湿法氧化炉

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VCSEL具有阈值电流低、工作波长稳定、光束质量好、易于一维和二维集成等优点，在光通信、激光显示、光存储、消费电子等领域得到了广泛应用。目前，850nm的VCSEL是短程局域网光纤通信系统的关键器件，用于短距离的数据通信；940nm的VCSEL在传感领域发挥着中流砥柱的作用，在消费电子中大放异彩；1310nm的VCSEL在高速长距离光纤通信、光识别系统及并行光互连系统中占据重要地位。此外，808nm的VCSEL在医美行业的应用也开始受到重视。

VCSEL主要有4种结构：氧化限制型、离子注入型、蚀刻台面型和掩埋异质结型。由于氧化限制型的电流限制效率最高，目前对其研究最多。其基本原是：外延生长一层AIAs的材料，在380～480 ℃ 的温度下，通过湿法氧化工艺，将其氧化成低折射率的绝缘A1xOy 氧化物，主要反应为

2AlAs+3H2O→+A1203+2AsH3

AlAs+3H2O→Al(OH)3+AsH3

A1xOy氧化物的高阻值对电流具有限制作用，低折射率对激光场具有导引作用，所以氧化限制层既起到了限制载流子又达到了调节腔长的目的。

我司代理的Koyo湿法氧化炉，具有温度均匀性高、水汽易于控制、氧化一致性好、晶圆全自动搬送、最多25片同时处理等特点，目前已成为VCSEL研发及量产的首选机台。

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