光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR
光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR

¥30万 - 50万

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SE200/SE300/SE450/SE500

--

美洲

  • 银牌
  • 第8年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR


光谱椭偏仪可配置从DUVNIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜,如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常仅为约12nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时,深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然,如果必须确定光学常数,则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置,如波长分辨率,角度范围等,将根据所需的应用进行考虑。

 

光谱椭偏仪特征:

•基于Window软件,易于操作;

•先进的光学设计,实现zui佳系统性能;

•高功率DUV-VIS-NIR光源,适用于宽带应用;

•基于阵列的探测器系统,确保快速测量;

•用户可以根据需要定义任意数量的图层;

•能够用于实时或在线厚度,折射率监测;

•系统配有全面的光学常数数据库;

•高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表,色散或有效介质近似(EMA);

•三种不同的用户级别控制:工程师模式,系统服务模式和简易用户模式;

•灵活的工程模式,适用于各种配方设置和光学模型测试;

•强大的一键式按钮解决方案,用于快速和常规测量;

•可按照用户偏好配置测量参数,操作简便;

•系统全自动校准和初始化;

•直接从样品信号获得精确的样品对齐接口,无需外部光学元件;

•精确的高度和倾斜程度调整;

•适用于许多不同类型的不同厚度的基材;

•各种选项,附件可用于特殊配置,如绘图阶段,波长扩展,焦点等;

2D3D输出图形以及用户数据管理界面;

 

光谱椭偏仪应用:

•半导体制造(PR,氧化物,氮化物......

•液晶显示器(ITOPRCell gap ......

•法医学,生物学材料

•油墨,矿物学,颜料,调色剂

•制药,医疗器械

•光学涂层,TiO2SiO2Ta2O5 ......

•半导体化合物

MEMS / MOEMS中的功能薄膜

•无定形,纳米和硅晶圆

•太阳能电池薄膜,CdTeCdSCIGSAZOCZTS ....

 

光谱椭偏仪技术参数:

 

型号

 

SE200 (DUV-Vis)


 

SE300 (Vis)


 

SE450 (Vis-Nir)


 

SE500 (DUV-Vis-Nir)


探测器类型

CCDCMOS阵列

CCDCMOS阵列

CCDCMOSInGaAs阵列

CCDCMOSInGaAs阵列

波长范围(nm

1901100

3701100

370-1700

190-1700

波长点

测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义(数据点仅受分辨率限制)

波长分辨率

0.01 -3nm

0.01 -3nm

0.013nm

0.013nm

数据采集时间

100毫秒到10秒,用户自定义

入射角范围

2090

入射角分辨率

带手动测角仪的5度预设步骤,用于SExxx-BM配置;

程序控制0.001度分辨率,配有自动测角仪,适用于SExxx-BA配置

偏光光学

旋转偏振器,分析器和/或补偿器的组合

光束尺寸

准直光束,光束尺寸可在15mm范围内调节光圈; 可选的聚焦光束模式(可拆卸)可用于减小光斑尺寸

光源

D2 + TH/

TH

TH

D2 + TH/


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显微分光光度计DUV-VIS-NIR  MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500

售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 1次线上培训

免费仪器保养:

保内维修承诺: 因产品质量问题免费保修(各种消耗品除外),仪器提供全面维护,使之处于正常工作状态

报修承诺: 产品质保期内本公司提供36小时内的维修服务响应(除节假日外),以最快的速度派遣

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