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生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统
型号/定义：ST-DC1520_FATL
ST-(Semiconductor Test) DC (Direct current) 1520 (1500V2000A）FATL（fully auto test line）
用于大功率 IGBTs模块静态直流参数测试，生产线全自动量产测试
1500V/2000A，短路电流2500A
? 功能单元概览
| 实景照片 | 结构单元 | 说明 |
 | 基础部分 | 产线架构，水印*西安天光测控*水印 |
| 伺服系统 | 整体系统的控制的电控系统水印*西安天光测控*水印 | |
| 输送单元 | 产线输送带及电机水印*西安天光测控*水印 | |
| 机械臂 | 通过往复运动取放被测模块水印*西安天光测控*水印 | |
| 预加热单元 | 加热模块水印*西安天光测控*水印 | |
| 冷却单元 | 同时带有风冷和水冷两套水印*西安天光测控*水印 | |
| 托盘 | 铝基板材质的托盘，针对DUT外观定制 |
? 量产测试简述水印*西安天光测控*水印
“生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统”人工操作部分只有两项（被测模块的“放”和“取”）。产线启动，先由工作人员将其被测模块放置在专用托盘内。放置模块的托盘被输送带输送至预加热区域进行加热。加热后输送将其输送至测试区，由测试臂识别抓取放置测试主机的托盘（测试主机的托盘会自动弹出）。测试主机托盘收回并关闭安全门进行电测试，测试完毕，弹出托盘，被测模块被机械臂抓取送至冷却区域，冷却区域提供风冷和水冷两种方式。冷却完毕，输送带将被测模块送至成品区，等待下一步工序。水印*西安天光测控*水印
? 产线测试能力水印*西安天光测控*水印
| 分类 | 项目 | 基础参考 | 实际响应 |
| 静态 | 电源 | 高稳定性 | 自主电源（高度适配，扩展灵活）； |
| 静态 | 电压等级 | 1500V | 1500V（支持扩展）水印*西安天光测控*水印 |
| 静态 | 电流等级 | 2000A | 2000A（支持扩展）水印*西安天光测控*水印 |
| 静态 | 测试时间 | 水印*西安天光测控*水印 |
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| 静态 | 机械动作时间 | 2s （设备移动；测试单元及DBC之间切换） | |
| 静态 | 测试产能 | 1000模块/D 水印*西安天光测控*水印 | 半自动，一次测一个上臂/下臂，换料30s, 一天按20h计算水印*西安天光测控*水印 DBC：3600/(42+30)*3=150DBC/H, 3600*20/(42+30)*3=3000DBC/D(设计一次放3个DBC) 模块：3600/(42+30) =50模块/H, (3600*20)/(42+30)= 1000模块/D |
| 静态 | 切换方式 （继电器或机械切换） | 水印*西安天光测控*水印 | 继电器切换水印*西安天光测控*水印 |
| Handler | 进出料机械控制方式 | 半自动 （手动放料、自动进出） |
|
| 温度 | 高温测试 | 200℃ | 高温支持室温到200℃，分辨率 0.1℃ |
| 温度 | 高温监控 | Tc监测 | 支持Ta, Tc监测；水印*西安天光测控*水印 |
| 温度 | 加热方式 | 水印*西安天光测控*水印 | 设备：自带可控型恒温加热板电加热； 模块：可代购或自购温箱； |
| 温度 | 升温、降温时间 | 水印*西安天光测控*水印 | 升温：20~30 min 降温：风冷20~30min; 自冷2~3h |
| 温度 | 温度控制精度 | 水印*西安天光测控*水印 | 常温-125℃±1.0℃ 125℃-150℃±1.5℃ 150℃-200℃±2℃ |
| 温度 | 温度校准 | /水印*西安天光测控*水印 | |
| 夹具 | DBC&模块 兼容性 | 切换时间小于30min | 响应，设计同时放两套夹具，无需手动换置； |
| 其它特性 | 水印*西安天光测控*水印 | /水印*西安天光测控*水印 |
? 技术规格
| 分类 | 测试指标 | 典型值 | 西安天光测控 | ||
| 测量范围 | 测量解析度和精度 | 测试条件 | |||
| 静态 | Kelvin contact | 四线开尔文接触检测 | 支持 | /水印*西安天光测控*水印 | / |
| 静态 | NTC测试 水印*西安天光测控*水印 | 5kΩ I=1mA | 支持 | /水印*西安天光测控*水印 | / |
| 静态 | 栅极-发射极漏电流IGES（正反） | 25℃：±45nA 150℃：±60nA (VGE = ±20V) | IGE: 0-10uA | IGE测试解析度：1nA IGE测量精度：+/-2%+/-5nA VGE输出精度：+/-2%+/-0.2V | Vge: +/-5-40V VCE: 0V tp（脉宽）: 40-100ms, |
| 静态 | 集电极-发射极电压BVCES 水印*西安天光测控*水印 | 25℃：750V 水印*西安天光测控*水印 | VCE: 0-1500V | VCE测试解析度：1V VCE测量精度：+/-0.5%+/-2V ICE输出精度：+/-5% VCE输出精度：+/-1%+/-1V | VGE=0V ICE: 0.1-100mA VCE max: 100-1500V tp（脉宽）: 5-200ms |
| 静态 | 集电极发射极饱和电压VCESAT 水印*西安天光测控*水印 | 25℃：1.45V 125℃：1.60V 150℃：1.65V （VGE = 15V; IC = 550A） | VCE: 0-10V | VCE测试解析度：1mV VCE测量精度：+/-1%+/-1mV IC输出精度：+/-3%+/-0.2A VGE输出精度：+/-2%+/-0.2V | VGE: 1-30V ICE: 2-2000A tp（脉宽）: 500us |
| 静态 | 集电极-发射极截止电流ICES 水印*西安天光测控*水印 | 25℃：<0.5mA 125℃：<20mA 150℃：10mA （VCE=750V） | ICE: 0-300mA | ICE测试解析度：ICE*大值的0.1% ICE测量精度：+/-2%+/-10uA VCE输出精度：+/-1%+/-1V IC*大值输出精度：+/-5% | VGE=0V VCE: 100-1500V ICE max: 0.1–100mA tp（脉宽）: 5 -200ms |
| 静态 | 栅极-发射极阀值电压测试VGETH | 25℃：5.9V (IC=20mA) 水印*西安天光测控*水印 | VGE: 0-20V | VGE测试解析度：5mV VGE测量精度：+/-1%+/-5mV IC输出精度：+/-3%+/-0.05mA | VGE=VCE ICE: 0.1mA –100mA tp（脉宽）: 2-10ms |
| 静态 | 二极管压降测试VF 水印*西安天光测控*水印 | 25℃：1.45V 125℃：1.50V 150℃：1.50V （IF=550A） 水印*西安天光测控*水印 | VEC: 0-10V | VEC测试解析度：1mV VEC测量精度：+/-1%+/-1mV IEC输出精度：+/-3%+/-0.2A | VGE=0V IEC: 2-2000A tp（脉宽）: 500us |
? 系统介绍
“生产线大功率IGBT模块静态参数全自动量产测试系统”主要针对半导体功率器件的静态参数测试而开发设计。通过DUT适配器的转换，可实现对各种封装形式的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs 等半导体器件的静态电参数测试，包括器件、模块以及DBC衬板和晶圆。水印*西安天光测控*水印
设备融入了自动化及智能化的设计理念及功能，支持批量上下料并进行全自动测试。用于规模化量产可节省人力并提高测试产能，适合产线量测以及器件研发设计阶段的实验室测试，设备由主控计算机操控，测试数据自动上传以及保存。测试能力包含输出特性、转移特性、击穿特性、漏电流、阈值电压、二极管压降等。产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃水印*西安天光测控*水印
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热特性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs 等功率器件
企业名称
西安天光测控技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
成立日期
2018-05-03
注册资本
经营范围
工业电气产品及电力电子测控设备的研发、销售;功率半导体器件的开发设计;电力电子技术的技术转让;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
西安天光测控技术有限公司
公司地址
西咸新区
客服电话
公司名称： 西安天光测控技术有限公司
公司地址： 西咸新区 联系人： 张先生 邮编： 710000
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