核心参数
加热方式: 其它
应用领域: 半导体
产地类别: 进口
沉积速率: 见资料
沉积薄膜种类: 见资料
控制气体: 见资料
背底真空: 见资料
工作气压: 见资料
内部尺寸: 见资料
系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF),可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。最大沉积尺寸为8英寸。
使用花伞式的阴极射频等离子源,压盘可由射频或脉冲直流控制,电阻加热,循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成,也可以选配流量计。
设备规格:
计算机控制的高品质沉积设备;
射频花伞喷淋头等离子源;
最大可沉积8英寸直径的薄膜;
RF偏压基底夹具;
水冷平台(water cooled platen);
一路载气和两路反应气通过流量计控制流量;
分子涡轮泵;
基本真空度10-7 Torr,200L/sec涡轮分子泵;
空气控制阀;
技术参数:
PECVD参数:
平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直径(Source diameter) 8英寸
气路数(No. of gas feeds) 4(2反应气,1载气,1排气)
源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调节
最高平板温度(Max. platen temp.) 400℃
射频电源(RF power supply source) 600瓦,13.5 MHz
射频偏置(RF bias) 300瓦,13.5 MHz
RIE参数:
电脑控制,全能自锁
电极: 8”
电极冷却: 水冷
流量计MFC数量: 标配4个
RIE腔体:铝制,13”直径大小
工作压力: 0.02-500 mTorr, 动态压力控制
射频电源: 13.5 MHz, 600 W ,带自动调频,
真空度 : 10-7 Torr 以上,配涡沦分子泵, Baratron and WR 真空规
N2 吹扫: 整个腔体和气路
气体分散: 喷淋头式
硅片装载Wafer Load: 手动,气动式掀盖放置
等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压,可以产生-400V 偏压
主要特点:
柜式PECVD/ RIE系统,电脑Lab View软件控制
PECVD 等离子体源:平面喷淋头射频电极产生离子源
流量控制 :4个流量计(MFC) (针对 PECVD: NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O)
PECVD样品台Platen : 8”不绣钢,可加热至300C,水冷,温度可控,可配射频偏压 (选配)
PECVD沉积腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ,不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上
PECVD沉积腔前门可视窗口(5“直径),手动门(8”直径),和10“法兰,硅片在开门后手动放置
RIE腔体尺寸: 13” 直径,铝材质,掀盖式放置,气动式开门, 工作压力 : 0.02 to 1 Torr
铝质射频台,最大至8”硅片,水冷,(冷却器未包括,需要用户提供)
喷淋头式气体分散
配加热工作时使用Baratron真空计(用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空计(用于RIE & PECVD)
3个流量计(MFC),用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自动过程压力控制
VCR接头和 Nupro阀门 , 氮气线吹扫,电脑控制质量流动控制器(MFC)
德国普发公司TPH261PC型200L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用
射频供电: 600 W,13.5MHz 带自动调频。接入电源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,
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企业名称
深圳市科时达电子科技有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
440300215081067
成立日期
2020-10-20
注册资本
100
经营范围
电子产品销售;光电子器件销售;半导体器件专用设备销售;第一类医疗器械销售;卫生用品和一次性使用医疗用品销售;国内贸易代理;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动),许可经营项目是:第二类医疗器械销售;货物进出口;技术进出口。
深圳市科时达电子科技有限公司
公司地址
深圳市光明区公明街道上村社区水贝北路大新华达工业园3号厂房203
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