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合肥科晶
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Si片外延AIN薄膜 （Si+AlN dia4"）
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美洲
看了仪表元件/仪表材料/仪表工艺的用户又看了
产品名称： | |
产品简介： | Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片 |
技术参数： | AlN厚度：200nm ±10%, 单面镀膜正面： <2nm RMS, as-grown背面：silicon as receivedAlN晶向：(00.2) 宏缺陷密度：<10/cm^2 薄膜衬底：Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, 电阻res: 1~10 ohm-cm, 单抛
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常规尺寸： | dia 4" x0.5 mm,单抛； |
标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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