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合肥科晶
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进口GOI (Ge on insulator)
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美洲
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产品名称： | |
产品简介： | |
技术参数： | Device layer：直径:6" 类型：P 型掺B 晶向：<100>+/10 degree toward <111> 厚度:50 nm +/- 3% 电阻率:corresponding to 1E18 /cc 边取:<111> 抛光:单抛 Buried Thermal Oxide:厚度:100nm Handle wafer:掺杂类型:P 型掺B 晶向:<100> 电阻率:5-20 ohm-cm 厚度:625 +/- 15 um 抛光:As-received (not polished)
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| 产品规格： | dia6" |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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