完善了科研团队建设,从半导体激光器的材料生长、管芯工艺制作、器件封装等整个制造工艺链均配备了专业人才。组建了以长江学者徐现刚教授为学术带头人的研发团队,有研究员、高级工程师和博士、硕士等80余人。强大的科研团队借助公司已有的省级半导体激光器技术实验室、山东省半导体发光材料与器件工程实验室等科研平台,开展了技术攻关。  期间,在徐现刚教授的引领下,技术总监夏伟博士组织浪潮华光的精英团队成员,集思广益,刻苦钻研,成功实现了三大关键技术突破:一是TM偏振808nm半导体激光器外延材料与芯片研制。围绕实现项目要求的特定偏振激光输出,项目组从理论设计激光器的材料结构开始,进行了系统的研究,有效采用了MOCVD技术制备这种特殊材料,加快了科研步伐。目前,该技术世界上只有为数不多的几个大公司掌握。通过5个月的努力,浪潮华光成功掌握了自主生长技术,满足了项目需求。二是635nm激光器外延材料与芯片研制。为了增加红光分量的亮度,激光显示项目在红光波段选择了波长最短的635nm半导体激光器。浪潮华光在650nm半导体激光器方面积累了丰富经验,形成了稳定的650nm半导体激光器产品,占据市场70%的份额。虽然635nm激光器相比650nm红光激光器只有十五纳米的波长差异,但是其带来的技术难题却成几何级数增长。目前,只有日本的几家公司掌握了635nm激光器的制作技术。浪潮华光研发团队经过上千次的试验,最终突破了635nm红光激光器材料的生长技术难点,实现了红光激光器的大功率输出和长期可靠工作。三是模组封装及集成技术。浪潮华光的封装技术人员克服时间紧任务重的困难,与863项目的用户积极配合,实现了高精度多管芯封装技术、新型热沉制作技术、微透镜整形技术等多项自主创新技术,完成了项目要求的模组封装和整形。  目前,针对所承担的“863”项目,浪潮华光已成功研制出满足激光显示工程化要求的808nm、635nm高可靠性、低成本半导体激光器件,并已经初步实现了规模化的生产。从目前的科研和生产进度上看,浪潮华光有望提前全面完成项目预定任务,并能实现批量提供民用激光显示用激光光源的目标,将会大大降低激光器的价格,并带动国内激光器应用市场的发展和更加广泛的应用,实现了“替代进口产品、提高我国半导体激光器的地位、实现激光器显示用核心元器件国产化”的梦想,让该公司产品在国际激光显示产业中独占鳌头。

半导体激光治仪相关的方案

半导体激光治仪相关的资料

半导体激光治仪相关的论坛

  • 【转帖】He-Ne激光器与半导体激光器

    半导体激光器又称激光二极管(LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低,此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平,而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。 在气体激光器中,最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好,光束发散角小,可以连续工作,所以这种激光器的应用领域也很广泛,是应用领域最多的激光器之一,主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大,启动和运行电压高,电源复杂,维修成本高。

  • 半导体激光器的优点和缺点

    半导体激光器又称激光二极管(LaserDiode,LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外,半导体激光器采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域,过去常用的其他激光器,已逐渐被半导体激光器所取代。此外,半导体激光器品种繁多,既有波长较长的红外、红光,也有波长较短的绿光、蓝光,可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围, 提高测量精度。早期的半导体激光器激光性能受温度影响大,光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之间 ),所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平,光束质量也有了很大提高,因此世界上大多数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源,半导体激光器用作激光粒度仪的光源时,在控制电路上须采取恒流和恒温措施,以保证输出功率的稳定。

  • 半导体激光器的优点和缺点有哪些?

    [font=&]半导体激光器又称激光二极管(LaserDiode,LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展[/font][font=&]的最新成果之一。[/font][font=&]半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外,半导体激[/font][font=&]光器采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低。目前,半导体激光[/font][font=&]器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域,过去常用的其他激光器,已逐渐被[/font][font=&]半导体激光器所取代。此外,半导体激光器品种繁多,既有波长较长的红外、红光,也有波[/font][font=&]长较短的绿光、蓝光,可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围, 提高测量精度。[/font][font=&]早期的半导体激光器激光性能受温度影响大,光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之[/font][font=&]间 ),所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展,[/font][font=&]目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平,光束质量也有了很大提高,因此世界上大多[/font][font=&]数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源,半导体激光器用作激光粒度仪的光源时,[/font][font=&]在控制电路上须采取恒流和恒温措施,以保证输出功率的稳定。[/font]

半导体激光治仪相关的耗材

  • 半导体激光器电源
    ?这款高功率半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源是专业为高功率激光二极管或DPSSL而设计的激光二极管电源。半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源可提供高达10A的电流,并具有Peltier半导体制冷的控制功能,紧凑设计,具有广阔的通用性。半导体激光器电源并提供LD保护功能,使得电流缓慢上升 (软启动功能),具有限制电流,限制温度以及过热保护的功能。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源电源参数Laser diode current source current range0.4 to 10 ALaser diode current increment/decrement step0.004 ALaser diode voltage limit range1.5 to 3 VLaser diode voltage limit increment/decrement step0.001 VNTC (termoresistor) value @25degC10 kOhmTEC driver current (each channel)up to 4 AExternal power supply voltage100-240 V AC to +5 V DCInternal pulse generator frequencies (effective only on ALTx10A-2TEC-LCD-Modulation (OEM version))single shot - 1kHz - 2kHz - 5kHz - 10kHz, other upon requestDimensions126.7mm x 51mm x 18.5mm*******************************************************************LD current modulationAs optional accessoryModulation frequencyfrom Single Shot to 500kHzCurrent Rise/Fall timeExternal TTL trigger signal0-5 V
  • 半导体激光器
    半导体激光器筱晓光子供应半导体激光器,具有体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。同时,该系列半导体激光器具有最佳的光束质量和调制性能,适合于工业仪器和设备的集成化开发。Cobolt MLD 系列半导体激光器,可以单独用于实验室研究,也可以用于各类分析仪器和计量设备的OEM系统集成。Wavelength [ nm ]405445473488515640660Wavelength precision± 5 nmPower [ mW ]10050806025100100Beam divergence (full angle) [ mrad ]Spatial modeTEM00, M2 Beam diameter at aperture700 um ± 100 umBeam symmetry 0.90:1Noice, 250 Hz - 2 MHz (rms)Power stability over 8 hoursSpectral linewidth (FWHM)Polarization ratio 1:100ModulationDigital modulationInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLbandwidthDC - 150 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall timeAnalogue modulationInput signal: 0-1 V ( 1 kOhm or 50 Ohm)bandwidthDC - 2 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall timeRemote ON - OFFInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLfrequencyDC - 500 KHzextinction ratio1 : infRise / Fall timeMaximum base plate temperature50 ℃Total system power consumptionCommunicationRS - 232 or USBModel number structureWavel-06-01-pwr-100 (CDRH: Control box with key-switch included)Wavel-06-01-pwr-200 (OEM: Auto - start mode)Warranty12 monthsNoteOutput beam diameter can be tailored to specific customer requirements
  • 半导体泵浦Nd:YAG激光器
    DINY cwQ MM系列 半导体泵浦Nd:YAG激光器高重频、高功率激光器Semiconductor pumped Nd: YAG laser特点:- 半导体泵浦调Q激光器- 多模激光输出、最大功率可达800W- 重复频率可达50K Hz- 连续半导体泵浦方式- 光纤耦合输出可选应用: - PIV- OPO泵浦- 染料激光器泵浦- 光谱学- LIBS DiNY cwQ MM系列半导体泵浦Nd:YAG、Nd:YVO激光器,其输出光束为多横模,激光输出功率最高可达800W @ 1064nm,脉冲重复频率可达50K Hz。IB-Laser的激光器采用卓越的工业设计,具有重量轻、稳定性高、光电转换效率高以及寿命长等特点。可应用于科研及工业领域。
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