近日,三安半导体在两方部署的碳化硅项目均刷新进度:湖南与重庆两地工厂的设备搬入完成,这2条8英寸SiC线即将迎来投产,合计产能96万片。
据称两地正式通线之后,三安半导体将正式转型为8英寸SiC垂直制造整合商,其SiC产能有望实现大幅提升,企业市场竞争力将进一步增强。
芯片二厂M6B设备入场:7月24日,三安半导体宣布,芯片二厂M6B设备入场。这标志着三安碳化硅(SiC)项目二期通线在即,将为全面加速8英寸SiC产业布局,实现产线正式投产奠定良好基础。
据湖南三安介绍,湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币,旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后,将具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力,预计到今年12月,M6B将实现点亮通线,8英寸SiC芯片将正式投产,湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。
重庆三安半导体SiC衬底工厂主设备入场:近日,重庆三安半导体SiC衬底工厂完成了主设备的入场,这表示重庆三安衬底工厂的通线一同步入了倒计时阶段。
据重庆三安基建负责人透露,项目主厂房已于去年12月完成结构封顶,今年5月完成外墙装饰,6月完成室外道路接驳,目前整体建设进度已完成95%以上,正处于设备进场安装调试的关键阶段,预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。
重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币,项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线,具备年产48万片8英寸SiC衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力,预计营收将达170亿人民币。据悉,该项目是由三安光电、意法半导体于去年6月宣布在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。
[来源:全球半导体观察]
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