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产品名称: | 氮化镓(GaN)薄膜 |
产品简介: | 氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。
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技术参数:
| 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型;半绝缘型;P型 电阻率R<0.05 Ohm-cm;半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1x108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown 有效值<1nm 可用表面积>90% |
标准包装: | 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
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