雪崩能量测试仪参数
雪崩能量测试仪参数 浪涌电流测试仪 IGBT测试仪 晶体管测试仪
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半导体分立器件作为在电力电子行业中应用*为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。 该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行*终的编辑和打印。 ENX2020 雪崩耐量测试系统 功能指标: 配置 测试范围 测试参数 条件 范围 电压 1000V IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V~4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 电流 200A MOSFETs MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA~200A 1mA~100mA±3%±0.1mA 100mA~2A±3%±5mA 2A~200A±3%±50mA DIODEs 二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J~2000J 1J~100J±3%±1J 100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A(取决于传感器) 感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 重复间隙时间 1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次
企业名称
西安天光测控技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
成立日期
2018-05-03
注册资本
经营范围
工业电气产品及电力电子测控设备的研发、销售;功率半导体器件的开发设计;电力电子技术的技术转让;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
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