美Nano-master RIE反应离子刻蚀系统

美Nano-master  RIE反应离子刻蚀系统

NRR-4000 独立式双RIE或ICP刻蚀系统

NRE-4000 独立式RIE或ICP系统

NRE-3000 台式RIE系统

NDR-4000 深硅刻蚀系统

NANO-MASTER那诺-马斯特的NRE-4000型独立式RIE反应离子刻蚀系统，带有淋浴头气流分布和水冷射频样品台。该RIE反应离子刻蚀系统带不锈钢立柜和一个13”圆柱形铝制腔体，一键式实现顶盖升降便于放片取片。系统最大可支持8”（200毫米）晶圆，也可以支持更大基片刻蚀的定制。腔体包含两个端口，一个用于2”观察视窗，另一个预留用于比如终点监测等诊断装备。腔体为超净设计，腔体的极限真空可达到5×10^-7Torr或更低，具体取决于真空泵系统，系统可以在20mTorr到8Torr之间的压力范围内工作。

该系列RIE反应离子刻蚀系统的标准泵组包含260L/Sec抗腐蚀涡轮分子泵、滤网，和10cfm抽速的PFPE前机泵。600W，13.56MHz的射频电源，带自动调节器。基片直流偏压实时监控最高可达500V，这对各向异性刻蚀非常重要。系统通过计算机自动控制，菜单驱动，这给用户提供了最大的灵活性，同时保持了高度的重复性。系统可支持单晶圆或者Cassette-to-Cassette的自动上下片。

NANO-MASTER那诺-马斯特的RIE反应离子刻蚀系统的型号包含NRE-3000台式RIE反应离子刻蚀系统，最多支持四路工艺气体，NRE-3500紧凑型独立式RIE反应离子刻蚀系统，可升级为ICP刻蚀系统，可支持6路气体。NRE-4000型独立式RIE反应离子刻蚀系统，具有更大的空间，可以支持自动上下片，最多到12路气体的扩展等众多能力选项。

特点：

** 13”硬质阳极氧化铝腔体
** 淋浴头气流分布
** 最大支持200毫米基片
** 可支持更大尺寸基片刻蚀的定制
** 带不锈钢气体管路和气动截止阀的MFC
** 直流偏压：可达-500V自偏压，-1000V外偏压
** 全自动压力控制
** 带自动调节的600W 射频电源，带自动调谐器
** 水冷或加热（最高可加热到400°C）样品台
** 260L/Sec抗腐蚀涡轮分子泵，配套合适的前级泵
** 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动
** LabVIEW友好用户界面
** EMO及完整的安全联锁

选配：

** ICP高密度等离子源用于高速刻蚀
** 用于各向同性刻蚀的等离子源
** 带机械锁紧的背氦冷却用于DRIE
** 增加MFC
** 单片自动或Cassette-to-Cassette自动上下片
** 分子泵组升级
** 基片冷却到-20°C并加热到加热到200°
** 光谱终点监测
** 静电吸附托盘
** 支持12”的晶圆腔体
** 其它更大尺寸的基片刻蚀

应用：

** 复合半导体
** GaAs传感器
** 光子学
** MEMS器件制造
** 硅深槽刻蚀
** 先进封装中的等离子切割
** TSV制造中的通孔刻蚀
** 高精度运动传感器
** 纳米级刻蚀和微流控芯片
** 其它需要RIE刻蚀的应用