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合肥科晶
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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型
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美洲
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产品名称： | |
常规尺寸： | dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm |
技术参数： | 4H-SiC薄膜晶向：<0001> 4H-SiC薄膜厚度（film target thickness)：4.3um ±10% 4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ：1.4E17/cc +0% /- 30% 载流子浓度：(3~ 10)E16 /cc 导电类型：P型 抛光情况：双面抛光 4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel（10-10）；OF length: 15.9 +/- 1.7 mm 4H-SiC基片尺寸： dia 2 inch x330±25unIF orientation :90 degree cw. from OF +/- 5 degreeIF length:8.0 +/- 1.7 mm 4H-SiC基片电阻率:< 0.03 ohm-cm 4H-SiC抛光：Si面CMP单抛边缘排除：1mm
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 |
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