指定位点的化学掺杂在有机半导体晶体表面的电子分布表征解决方案
本文描述了一种独特的、特定位点的n型掺杂机制,用两种有机半导体的单晶做实验,用特定位点的兴奋剂消除电子陷阱并增加背景电子浓度,使晶体拥有更优异的导电性。掺杂晶体组成的场效应晶体管(FET)的电子传输特性得到显著改善。增强了FET的电特性。表面化学掺杂是专门针对晶体层间边界,即已知的电子陷阱,钝化陷阱并释放流动电子设计的掺杂方法。化学方法掺杂对晶体的电子传输的影响是巨大的,FET中电子迁移率增加了多达10倍,并且其与温度相关的行为从热激活转变为带状。研究结果表明新的位点掺杂有机半导体的策略与传统的随机分布取代的氧化还原化学不同, 这个有趣的结果表明针对特定位点的掺杂可能是一种富有成效的新的有机半导体材料掺杂的策略,拓展了有机半导体材料在电子学方面的应用前景。