港大破解化学界难题 优化半导体制造

香港大学表示，该校化学系主任支志明与化学系助理教授杨军率领的研究团队，已破解“闭壳层金属─金属之间相互作用”（又称嗜金属相互作用）这一困扰无机化学界多年的难题，该理论在过渡金属配合物的自组装过程中十分重要，并能广泛应用於有机半导体、生物传感和功能性光电材料中。研究成果现已在期刊《美国国家科学院院刊》（PNAS）发表。

港大指，到目前为止，学术界对嗜金属作用的普遍共识是“相互吸引的”，其作用原理被认为是由轨道杂化或重金属原子的相对论效应所导致。支志明和杨军率领的研究团队，运用精密的计算方法和实验技术，印证了金属─金属之间强烈的泡利排斥作用导致嗜金属具排斥性，而非传统认为的互相吸引。

研究团队在PNAS期刊中首次提出，“嗜金属相互作用”其实是具有相互排斥性，而轨道杂化和相对论效应会增强金属─金属之间的泡利排斥作用，而分子间的色散力和静电相互作用将抵销金属与金属之间的排斥力，从而导致金属与金属之间相互接近。港大表示，这项发现对於闭壳层金属配合物相关的研究具有长远的影响，并为製造可替代贵重金属的新型超分子材料（例如钯、银或镍的过渡金属配合物）提供理论支持，有助化学研究人员更了解分子间弱相互作用。

港大博士万晴云是期刊论文第一作者，她与杨军、支志明皆为共同通讯作者。研究得到香港研资局、香港大学合成化学国家重点实验室，以及港大资讯科技服务的支持。