看了仪表元件/仪表材料/仪表工艺的用户又看了
产品名称: | |
产品简介: | Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片 |
技术参数: | AlN厚度:200nm ±10%, 单面镀膜正面: <2nm RMS, as-grown背面:silicon as receivedAlN晶向:(00.2) 宏缺陷密度:<10/cm^2 薄膜衬底:Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm, 电阻res: 1~10 ohm-cm, 单抛
|
常规尺寸: | dia 4" x0.5 mm,单抛; |
标准包装: | 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
合肥科晶仪表元件Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")的工作原理介绍
仪表元件Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")的使用方法?
合肥科晶Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")多少钱一台?
仪表元件Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")可以检测什么?
仪表元件Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")使用的注意事项?
合肥科晶Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")的说明书有吗?
合肥科晶仪表元件Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")的操作规程有吗?
合肥科晶仪表元件Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")报价含票含运吗?
合肥科晶Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")有现货吗?
最多添加5台