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西安天光测控技术有限公司

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IGBT开关参数测系统

品牌： --
产地： 陕西
型号： ST-AC1200_X
报价： 面议
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产品介绍


2.png

IGBT开关参数测系统
ST-AC1200_X


用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数

1200V/100A，短路电流2500A

替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300

? 技术规格


基础能力

  1. *大输出能力：电压1200V电流200A

  2. *小时间测量值：0.1ns

  3. Windows系统的控制计算机水印签字*西安天光测控*水印签字

  4. LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字

物理规格

  1. 单机尺寸：800×800×1800mm水印签字*西安天光测控*水印签

  2. 质 量：165kg水印签字*西安天光测控*水印签字

  3. 系统功耗：200w

ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美军标750
方法为3472

  1. 脉宽：0.1us~100us步进0.1μs

  2. 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V

  3. 栅极电流*大10A水印签字*西安天光测控*水印签字

  4. 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）

  5. 占空比小于0.1%水印签字*西安天光测控*水印签字

  6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V

                                 100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美军标750
方法3473

  1. IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率

                             50~200A@0.5A分辨率

  1. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  2. VR/反向电压：20~1200V

  3. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。

  4. 占空比：＜1.0%水印签字*西安天光测控*水印签字

  5. TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us

  6. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

                                100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC

ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元   
美军标750，
方法3471

  1. 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率

  2. 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率

  3. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率

  4. 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字

  5. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

                         100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477

  1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字

  3. 电感：0.1mH至159.9mH

  4. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

  5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479

  1. *大电流：标配200A（选配1000A）

  2. 脉宽：1us~100us

  3. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

  4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元
JEDEC Std
JESD24-11

  1. Rg/栅电阻：0.1~100Ω水印签字*西安天光测控*水印签字

  2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏极偏置电压：1200V*大

  4. 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率

  5. 频率：标配0.1MHZ~1MHZ

电网环境

  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印签字*西安天光测控*水印签字


MOSFET动态参数测试仪主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。

 资料说明：

  • 对比内容：半导体分立器件动态参数测试系统

  • 对比厂商：美国ITC公司（下文简称ITC）、西安天光测控技术有限公司（下文简称西安天光）

  • 对比型号：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

   MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体”为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体”表示双方指标一致。

美国ITC公司
ITC57300		西安天光测控技术有限公司
ST-AC1200_X
基础能力*大输出能力：电压1200V电流200A*小时间测量值：1.0nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格高=76英寸宽=44英寸(包括显示器和键盘)深=50英寸(包括接收器)重=550磅ITC57210开关时间（阻性）测试单元美军标750方法为3472脉宽：0.1μs~10μs 步进0.1μs栅极电压±20V分辨率0.1V栅极电流*大1.0A漏极电流*大200A占空比小于0.1%VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V          100 V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57220反向恢复特性测试单元美军标750方法3473IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns StepsVR/反向电压：20~1200VIRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。占空比：＜1.0%TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0usVDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：1nc~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57230栅电荷测试单元美军标750方法3471栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率分辨率漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57240开关时间（感性）测试单元美军标750方法3477漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感：0.1mH至159.9mH栅极电压：±20V@0.1V分辨率漏极电压：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57250短路特性测试单元美军标750方法3479*大电流：1000A脉宽：1us~100us栅驱电压：±20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57260栅电阻结电容测试单元JEDEC StdJESD24-11Rg/栅电阻：0.1~50mΩ结电容参数：Ciss，Coss，Crss漏极偏置电压：1200V*大栅极偏置电压：±20V频率：0.1MHZ~4MHZ电网环境220V 50~60 Hz单相  可选择240V220V/12A  20A  30A水印签字*西安天光测控*水印签字基础能力*大输出能力：电压1200V电流200A*小时间测量值：0.1nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格单机尺寸：800×800×1800mm质 量：165kg系统功耗：200wST-AC1200_S_R开关时间（阻性）测试单元        美军标750方法为3472脉宽：0.1us~100us步进0.1μs栅极电压：0~20V，分辨率0.1V栅极电流*大10A漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）占空比小于0.1%VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V               100 V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_D反向恢复特性测试单元       美军标750方法3473IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns StepsVR/反向电压：20~1200VIRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。占空比：＜1.0%TRR/反向恢复时间范围：1ns~2usVDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_Q栅电荷测试单元   美军标750，方法3471栅极电流：0~10mA@10uA分辨率栅级电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_S_L开关时间（感性）测试单元美军标750，方法3477漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感：0.1mH至159.9mH   栅极电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电压：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_S短路特性测试单元美军标750，方法3479*大电流：标配200A（选配1000A）脉宽：1us~100us栅极电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_RC栅电阻结电容测试单元       JEDEC StdJESD24-11Rg/栅电阻：0.1~100Ω结电容参数：Ciss，Coss，Crss漏极偏置电压：1200V*大栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率频率：标配0.1MHZ~1MHZ（￥3W）0.1MHZ~4MHZ（￥15W） 水印签字*西安天光测控*水印签字电网环境AC220V±10%，50Hz±1Hz。


其它测试功能（加分项）

  • 雪崩特性测试单元

  • EAS

  • IAS

  • PAS

  • di/dt测试单元

  • dv/dt测试单元

  • 静态参数测试单元（可测试IGBT、MOSFET、二极管的静态直流参数）

  • 安全工作区/RBSOA

  • 热阻（包括稳态热阻和瞬态热阻）


产品系列

晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
动态参数（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
热特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
可测试 Si / SiC / GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs等功率器件


售后服务
保修期： 1年
是否可延长保修期： 是
现场技术咨询： 无
免费培训： 一次
免费仪器保养： 一年内
保内维修承诺： 维修
报修承诺： 跟技术协商
工商信息

企业名称

西安天光测控技术有限公司

企业信息已认证

企业类型

信用代码

成立日期

2018-05-03

注册资本

经营范围

工业电气产品及电力电子测控设备的研发、销售;功率半导体器件的开发设计;电力电子技术的技术转让;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

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西安天光测控技术有限公司

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西咸新区

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西安天光测控技术有限公司为您提供--IGBT开关参数测系统ST-AC1200_X，--ST-AC1200_X产地为陕西，属于其他，除了IGBT开关参数测系统的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多其他,天光测控客服电话，售前、售后均可联系。
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公司名称： 西安天光测控技术有限公司

公司地址： 西咸新区 联系人： 张先生 邮编： 710000

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