扫描式光刻机

1. 产品概述

Canon FPA5000 ES3扫描式光刻机，主要用于6寸、8寸及12寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等域。

2. 设备特点

投影放大倍率：1/4 X，曝光光：（248nm DUV）。数值孔径：（0.73~0.60，以 0.01 为增量），视场尺寸：26x33mm。曝光光：DUV（深紫外线）。光源：KrF 准分子激光器 CYMER/ELS-6300 或 KLES G20K。强度： 最低 17,000 w/m2。均匀度：+/- 1.0%。遮蔽刀片精度：最大 +/- 80 μm。

分辨率：<0.13μm 或更小。焦深：最小 R 0.6μm，图像表面宽度：R 0.12μm 或更高，畸变度：<± 10μm。对焦/调平性能：聚焦重复性：<60nm （3sigma），调平重复性：<4ppm （3sigma），最小补偿范围：>100ppm。步长精度：17nm （3sigma），缩放比例：<±0.5ppm，正交度：<±0.5ppm。标线旋转精度：<±0.3ppm。晶圆对准：<0.025μm 平均值 + 3sigma。光罩旋转重复性：0.6μm。玻璃表面：>15μm，表层表面：>20μm，检测重复性： >95%，晶圆尺寸：标准 8 英寸（8 英寸至 12 英寸 SEMI 标准，JEIDA，缺口/平面，可选），吞吐量：125wph （30 shot）22mm （ 8“ 晶圆），吞吐量：73wph （64shot）22mm （ 12“ 晶圆），环境室规格：清洁度：1级（>0.1μm），控温精度：+/- 0.1*C 以内。腔室类型：CD140，空调：BCU-900，制冷剂：P3419481YH，调节剂：SC-216440。

佳能开发了一系列半导体光刻设备，旨在满足除传统半导体晶圆加工之外的广泛应用的技术要求。

半导体芯片（也称为集成电路，Integrated Circuit, IC）生产主要分为 IC 设计、 IC 制造、 IC 封测三大环节。 IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。 IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现目标芯片功能，包括化学机械研磨、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入等步骤。 IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。