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SiC外延片测试方案

2023/03/15 16:07

阅读:114

分享:
应用领域:
半导体
发布时间:
2023/03/15
检测样品:
光电器件
检测项目:
SiC外延片测试方案
浏览次数:
114
下载次数:
参考标准:
/

方案摘要:

外延材料是实现器件制造的关键,主要技术指标有外延层厚度、晶格布局,材料结构,形貌以及物理性质,表面粗糙度和掺杂浓度等。本文介绍了关于以上指标的测试解决方案。

产品配置单:

分析仪器

布鲁克 扫描探针显微系统 Dimension Icon

型号: Dimension Icon

产地: 美国

品牌: 布鲁克

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布鲁克X射线衍射仪 D8 ADVANCE

型号: D8 ADVANCE

产地: 德国

品牌: 布鲁克

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布鲁克INVENIO傅立叶变换红外光谱仪

型号: INVENIO

产地: 美国

品牌: 布鲁克

¥50万 - 100万

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方案详情:

SiC由于其禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数低等特点,在高频、高功率、耐高温的半导体功率器件和紫外探测器等领域有着广泛的应用前景,特别是在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎。

       外延材料是实现器件制造的关键,主要技术指标有外延层厚度、晶格布局,材料结构,形貌以及物理性质,表面粗糙度和掺杂浓度等。本文阐述了SiC外延表面常见的测试手段。


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