上两节分享了硬X射线光电子能谱(HAXPES)的相关知识和优势，可以看到HAXPES采用更高能量X射线，不仅在界面结构的探测上展示了独特的优势，还将探测信息延伸至更深的芯能级，这些优势将为科学研究和产业应用提供强有力的支撑。错过上面两节内容的小伙伴，可以通过本节内容下方的链接进行回顾。X射线作为探测物质结构的探针，而同步辐射在X射线波段具有高亮度和能量连续可调的优势，促进了HAXPES相关技术的发展，所以本节内容将和大家分享基于同步辐射的HAXPES (synchrotron-based HAXPES) 的相关知识。Part 3基于同步辐射的HAXPES(synchrotron-based HAXPES)1. 同步辐射原理：首先同步辐射光本质上是一种电磁辐射，也可以说是一种“光”。如图1动画所示，同步辐射装置一般由电子枪（Electron Gun）、电子直线加速器（Linear Accelerator）、增能环（Booster Ring）、储存环 (Storage Ring)、光束线 (Beamline) 和实验站 (Experimental Station) 等构成。电子枪产生的电子束团经由直线加速器加速注入到增能环，再经由增能环加速至趋近光速然后注入储存环。接近光速运动的电子在弯转磁铁的作用下，在环形的储存环中做回旋运动。根据电动力学定理，当电子运动方向发生改变时，在运动切线方向会产生电磁辐射。由于这种辐射最初是在电子同步加速器上观测到的，因而被命名为“同步辐射”。产生的同步辐射光经由光束线进行聚焦和单色化后引入到实验站。图1. 同步辐射光产生原理示意图2. 同步辐射优势：与常规光源相比，同步辐射装置产生的同步辐射光具有独特的优点：高亮度：同步辐射光源具有很高的辐射功率和功率密度。如图2所示，第三代同步辐射光源的X射线亮度是X光机的上亿倍，因此可以用来做许多常规光源所无法进行的工作。例如用X光机拍摄一幅晶体缺陷照片，通常需要7-15天的感光时间，而利用同步辐射光源只需要十几秒或几分钟，工作效率提高了几万倍。宽波段：如图3所示，同步辐射光的波长覆盖面大，具有从红外线、可见光、紫外线、软X射线一直延伸到硬X射线波段范围内的连续光谱，并且能通过单色化获得特定波长的光。高准直：同步辐射光的发射度极小，利用光学元件引出的同步辐射光具有高度的准直性，经过聚焦，可大大提高光的亮度，从而进行极小样品和材料中微量元素的研究。脉冲性：同步辐射光是由与储存环中周期运动的电子束团辐射发出的，具有纳秒至微秒的时间脉冲结构。利用这种特性，可研究与时间有关的化学反应、物理激发过程和生物细胞的变化等。偏振性：储存环发出的同步辐射光具有线偏振性或圆偏振性，可用来研究样品中特定参数的取向问题。图2. 同步辐射光源亮度与常规光源比较图3. 各种光源的能量和波长分布范围光是人们进行观察及研究自然的重要工具，其中X射线作为探测物质结构的探针为科学研究提供了丰富的探测和分析手段。同步辐射提供的优质光源，可以在能量、空间和时间等维度上获得更好的分辨能力和更高的实验效率。同步辐射装置作为高品质 “巨型X光机”，通过探究同步辐射光和物质相互作用（包括了散射、衍射、折射、反射、吸收和荧光过程等）(图4)，推动了实验方法不断发展，成为了探测微观世界的“超级显微镜”。图4. 同步辐射光与物质的相互作用3. 同步辐射的发展自1947年在电子同步加速器上首次观测到同步辐射以来，同步辐射光源经历了四代发展阶段：第一代同步辐射光源“寄生”在用于高能物理实验的对撞机，是高能物理实验为主的兼用光源。第二代同步辐射光源是为同步辐射应用专门建造的，使用了少量的插入件，加速器的设计也是以优化同步辐射光性能为基础。第三代同步辐射光源对电子束发射度进行优化设计，同时使用大量插入件，得到亮度更高的同步辐射光。 第四代是以衍射极限环为代表的同步辐射光源，具有极低的水平发射度和极高的空间相干性，亮度相对三代光源提升了2—3个量级。同步辐射光源已经成为前沿科学研究中最为有力的综合研究平台，世界各国都在加大对同步辐射装置的建设投入。如图5所示，目前世界上有超过50台同步辐射光源处于运行状态，使得同步辐射成为世界上数目最多的大科学装置。例如国际上的欧洲同步辐射装置（ESRF）、美国先进光子源（APS）和日本超级光子环（SPring-8）等第三代同步辐射光源，瑞典MAXIV 光源第四代同步辐射光源，为科学研究和工业应用提供了强大的支持能力。目前国内的同步辐射装置包括北京同步辐射装置（BSRF，第一代同步辐射光源）、合肥同步辐射光源（NSRL，第二代同步辐射光源）、上海光源（SSRF，第三代同步辐射光源）以及正在建设的北京高能同步辐射光源（HEPS，第四代同步辐射光源）。图5. 世界同步辐射装置分布图[1]4. 基于同步辐射的HAXPES尽管硬X射线光电子能谱(HAXPES)理论上具有很多优势，但是HAXPES要得到充分应用的前提是谱图信号的强度和能量分辨率必须要满足组分和化学态分析要求。在HAXPES发展初期的实验室硬X射线光源存在亮度低和线宽大的问题，限制了该技术的适用性和发展。同步辐射光具有亮度高和能量连续可调的优势，特别是第三代同步辐射光源可以为HAXPES提供优质硬X射线源。如图6所示，基于同步辐射的HAXPES线站的数量逐年增加，能为用户提供的机时也在逐年增加，但是面对广大的需求而言还是杯水车薪。图7总结了截至2020年11月全球在运行的24 条HAXPES 光束线的详细参数。可以看到，绝大多数硬X射线都是由插入件（ID）引出，因此可以获得较大的光通量。大光通量有助于提高了XPS信号强度，这是同步辐射硬X射线的一个优势，但应该引起注意的是，在研究容易受到辐射诱导损伤的材料时，较低的通量密度可能是优势。另外，表中的所有光束线都是使用双晶单色器 (DCM)，这样可以实现高能量分辨率。由于同步辐射光具有能量连续可调的优势，不同光束线的X射线能量范围有较大不同，大部分光束线的最低能量是从4 keV开始，也有部分光束线的最低能量覆盖到了软X射线波段。由于同步辐射光具有高准直性，这些同步辐射HAXPES的束斑尺寸以小束斑为主，这为小尺寸样品的测试提供了便利。同时相应实验站提供了多种样品处理设施，例如溅射、退火和样品沉积功能，部分实验站还具备原位（operando）实验条件，可以实现固气界面或固液界面原位动态测量。图6. 在运行的同步辐射HAXPES 线站的增长情况[2]图7. 基于同步辐射的HAXPES 实验站汇总[2]同步辐射装置还在不断新建或者升级中，未来将有更多的HAXPES线站建成。上海光源(SSRF) 目前正在调试BL20U能源材料线(Energy material beamline, E-line)，光子能量范围为130 eV-18 keV，结合了软、硬 X 射线技术。如图8所示，E-line采用两线三站布局，其中软、硬X射线合支线光子能量设计范围为130 eV 至 10 keV，逃逸电子动能范围为100 eV 至 10 keV，探测深度从亚纳米到百纳米，将是国内同步辐射光源中的第一条HAXPES 光束线，具备开展真空HAXPES和近常压XPS的能力。正在建设的北京高能同步辐射光源 (HEPS)属于第四代光源，具有更高的亮度和相干性，将为 HAXPES 带来了新的发展机遇。图8. 上海光源(SSRF) E-line光束线总体布局图[3]小结：同步辐射装置作为高品质“巨型X光机”，被誉为探测微观世界的“超级显微镜”。在同步辐射技术的加持下，硬X射线光电子能谱（HAXPES）的发展逐步加速，在界面结构的探测上展示了独特的优势，必将迎来科学研究和产业应用中的巨大的需求。但是遗憾的是，目前世界上仅有的20多条HAXPES专用同步辐射线站所提供的机时远远不能满足用户的需求，所以发展实验室硬X射线光电子能谱（Lab-based HAXPES）势在必行。撰写：鞠焕鑫博士HAXPES (Cr Kα & Al Kα)-Beyond the Top Surface Analysis请锁定我们的公众号更新，下一节，将分享Lab-based HAXPES相关设备技术信息。*参考资料：[1] M.E. Couprie, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 196, 3-13 (2014)  [2] Curran Kalha et al., J. Phys.: Condens. Matter. 33, 233001(2021) [3] Chen, ZH et al., Nuclear Science and Techniques. 29, 26 (2018).往期回顾◆表面分析技术漫谈：Lab-based HAXPES①◆表面分析技术漫谈：Lab-based HAXPES②

Part 2HAXPES的优势是什么？上一节，分享了硬X射线光电子能谱(HAXPES)相关基础知识，我们了解了 HAXPES 是采用高能量X射线（~5-10 keV）激发的XPS谱学技术，由于出射的高动能光电子具有更大的非弹性平均自由程，所以HAXPES可以将常规XPS的探测深度（接下来，我们来看一下更深电子逃逸深度可以为我们的表面分析带来什么机会：    1.  HAXPES为界面层的探测提供了更多的可能。基于Al Kα射线的常规XPS非常表面灵敏，一般认为其探测深度小于10 nm，而很多膜层结构的厚度又大于10 nm，所以采用常规XPS对膜层结构进行深入研究时会受到探测深度的限制。在实际的膜层结构研究中，埋层界面（Buried interface）的研究广泛存在，例如位于表面包覆层下的电子层和多层膜结构中的界面层。相比软X射线XPS，HAXPES可以在不损坏样品的情况下得到更深层的样品资讯。例如相比常规 Al Kα XPS，基于 Cr Kα 的HAXPES具有3倍以上的探测深度，对于硅材料而言，Al Kα XPS的探测深度约为10 nm，而Cr Kα XPS的探测深度接近30 nm。如图1所示，对于25 nm SiO2/Si样品，Al Kα XPS仅可以探测到表面SiO2组分，而Cr Kα XPS除了探测到表面SiO2组分外，还可以探测到25 nm SiO2以下的单质Si层。可见HAXPES具备了由表及里的无损深度分析能力，适合于多膜层结构中的界面层组分和化学态的分析。图1. 分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源测试25 nm SiO2/Si的XPS结果。[1]     2. HAXPES减少了表面污染对光电子信号的影响。表面灵敏是XPS分析技术的优势，但有时优势也会成为枷锁。为了得到更好的XPS信号质量，测试XPS一般都会要求材料表面清洁和无污染。但是，很多实际材料在制备和加工过程中会使用到表面活性剂、粘胶、脱模剂或者润滑剂等，样品表面形成的污染层会对常规XPS的信号有很严重衰减。由于HAXPES具有更大的探测深度，污染层所占的比例减少，XPS的信号衰减明显减弱。图2. 分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源测试不锈钢样品。[2]    3.  HAXPES结合离子刻蚀，可以对较厚膜层结构进行无损深度分析。离子束刻蚀是深度分析（depth profile）中常用的方法，通过XPS采谱和离子束刻蚀交替进行来实现对样品在深度方向上的组分和化学态解析。我们已经意识到离子束刻蚀可能会存在择优溅射的问题，对组分和化学态产生破坏。离子束除了将样品表面原子层溅射掉，但是要注意的是溅射离子也会有一定的穿透深度，会对表面以下造成一定的损伤。溅射离子的损伤深度主要取决于离子束溅射参数和材料特性，对于常用的单原子Ar+ 离子束，能量在2-5 keV时的损坏深度范围在 5-12 nm。为了可以在溅射离子束破坏埋层界面前获得XPS数据，相应XPS的探测深度必须比溅射离子的损伤深度更大才行。因此，为了高效、准确地对埋层界面进行化学分析，所分析的光电子必须来自离子束损伤层以下，XPS的探测深度要达到15 nm 或以上的深度。对于表面膜层厚度为10-20 nm的样品，可以直接使用HAXPES研究膜层以下的界面。对于表面膜层厚度为几十纳米，超出HAXPES探测深度的，可以先借助离子束对膜层减薄至十几纳米，在溅射离子束破坏埋层界面前，HAXPES就可以探测到表面膜层以下的界面得组分和化学态信息。如图3所示，对于100 nm Pt/TiO2样品，需要对TiO2层进行研究。由于表面Pt层较厚，远远超出了HAXPES的探测深度，所以要采用离子束对Pt层减薄。为了得到足够强的XPS信号，Pt层需要减薄至相应Ti 2p光电子非弹性平均自由程的1.5倍。对于Al Kα XPS，Pt层需要减薄至2.25 nm；对于Cr Kα XPS，Pt层需要减薄至6.75 nm。即使对于能量仅为500 eV的Ar+离子束，其损伤深度接近4 nm，和Al Kα XPS探测深度相当。从Ti 2p谱图可以看出，基于Al Kα XPS的减薄方案的Ti 2p谱图中有明显被还原的Ti 3+；基于Cr Kα XPS的减薄方案的Ti 2p谱图中没有观察到化学破坏的现象，这是因为Cr Kα XPS探测深度较大，可以保留足够厚度的Pt层，阻挡了离子束对TiO2层的破坏。图3. 对100 nm Pt/TiO2采用离子束减薄后，分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源测试Ti 2p谱图。[1]     4. HAXPES助力原位(Operando)技术发展传统XPS的测试一般是超高真空或高真空环境下进行，近年来发展的近常压光电子能谱(Near-ambient pressure x-ray photoelectron spectroscopy, NAP-XPS)可以在近常压条件下进行光电子能谱测量。HAXPES具有更大的探测深度的优势，将提升近常压 XPS 下对固-气、固-液界面的原位测试能力。如图4所示，在1 nm Fe界面层上分别覆盖 10 nm、20 nm 和 30 nm 不同厚度的碳层，软件模拟结果显示采用不同X射线能量会对XPS界面研究有着不同的效果。从模拟曲线上可以看到，如果表面覆盖的碳层厚度是 20 nm，XPS采用 4-5 keV的X射线能量可以得到的界面 Fe 2p 的信号最优。随着X射线能量的增加，出射光电子的非弹性平均自由程虽然增加，但是光电离截面却减小。在固液界面原位测试中，电极表面的电解液膜厚在 10 nm 到 30 nm左右，所以HAXPES在固液界面原位研究时具有独特的优势。图4. 1 nm Fe界面层上覆盖不同厚度碳层，采用不同X射线能量激发的Fe 2p信号强度。[3]此外，除了更大的探测深度，HAXPES所采用的更高能量X射线可以激发原子更深的芯能级。这为表面组分和化学态分析带来了以下的好处：1.  获得了更多的芯能级信息，可以为复杂化学态的解析提供更多信息。图5展示了过渡金属元素（左图）和镧系元素（右图）不同芯能级被激发所需的能量。采用高能量硬X射线可以激发更深的能级，研究发现对于某些过渡金属元素，芯能级1s的XPS谱图相比2p谱图可以给出更具特征的结构。如图6所示，常规Al Kα测试Ag元素时，可以检测到的芯能级主要包括3s、3p和3d，而采用Cr Kα HAXPES测试时，可以额外增加对2s和2p这样更深芯能级的测试。图5. 不同芯能级被激发所需的能量。[4]图6. 不同芯能级被激发所需的能量。[1]     2.  单一元素的测试也可以实现深度分析。如前所述，HAXPES可以探测更多的芯能级，这样同一元素内不同电子跃迁覆盖了很大能量范围。例如，对于Ti元素，Cr Kα HAXPES不仅可以测试Ti 2p 芯能级（结合能约为456 eV），还可以测试Ti 1s芯能级（结合能约为4968 eV）。Ti 1s对应的光电子的动能约为444 eV，其对应的取样深度约为3 nm，而Cr Kα X射线激发的Ti 2p光电子的动能更高（约为4950 eV），其对应的取样深度约为21 nm。如图7所示，对于TiN样品，Cr Kα HAXPES测试的Ti 1s谱图更加表面灵敏，可以看到TiN薄膜表面有明显的氧化层（TiO2）；Ti 2p谱图则相对“体相”灵敏，可以看到TiN薄膜内部主要是TiN组分。HAXPES可以对元素不同芯能级的探测来实现深度分析，可以应用于对样品梯度浓度、偏析和氧化等现象的研究。图7.  Cr Kα  HAXPES测试TiN样品的Ti 1s和Ti 2p芯能级。[5]     3.  避免俄歇谱峰重叠影响。在光电效应退激发过程中会有俄歇电子的产生，所以在XPS谱图中除了芯能级谱峰外，还存在着俄歇谱峰。大多数俄歇跃迁的动能是低于2000 eV，因此它们在常规XPS谱图中的结合能范围为0-1400 eV，会有俄歇谱峰与芯能级谱峰重叠的问题。我们知道俄歇电子跃迁的动能与入射X射线的能量无关，当使用较高激发能量的HAXPES，俄歇电子跃迁的动能虽然保持不变，但是在谱图中的结合能会位移到较高的数值，这样可以避免与芯能级谱峰的重叠。如图8所示，当使用Al Kα XPS测试含Mn和Ni元素样品时，Mn和Ni的2p谱峰与它们的LMM俄歇跃迁重叠严重，会影响定性和定量分析。当使用Cr Kα XPS测试时，Mn和Ni的LMM俄歇谱谱峰移动到高结合能端，远离了相应的2p谱峰，这样可以进行更为准确的定性和定量分析。图8. 分别采用Al Kα 和Cr Kα X射线源Ni 2p和 Mn 2p。[2]小结：HAXPES凭借更高能量的X射线，不仅在界面结构的探测上展示了独特的优势，还在探测信息上延伸至更深的芯能级。HAXPES将为科学研究和原位技术发展提供强有力的支撑。撰写：鞠焕鑫博士HAXPES (Cr Kα & Al Kα)-Beyond the Top Surface Analysis请锁定我们的公众号更新，下一节，将分享HAXPES相关设备技术信息。*参考资料：[1]https://www.phi.com/surface-analysis-equipment/quantes.html[2]https://www.phi.com/surface-analysis-techniques/surface-analysis-spotlight.html#haxpes[3]Axnanda,S.,Crumlin,E.,Mao,B.et al.,Sci Rep 5,9788(2015)[4]Curran Kalha et al.,J.Phys.:Condens.Matter.33,233001(2021) [5]O.Renault,E.Martinez, C.et al.,Surf.Interface Anal.50,1158 (2018)往期回顾◆表面分析技术漫谈：Lab-based HAXPES①

硬X射线光电子能谱(Hard X-ray photoelectron spectroscopy, HAXPES)：近些年，硬X射线光电子谱已经崭露头角，成为了众多分析方法中常用的实验技术。如图1所示，HAXPES已经广泛应用于薄膜材料/器件、能源环境、凝聚态物理和催化等科学研究领域。早期的HAXPES主要是基于同步辐射装置发展起来，伴随着同步辐射光源、光束线和能量分析器的发展，HAXPES相关装置得到了快速发展，目前世界上有着20多条HAXPES专用同步辐射线束线/实验站。在过去的3-4年，由于实验室硬X射线光源的发展，实验室HAXPES设备也得到了新发展，比如PHI Quantes，展现出了独特的优势。借助HAXPES实验方法所发表的学术文章在数量和引用率保持着持续增长。在本期表面分析技术漫谈中，我们一起回顾一些HAXPES相关基础知识。图1. HAXPES应用领域[1]图2. Web of Science检索HAXPES发表文章情况[1]Part 1什么是HAXPES?首先，依据X射线的能量大小，X射线通常分为软X射线（soft X-ray）、中能X射线（Tender X-ray）和硬X射线（Hard X-ray）。具有较低光子能量（~100 eV-3 keV）的X射线通常称之为软X射线，而具有较高的光子能量（~5-10 keV）称之为硬 X射线，光子能量在3-5 keV范围的X射线有时也被称之为中能X射线。硬X射线可以通过中/高能同步辐射光源获取，也可以通过高能电子束轰击Cu、Ga或Cr阳极靶产生。图3. 不同能量的X射线所对应的能量范围[2]其次，高能量的硬X射线激发源具有什么独特优势？众所周知，X射线光电子能谱 (X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)是实验中常用的表面分析方法，其原理是基于光电效应，如图4所示：X射线照射固体表面时，原子内部的电子吸收X射线能量被激发成自由电子，通过能量分析器可以获得出射电子的动能和计数，最终得到XPS谱图。根据光电效应方程：式中，KE 是XPS中出射光电子的动能，由入射X射线的能量hν、光电子的结合能BE 和仪器功函数Φsp 来决定的。已知常规XPS采用单色化Al Kα X射线能量是1486.6 eV，所出射光电子的动能在0-1400 eV范围内。依据非弹性平均自由程普适曲线，在这一能量范围电子的IMFP值最小，所以说常规XPS非常表面灵敏，一般认为探测深度小于10 nm。图4. XPS中光电效应示意图[3]图5. 非弹性平均自由程（IMFP）普适曲线对于特定元素的芯能级电子的结合能是固定值，通过光电效应方程可见随着激发X射线能量增加，出射电子的动能也会增加，从图5的非弹性平均自由程（IMFP）普适曲线可以看到高动能电子有较大的非弹性平均自由程(IMFP)。HAXPES采用硬X射线作为激发光源，相应的出射电子的动能增加，可以获取的取样深度更大。PHI Quantes 硬X射线光电子能谱仪不仅具备了高能硬X射线源Cr Kα (hν=5414.7 eV)，同时还结合了传统的单色化软X射线源Al Kα (hν=1486.6 eV）。如图6中垂直线标记所示，使用Cr Kα作为X射线激发源时，Si 2p电子的非弹性平均自由程是9.5 nm ，而使用Al Kα作为X射线激发源时，Si 2p电子的非弹性平均自由程仅是3.3 nm。一般认为XPS的探测深度是相应非弹性平均自由程的3倍，可见对于Si 2p，Al Kα XPS的探测深度约为10 nm，而Cr Kα XPS的探测深度接近30 nm。图6. 不同能量的光电子在Si/Ti/Cu/Ag材料中的非弹性平均自由程[2]小结：硬X射线光电子能谱(HAXPES)是采用高能量X射线（~5-10 keV）激发的XPS谱学技术，由于出射的高动能光电子具有更大的非弹性平均自由程，所以HAXPES可以将常规XPS的探测深度（撰写：鞠焕鑫博士PHI Quantes 是商业自动化，基于实验室高通量的Cr Kα HAXPES。请锁定我们的公众号更新，下一期将带你探索HAXPES的优势！*参考资料：[1]Curran Kalha et al 2021 J. Phys.: Condens. Matter 33 233001 [2]https://www.phi.com/surface-analysis-techniques/surface-analysis-spotlight.html#haxpes[3]http://bl8.lbl.gov/staff/Yang.html扫描加入表面分析群

X射线光电子能谱（XPS）是利用X射线入射样品表面，通过探测出射的光电子来获取样品表面组成和化学态信息的一种表面分析方法。特别是PHI XPS的小束斑微区分析功能，使得样品表面组分和化学态的空间分布分析成为可能，微区XPS已经广泛地应用于材料、能源、催化、微电子以及半导体产业等领域中，对于理解其中的构效关系起到重要的作用。在X射线光电子能谱仪领域，PHI研发了独具特色的扫描聚焦型XPS，X射线束斑优于7.5 um，实现了对样品的元素组分及化学态微区分析功能，同时束斑可调的特点也兼顾了对常规样品的测试，成为科学研究、质量控制和失效分析等领域的利器。PHI一直致力于为用户提供最先进的表面分析技术，在技术创新的道路上从未停歇，努力为用户提供从小束斑微区分析到大束斑高通量分析的完美XPS仪器。2021年7月23日,PHI CHINA将开展 “PHI 新品发布，持续创新”网络会议，由PHI CHINA的总经理叶上远先生为大家介绍目前最新、最尖端的研究成果：全新一代XPS，以及现场互动问答环节；同时PHI CHINA的应用专家鞠焕鑫博士将会进行“XPS技术创新助力产学研科技创新”的主题报告。参与方式1、时间：2021年7月23日 周五10:00-11:002、观看直播：点击链接进行观看：https://live.bilibili.com/21820621或者扫描下方二维码进行观看:微信扫码加入表面分析群

招聘启示recruitment notice应用工程师2名岗位职责1、负责表面分析设备的操作；2、对样品进行XPS/AES/TOF-SIMS测试，并撰写测试报告； 3、为客户提供关于设备的技术培训和相关问题咨询服务；  4、保持与客户沟通，做好客户咨询的及时反馈并积极跟进；5、及时完成领导安排的工作。岗位要求1、本科以上学历，理工科相关专业毕业，材料、化学和物理等专业优先；2、普通话流利且有一定的英语能力；3、责任心强，动手能力强，能独立工作，独立解决问题；5、沟通能力好，善于学习，乐于分享，具有良好的团队合作意识；Base:南京服务工程师2名岗位职责1、完成仪器的安装、调试、培训、验收工作，需要有较强的沟通、表达、协调能力。2、客户现场完成仪器的维修、维护工作，需要有较强的动手能力。3、对客户进行仪器培训、指导和应用问题解疑。4、及时与客户沟通，做好客户咨询的信息反馈及后续跟进的支持服务。5、每日报告维修和维护工作情况。职位要求1、研究生以上学历，理工科相关专业毕业，电子、机械、材料、化学、物理、冶金等专业优先；2、普通话流利且有一定的英语能力；3、责任心强，能够承受较大工作压力，并能适应长时间出差工作；4、动手能力强，能独立工作，独立解决问题；5、沟通能力好，善于学习，乐于分享，具有良好的团队合作意识；Base:南京/广东寻找优秀的你福利待遇：1、带薪休假；2、五险一金；3、出国学习机会；4、组织员工旅游；5、健康体检。招聘联系人：凌女士简历投递至：may.ling@coretechint.com联系电话：010-62519668公司网址：www.phi-china.com.cn公司简介PHI (China) Limited高德英特(北京)科技有限公司(以下简称"高德")于2010年在北京成立。高德公司秉承"为一流的商业产品提供顶级的创新市场营销、售后服务和技术应用支持"的服务理念, 为全亚洲的客户提供服务和支援。高德作为ULVAC-PHI在中国地区提供销售及售后服务的唯一公司, 产品主要集中在表面分析仪器, 包括XPS、AES和TOF-SIMS, 同时也提供Ellipsometer、MBE、ALD等设备。高德可为客户提供从产品策略性营销规划到产品应用及售后服务的完整解决方案。高德凭借为客户提供业界最佳的产品和服务来为客户赋能，从而帮助客户创造最大价值。高德目前在中国已经建立起全方位销售网络，销售合作伙伴遍布全国，客户包括国内知名高校、科研院所以及高新技术企业等。高德技术人员皆具备多年使用超高真空和精密电子分析仪器的经验,售后服务网点和人员分布于全国各大区域，可在第一时间为客户提供及时、高效、完善的支持服务。

随着材料、新能源、微电子、信息产业及环保等高新技术的迅猛发展，表面科学目前已经成为国际上最为活跃的学科之一，对于表面分析技术的交流需求也日益增多。PHI-CHINA由此发起“表面分析技术与应用研讨会”，希望能为全国相关研究工作的科研人员搭建一个交流平台，分享最新科研成果和经验技术，以积极推动表面分析技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的交叉融合，拓展表面分析技术的应用领域，加强同行之间的交流与合作。经商定，为助力一流大学和一流学科建设，第三届表面分析技术与应用研讨会暨北京理工大学表面分析测试高端论坛定于2021年10月13日~16日在北京召开，会议由北京理工大学材料学院先进材料实验中心、北京理化分析测试学会表面分析技术委员会及PHI-CHINA联合主办，北京理工大学分析测试中心/微纳加工中心、北京理工大学物理学院量子物理实验中心协办。本次会议将邀请国内十几位表面分析领域知名专家学者分享学术报告，展示相关的新成就、新进展，探讨技术理论，共同提升理论与技术水平。热忱欢迎广大专家学者和科研人员积极参与会议，分享、交流、学习、创新。会议主题：XPS、AES、TOF-SIMS等表面分析测试技术表面分析技术及其在新材料中的应用新能源、新材料表征技术先进结构技术、前沿交叉科学中的表面分析技术应用表面分析科学在双一流建设中的作用等 会议形式：特邀报告专题报告参观考察 会议时间、地点：2021年10月13日（全天报道）2021年10月14~15日开会2021年10月16日参观考察北京市海淀区中关村南大街5号，北京理工大学(会议安排会根据疫情发展形势及相关政策要求做出实时调整) 会议费用：本次会议不收取会务费。参会人员住宿费用和交通费用自理。参会报名： 扫描下方二维码进行注册报名：   会务组联系方式：潘剑南 18612300780  nice.pan@CoreTechInt.com凌  媚 18612498200  may.ling@CoreTechInt.com吴  婷 18061250085  noreen.wu@CoreTechInt.com宋老师 13811665848 高老师 13488699859韩老师 15901039196 主办单位：北京理工大学材料学院先进材料实验中心北京理化分析测试学会表面分析技术委员会PHI-CHINA高德英特（北京）科技有限公司 协办单位：北京理工大学分析测试中心/微纳加工中心北京理工大学物理学院量子物理实验中心

随着材料、能源、微电子、信息产业及环境领域等高新技术的迅猛发展，表面科学目前已经成为国际上最为活跃的学科之一，对于表面分析技术的需求也日益增多。X射线光电子能谱(XPS)是一种有效的表面分析技术，已经广泛应用于基础科研、先进材料研制、高精尖技术等领域，促进了材料学的研究与发展。为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，同时加强同行之间交流与合作，展示相关的新成就、新进展，PHI CHINA在4月23日与常州大学材料科学与工程学院与共同承办了“材料表界面科学学术研讨会”。本次会议邀请了各高校老师做了非常专业且精彩的报告，并进行了网络直播,会议视频回放请关注微信公众号“PHI与高德”后进行查看。

PHI CHINA表面分析技术网络讲堂已经上线一年多的时间啦！在这一年多的时间里，PHI CHINA团队为大家分享几十场公益性的网络讲座，涵盖了XPS/AES/TOF-SIMS等多种表面分析技术的原理、技术特点和应用等。老师和同学们的关注和支持，时刻在激励PHI CHINA团队。我们将搭建更加专业的表面分析技术平台，为大家呈现更加丰富精彩的网络讲座。能源材料化学既是国家的重大战略需求，也是前沿科学研究领域，而且表面分析技术也是该领域研究的利器。基于此，我们将推出一系列能源材料化学专题的表面分析技术网络讲堂，涉及储能、催化和太阳能等相关科学问题和材料表征等。与此同时，我们邀请了能源材料化学领域内优秀科研学者嘉宾做客表面分析讲堂，共同探讨分析技术在科学研究中的应用。本期邀请的嘉宾是来自中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的沈炎宾研究员，她将为大家带来高比能锂电池界面化学方面的研究工作进展的精彩报告；同时PHI CHINA的应用科学家鞠焕鑫博士将为大家详细讲解微区XPS在电池界面研究中的应用。本次会议将在B站进行直播，并设置了非常精彩的抽奖活动等待大家哦！B站直播1、点击链接进入直播间观看：https://live.bilibili.com/218206212、扫描下方二维码观看本次会议直播，参与抽奖及交流互动！*互动抽奖，需注册B站账号并登陆哦~1转发集赞转发本篇推文至朋友圈集赞，集赞数达36个即可兑换实验服一件+测试狗XPS测试满200元减100元优惠券一份！(上限200名)2直播抽奖直播设有抢红包环节，手气最高的前三名可兑换小米旅行箱20英寸 皮卡丘定制款(价值329元)一个+测试狗XPS测试满200元减100元优惠券一份！3惊喜大奖转发集赞数最高者，可获得小米电动平衡车一台(价值1799元)！4兑奖注意事项1、关注"PHI与高德"公众号，在活动截止时间前将转发集赞截图发送至公众号后台。活动截止时间为4月28日中午12:00。2、本次兑奖限化学、理学、工学、材料、能源等相关科研人员参加，兑奖时需出示您的相关证明证件(学生证、员工证等)。*本活动最终解释权归本公司所有。特别鸣谢！测试狗·科研服务（www.ceshigo.com）拥有设备价值2000W+的自营实验室，以及市场化运营的“互联网+科研”平台，为广大科研人员提供材料测试、模拟计算、绘图润色等一站式科研服务。本次会议奖品由测试狗·科研服务赞助,感谢支持！

随着材料、能源、微电子、信息产业及环境领域等高新技术的迅猛发展，表面科学目前已经成为国际上最为活跃的学科之一，对于表面分析技术的需求也日益增多。X射线光电子能谱(XPS)是一种有效的表面分析技术，已经广泛应用于基础科研、先进材料研制、高精尖技术等领域，促进了材料学的研究与发展。为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，同时加强同行之间交流与合作，展示相关的新成就、新进展，常州大学材料科学与工程学院与PHI CHINA共同承办了“材料表界面科学学术研讨会”。本次会议主题将涵盖材料、能源、电池等科技领域，以高端学术交流为重点，强调前沿探索，促进学科建设发展与科技创新。PHI CHINA在此诚邀国内外相关高校和科研院所的科研人员、科学领域的专家学者、技术人员进行技术研讨，共商合作，共谋发展。会议指南时间：2021年4月23日地点：常州大学科教城校区科教会堂C座104承办方：常州大学材料科学与工程学院 & PHI CHINA会议签到：8:00-8:30在会议厅入口处住宿信息：参会嘉宾可自行预定酒店，或联系会务方协助预定。常州市武进高新技术产业开发区西湖路2号香格里拉大酒店 519-68898888*需要协助预定酒店请联系张斌老师（15915742584）。*本次会议不收取注册费；食宿交通费用自理。 参会登记请用微信扫描下方二维码进行注册登记  会务联系人：张伟 PHI CHINA                             电话：185 0008 4171                        邮箱：william.zhang@coretechint.com张斌  常州大学电话：159 1574 2584邮箱：msbinzhang@outlook.com  会议日程时间事项报告人主持人8:30-9:00领导致辞朱卫国 教授（常州大学材料学院院长）叶上远 总经理（PHI CHINA总经理）张斌9:00-9:20合影留念9:20-9:50邀请报告郝峰（电子科技大学，教授）报告题目：Film crystallization and   energetic alignment of halide perovskite solar cells保秦烨9:50-10:20邀请报告鞠焕鑫（PHI China，应用科学家）报告题目：XPS表面分析技术在材料科学研究中的应用10:20-10:40茶歇10:40-11:10邀请报告张学强（北京理工大学，教授）报告题目：原位光谱探索气固界面化学和电子结构11:10-11:40邀请报告王亚飞（常州大学，教授）报告题目：溶液加工型热活化延迟荧光材料的设计合成及其性能研究11:40-13:30午餐13:30-14:00邀请报告张益军（南京理工大学，副教授）报告题目：原位XPS/UPS表征在半导体光电探测材料制备研究中的应用郝峰14:00-14:30邀请报告鲁德凤（PHI CHINA，应用科学家）报告题目：二次离子质谱仪（TOF-SIMS   & D-SIMS）的主要技术能力以及在材料表征中的应用14:30-15:00邀请报告保秦烨（华东师范大学，教授）报告题目：光电子能谱与钙钛矿太阳电池的界面电子结构15:00-15:20茶歇15:20-15:50邀请报告吴启辉（集美大学，教授）报告题目：光电子能谱在嵌入反应和半导体异质结研究中的应用王亚飞15:50-16:20邀请报告张  亮（苏州大学，教授）报告题目：X射线谱学技术在钠离子电池的应用16:20-16:50邀请报告蒋君（常州大学，博士）报告题目：大面积柔性钙钛矿电池的低温工艺研究16:50-17:20参观设备 

随着科学技术的不断革新，先进的表面分析技术已经成为材料、能源、催化、微电子、半导体产业以及钢铁工业等领域研究表面特性所必需的实验技术。为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，同时加强同行之间交流与合作，PHI CHINA将在3月下旬开展用户线上交流会， 此次特别邀请了我们具有丰富测试经验的用户老师们，给大家带来XPS\AES\TOF-SIMS等在分析测试的应用及案例分享，绝对干货满满！具体日程请看下方海报：

ULVAC-PHI,INC.在表面分析领域有着50余年的发展历史，专注于高灵敏、高能量分辨和高空间分辨技术研发，开发了一系列具有独特技术优势的表面分析设备，包括X射线光电子能谱(XPS)、反光电子能谱(IPES)、俄歇电子能谱(AES)、飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)以及串联质谱(Tandem MS/MSMS)等，这些分析设备可以提供元素组分、化学态、电子结构和分子结构等关键信息，为表面特性研究及材料/器件性能提升起到了重要的作用。其中在X射线光电子能谱仪领域，PHI研发了独具特色的扫描聚焦型XPS，X射线束斑优于10 um，实现了对样品的元素组分及化学态微区分析功能，同时束斑可调的特点也兼顾了对常规样品的测试，成为科学研究、质量控制和失效分析等领域的利器。PHI一直秉持为用户提供最先进的表面分析技术的初心，在技术创新的道路上从未停歇，努力为用户提供从小束斑微区分析到大束斑高通量分析的完美XPS仪器。PHI CHINA在9月18日15:00-17:00举办了新的一期表面分析技术专题讲堂。高德英特中国区执行总监叶上远Wensly在“不忘初心，创无止境|PHI XPS-全面高性能电子结构综合分析平台”的主题报告中跟大家分享了PHI XPS的最新进展。同时，我们邀请的嘉宾华东师范大学的保秦烨教授，以“光电子能谱在有机光伏、钙钛矿光伏研究中的应用”为题，通过报告给大家介绍了UPS/XPS/IPES能谱技术，以及基于能谱技术在软物质光电材料(有机半导体，杂化钙钛矿)表/界面物性方面的研究进展。下面是本次报告的视频及PPT重点，记得点赞转发收藏哟~

ULVAC-PHI,INC.在表面分析领域有着50余年的发展历史，专注于高灵敏、高能量分辨和高空间分辨技术研发，开发了一系列具有独特技术优势的表面分析设备，包括X射线光电子能谱(XPS)、反光电子能谱(IPES)、俄歇电子能谱(AES)、飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)以及串联质谱(Tandem MS/MSMS)等，这些分析设备可以提供元素组分、化学态、电子结构和分子结构等关键信息，为表面特性研究及材料/器件性能提升起到了重要的作用。其中在X射线光电子能谱仪领域，PHI研发了独具特色的扫描聚焦型XPS，X射线束斑优于10 um，实现了对样品的元素组分及化学态微区分析功能，同时束斑可调的特点也兼顾了对常规样品的测试，成为科学研究、质量控制和失效分析等领域的利器。PHI一直秉持为用户提供最先进的表面分析技术的初心，在技术创新的道路上从未停歇，努力为用户提供从小束斑微区分析到大束斑高通量分析的完美XPS仪器。由PHI CHINA举办的新的一期表面分析技术专题讲堂，将于9月18日15:00-17:00开展。高德英特中国区执行总监叶上远Wensly将带来“不忘初心，创无止境|PHI XPS-全面高性能电子结构综合分析平台”的主题报告，跟大家分享PHI XPS的最新进展。同时，我们还邀请了华东师范大学的保秦烨教授作为嘉宾，将为大家带来“光电子能谱在有机光伏、钙钛矿光伏研究中的应用”的报告，主要介绍UPS/XPS/IPES能谱技术，以及基于能谱技术在软物质光电材料(有机半导体，杂化钙钛矿)表/界面物性方面的研究进展。参与方式时间：9月18日15:00-17:00腾讯会议：a.会议ID 515 857 566b.点击链接https://meeting.tencent.com/s/XCmHDdn8YiUrc.点击文末“阅读原文”B站直播：a.扫描二维码b.点击链接https://live.bilibili.com/21820621扫码加入表面分析群更多精彩、更多福利

随着科学技术的日新月异的发展，先进的表面分析技术已经成为材料、能源、催化、微电子、半导体产业以及钢铁工业等领域研究表面特性所必需的实验技术。在科学研究和产业领域，具备微区分析功能的表面分析技术对解决复杂问题具有重要作用。ULVAC-PHI,INC.在表面分析领域有着50余年的发展历史，专注于高灵敏、高能量分辨和高空间分辨技术研发，开发了一系列具有独特技术优势的表面分析设备，包括X射线光电子能谱(XPS)、反光电子能谱(IPES)、俄歇电子能谱(AES)、飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)以及串联质谱(Tandem MS/MSMS)等，这些分析设备可以提供元素组分、化学态、电子结构和分子结构等关键信息，为表面特性研究及材料/器件性能提升起到了重要的作用。ULVAC-PHI与PHI CHINA秉持以人为本，持之以恒的不断进步，致力于为科学领域的发展做出贡献。爱发科集团作为ULVAC-PHI,INC.的母公司，一直以在各领域获得广泛应用的真空技术为基础，不断追求开创精细加工工艺。长期以来，爱发科作为追求真空极限(Ultimate in Vacuum)的真空技术先驱，以电子技术以及信息通信技术为引导，以设备生产为中心，在能源、环保、运输、医药、食品、化工、生物工程等广阔的领域，提供先进的真空技术产品。2020年9月9-11日第22届中国国际光电博览会(CIOE)将在深圳国际会展中心(宝安新馆)举行，届时ULVAC集团将在3B64展位出展。爱发科针对光学仪器、光学镜头、光学镀膜技术及设备、光学加工设备、工业应用、蓝宝石及触摸屏制造，提出先进和前瞻性的技术理念，同时针对未来智能社会应用到的各种真空薄膜技术领域，推出配套设备解决方案。真诚地期待各位业界朋友莅临爱发科展位！PHI公司(Physical Electronics)自1969年成立，曾一度成为在美国PE(Perkin Elmer)公司的专业表面分析仪器部门，于2003年被日本真空ULVAC-PHI收购。ULVAC-PHI作为全球最专业的表面分析仪器制造商，拥有50余年的表面分析设备研发和生产历史，专注于研发生产表面分析仪器，其产品包括光电子能谱仪(XPS)，俄歇电子能谱仪(AES)，飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和动态二次离子质谱仪(D-SIMS)。PHI CHINA致力于为用户提供先进技术和优质服务，与大家携手推动表面分析技术的应用和发展。更多精彩、更多福利扫码加入表面分析群

随着材料、能源、微电子、芯片半导体、信息产业及环境领域等高新技术的迅猛发展，表面科学目前已经成为国际上最为活跃的学科之一，对于表面分析技术的需求也日益增多。X射线光电子能谱(XPS)是一种有效的表面分析技术，已经广泛应用于基础科研、先进材料研制和高精尖技术等领域，极大地促进了材料学的研究与发展。PHI X射线光电子能谱仪采用扫描聚焦型X射线，最小X射线束斑可以小于10um，同时还可以集成俄歇电子能谱(AES)，进一步将空间分辨能力提升到100nm。通过XPS和AES的结合，PHI XPS在材料表面化学成分分析、表面元素定性和半定量分析、元素深度分布分析及微区分析等方面都具有优越的表现。近日，深圳市八六三新材料技术有限责任公司购入了PHI 配备AES功能的X射线光电子能谱仪，并邀请PHI开展“质量控制与失效分析利器-PHI 5000 VersaProbe XPS/AES表面分析仪应用详解”网络会议，着重给大家介绍PHI XPS及AES在高科技产业中的质量控制和失效分析方面的应用。本次网络讲座将通过腾讯会议开展，同时在哔哩哔哩网站进行直播，在此欢迎大家积极参与，多多交流互动！会议参与方式1、时间：     9月4日（星期五）14：30-16：002、参与方式：腾讯会议 会议ID：186 341 371点击链接：https://meeting.tencent.com/s/7Pwp1jX8JdUcB站直播间扫描二维码关注直播间点击链接：https://live.bilibili.com/21820621深圳市八六三新材料技术有限责任公司简介　深圳市八六三新材料技术有限责任公司是2001年由国家科技部批准成立的国家级材料研发和分析检测机构，拥有XPS、SEM、XRD、XRF、EDX、SIMS、GC-MS、ICP、HPLC等数百台精密检测设备，设备原值4000多万元。具有中国合格评定国家认可委员会CNAS认可、计量认证CMA和国军标认证资质及武器装备科研生产许可证认证。设有博士后创新基地、广东省博士工作站、深圳市技师工作站，培养了一批经验丰富的高端人才；依托深圳市新材料行业协会及发起延伸成立的深圳市电池、真空技术、石墨烯、3D打印、建材、印刷电路板、光电材料等系列协会，与富士康、华为、中兴、比亚迪等超大规模企业建立业务合作。PHI公司简介PHI公司(Physical Electronics)自1969年成立，曾一度成为在美国PE(Perkin Elmer)公司的专业表面分析仪器部门，于2003年被日本真空ULVAC-PHI收购。ULVAC-PHI作为全球最专业的表面分析仪器制造商，拥有50余年的表面分析设备研发和生产历史，专注于研发生产表面分析仪器，其产品包括光电子能谱仪(XPS)，俄歇电子能谱仪(AES)，飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和动态二次离子质谱仪(D-SIMS)。PHI CHINA致力于为用户提供先进技术和优质服务，与大家携手推动表面分析技术的应用和发展。更多精彩、更多福利扫码加入表面分析群

应兰州大学化学化工学院吴剑峰老师邀请，PHI CHINA开展的“X射线光电子能谱之准原位/原位分析的研究应用专题”讲座在8月13日顺利结束了。X射线光电子能谱是利用X射线激发样品，探测样品表面出射光电子，来获得样品表面组成和化学态信息的分析技术。鞠焕鑫博士从XPS最核心的激发源X射线、研究对象和探测信息三个方面，系统地讲解了XPS最新的发展和应用：基于高能量X-ray的XPS的发展，不仅实现了无损深度分析，也为原位实验提供更多可能性；近常压XPS的发展及其在固-气界面和固-液界面的原位研究；小束斑的X-ray为不均匀样品和微区样品XPS分析提供了可能；XPS和外场环境(高温高压、电压和光照等)的结合，实现原位工况条件下测试；原位全面电子结构信息的探测，深入探索半导体样品特性。下面是本次讲座的PPT要点，快来与小助手一起回顾一下吧~☆课件已精简，欲了解更多请关注“PHI与高德”观看视频！

表面分析技术包括了飞行时间二次离子质谱、X射线光电子能谱等技术，在生物医药的研发以及生产过程中，对于药物、细胞等表面和一定深度的成份信息的表征具有非常重要的意义，也是生物医药领域必不可少的分析手段。无损三维成像技术主要包括X射线三维显微镜，可对样品内部结构与组分在三维空间进行的定量表征。为了促进表面分析技术与三维成像技术和生物医药领域的碰撞，产生出新的科学火花，PHI CHINA将联合仪器信息网、束蕴仪器和布鲁克，在8月28日13:30-17:30开展“表面分析&无损三维成像技术在生物医药领域的应用研究”会议。本次会议特设300个免费参会席位，有问必答。欢迎积极参与！主办单位：仪器信息网&束蕴仪器协办单位：高德英特(北京)科技有限公司&ULVAC-PHI&布鲁克会议日程※本次会议由仪器信息网&束蕴仪器主办，请参照参会指南进行报名！参会指南一、报名贴士（敷衍填写将不予审核） 1、请认真填写各项，您的手机号为您的参会凭证。2、报名后，参与直播可获取会后资料、加交流群。二、参会方式（手机电脑均可参会） 1、直播前一天，助教会统一审核。审核通过后，会发送参会链接给报名手机号。2、如无法正常参会，请“备注会议题目”加【微信wljt-02】，帮您解决。三、会议资料（交流群，会后视频） 1、报名并参与直播可与专家问答交流。会议群会在直播当天展示，会议ppt无法提供。2、关注“PHI与高德公众号”，获取会后回放视频。报名请点击链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/BM828/欢迎扫码加入"表面分析在生物医药领域应用"群

X射线光电子能谱仪是一种有效的表面分析技术，已经广泛应用于基础科研、先进材料研究、高精尖技术等领域。XPS作为表面分析领域重要的大型科学仪器，已经成为材料分析中离不开的利器，而XPS在准原位/原位上的分析应用，一直是大家做分析研究时关心的一个重点。为了促进大家对XPS准原位/原位分析有更深入、直观的了解，兰州大学化学化工学院的吴剑峰老师邀请PHI CHINA在2020年8月13日(星期四)开展“X射线光电子能谱之准原位/原位分析的研究应用专题”讲座。报告摘要如下：XPS在原位的4触点冷热样品台(原位通电和原位加热冷却)的详细介绍；可以实现高温高压的催化反应的准原位气体反应装置介绍；光催化研究(用卤灯或者其他光源辐照样品，实现准原位XPS/UPS/LEIPS测量)；原位的XPS、UPS、LEIPS及GCIB技术介绍；近常压XPS技术的介绍。此次讲座将由PHI CHINA应用科学家鞠焕鑫博士作为主讲，通过腾讯会议与大家进行交流讨论。届时欢迎大家积极参与，积极互动，让我们一起云学习吧！参与会议1、会议时间：2020年8月13日(星期四) 14:30-16:002、预约会议：a 腾讯会议 ID：116 594 336b 点击以下链接： https://meeting.tencent.com/s/48rg1TATHsXf更多资讯、更多福利扫码加入表面分析群

PHI CHINA“XPS秘笈分享连载(二)微区分析之精确导航-SXI第二节”网络讲堂在8月5日结束了，本次课程是继续以“SXI”为主题，延展第一课的内容，与大家分享了更多关于XPS分析实验的SXI功能。下面是当天直播的课件分享，快快收藏起来，查看更方便哦~

北京市新冠疫情目前虽已得到有效控制，但疫情的发展仍有很大的不确定性，防控不能松懈。为响应国家卫健委防控政策要求，避免人员密集、保障参会者安全，经高德英特(北京)科技有限公司会同北京理工大学材料学院学院分析中心研究决定，原定于2020年10月22-23日在北京理工大学中关村校区举办的“PHI CHINA 2020 表面分析应用与学术研讨会”将延期召开。具体召开时间，将根据疫情情况及相关部门要求另行通知。由此给大家带来的不便敬请谅解。特此通知！2020年7月24日长按识别扫描二维码关注“PHI与高德”

XPS作为一种重要表面分析技术，可以提供元素组分和化学态信息。XPS数据分析是至关重要的，一个不合理的分析过程或者参数设置就可能会导致结果出现较大偏差，最终影响结论的准确性和科学性。PHI MultiPak™是ULVAC-PHI公司基于MatLab开发针对XPS和AES的专业数据分析软件，采用先进的分析算法实现功能强大的数据分析，同时具有友好的用户界面，即使是新手也可以快速掌握基本操作。PHI MultiPak是目前XPS专业数据分析领域中使用最为广泛的软件之一，不仅数据处理功能强大，同时还集成了大量的标准图谱数据库，可以轻松的实现XPS谱图处理的一些常规功能，例如谱峰自动识别、化学态信息提取、定量分析结果一键输出和谱图分峰拟合操作等等。PHI MultiPak同时还整合了功能强大的高级算法工具，可以进行大量数据的批量处理和复杂图像处理，快速地执行对样品深度分析和元素Mapping的数据处理。  为答谢和回馈大家一直以来对我们的支持和热爱，我们特此推出诚意满满的重磅福利：“限时免费PHI MultiPak数据处理软件”。活动报名时间：即日起至2020年7月31日23:59止，对XPS数据分析有强烈兴趣的您不容错过！请按照以下方式进行报名，我们将在报名结束后通过Email发送安装链接，请务必提供准确的Email地址。如果在软件使用过程中有任何疑问，请在表面分析交流群内留言或者公众号内留言~ 谢谢!报名方式：1、 点击以下链接；https://www.wenjuan.com/s/J3q22yoI/2、 扫描下方二维码。除此之外更有精彩集赞得奖活动不容错过！！转发集赞奖励 关注公众号并转发本活动图文到朋友圈，把这个好消息告诉您身边的朋友并集赞，于2020年7月30日23:59前，将朋友圈点赞截图发至PHI小助手(微信号“PHI-CHINA”), 集赞数最高的前三名，可获得以下奖品：01第一名奖品：三个XPS测试(包含一个常规XPS测试，一个深度分析和一个微区XPS测试)02第二名奖品：两个XPS测试(包含一个常规XPS测试，一个深度分析或一个微区XPS测试)03第三名奖品：两个XPS测试(包含一个微区XPS测试)*活动最终解释权归PHI CHINA LIMITED拥有

本次网络课程的第一期在7月4日结束了，此次直播在讲解知识的同时与大家进行了积极互动，并且收到了广泛的好评。鞠焕鑫博士讲解的关于微区分析利器-SXI的使用秘笈，大家有没有Get到呢？以下是本次网络讲堂的课件：扫码加入我们的群聊更多资讯、更多福利！

X射线光电子能谱(XPS)作为重要的表面分析方法，可以对样品表面的元素组分和化学态进行定性和定量分析，已经广泛应用于科学研究和工业生产中。前期的网络专题讲堂为大家讲解了XPS的基本原理、仪器结构、实验技术和数据处理这些内容，受到大家广泛关注和支持。工欲善其事，必先利其器，接下来我们将陆续推出系列网络课程，通过每期30分钟的课程跟大家分享先进XPS技术的独门秘笈。如何在微观尺度理解构效关系是提高材料/器件性能的关键，也是当前研究的重点。在科学研究和失效分析中，发现微观尺度下材料的表面并非均匀存在的，而是作用区域呈现局域化特点，所以微区分析对于真正理解构效关系尤为重要。常规XPS分析通常是采用数百微米的X射线束斑获取样品表面平均信息，难以分析局域化特征。如何对局域特征结构进行精确定位，是微区分析的先决条件。在本期网络课堂中，我们将带您探究XPS微区分析之精确导航利器-SXI(X射线激发的二次电子影像，X-ray induced secondary electron images)：SXI与采谱同源、同光路、同探测器，可保证对分析点零误差精准定位；可观察到光学系统很难探测的表面污染以及形貌特征等；通过SXI成像可以对感兴趣区域进行定义点分析、多个分析点、线分析和面分析。微区分析之精确导航-SXI2020年7月4日（星期六） 10:00直播平台：哔哩哔哩参与方式：●点击“阅读原文”进入直播间●直播间链接 ：https://live.bilibili.com/21820621●长按并扫描二维码进入直播间参与直播活动，精彩好礼大放送！转发点赞１．关注“PHI与高德”公众号。２．转发此文章至朋友圈，将截图发送至“PHI与高德”公众号，截止至7月4日10:00前，集赞数最高的观众将获得小米智能手表一份。观看提问7月4日10:00观看研讨会直播活动并发送弹幕向老师提问，老师在回答的问题中选取2位提问观众为幸运观众，即可获得小米无线运动蓝牙耳机一份。观看7月4日10:00观看研讨会直播活动，随机抽取5位幸运观众，即可获得小米蓝牙无线鼠标一份。活动时间6月30日 10:00—7月4日 10:00获奖名单将于直播结束后，通过“PHI与高德”公众号进行发布，快来参与吧!长按添加PHI小助手加入微信群聊 获取更多资讯！

摩擦学研究是关系国民经济发展的重要学科之一,在解决国家重大工程和装备关键问题中发挥着重要作用。全国青年摩擦学学术会议聚焦摩擦学领域的前沿动态和科研成果，开展摩擦学领域最新的学术交流工作。本次会议将采用网络视频会议的方式举行，分为大会主旨报告和分会场报告，特设编辑时刻，邀请国内外知名学者、专家、编辑，交流最新工作动态，了解国内摩擦学领域学术期刊，促进科研交流与深入合作，推进摩擦学科学、工程与技术的可持续发展。PHI CHINA鞠焕鑫博士应邀参加“2020年全国青年摩擦学学术会议”,在6月3日上午10:55-11:10为大家讲解了微区表面分析技术（XPS）在摩擦学研究中的应用。让我们一起回顾一下鞠焕鑫博士报告的重点和视频吧！欲了解更多或对表面分析感兴趣的，请扫描下方二维码，让PHI小助手拉您进群，一起讨论学习吧！

点击上方蓝字关注我们！随着科学技术的飞速发展，先进的表面分析技术已经成为材料、能源、催化、微电子、半导体产业以及钢铁工业等领域研究表面特性所必需的实验技术。在科学研究和产业领域，具备微区分析功能的表面分析技术对解决复杂问题具有重要作用。为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，PHI CHINA将携手EDAX的严琴舫博士开展关于EDAX EBSD与PHI俄歇电子能谱的联用技术讲堂。讲堂内容•EBSD的原理简介•EBSD使用流程，背底扣除，标定算法等应用介绍•EBSD数据分析软件OIM Analysis基本操作培训主讲人严琴舫 博士毕业于中科院上海硅酸盐研究所材料学专业,于2015年加入EDAX中国,负责上海演示实验室及与EDS/EBSD相关的应用工作。开播时间及地址第一课：6月2日 上午9:30-10:30微信扫码入会，或添加至会议列表：会议 ID：535 556 134第二课：6月2日 下午15:00-16:00微信扫码入会，或添加至会议列表：会议 ID：649 291 027欲了解更多或对表面分析感兴趣的，请扫描下方二维码，一起讨论学习吧！

2020服务工程师招聘PHI-CHINA招聘时间2020/5/20公司地址中国北京市海淀区中关村大街45号兴发大厦408室 联系电话010--62519668疫情尚未结束但生活总要继续无论你是即将毕业还是想换个工作环境高德英特将为你提供一个能迅速成长并独当一面的机会和一个给你更好发展的平台请将简历发送至may.ling@CoreTechInt.com不要犹豫快来加入我们吧!招聘职位服务工程师岗位职责▼1.设备安装、调试、故障排除、维修、维护；2.为客户提供设备操作培训； 3.为客户提供关于设备各方面的咨询服务；  4.为客户提供合理建议、传授经验；5.保持与客户沟通，做好客户咨询的及时反馈并积极跟进；6.及时完成领导安排的工作。岗位要求▼1.大专以上学历，理工科相关专业毕业，电子、机械、材料、化学、物理、冶金等专业优先；2.普通话流利且有一定的英语能力；3.责任心强，能够承受较大工作压力，并能适应长时间出差工作；4.动手能力强，能独立工作，独立解决问题；5.沟通能力好，善于学习，乐于分享，具有良好的团队合作意识；•工资面议••工作地点：北京•公司介绍PHI (China) Limited 高德英特（北京）科技有限公司作为ULVAC-PHI在中国区域销售及售后服务的全权代表。总部设在香港，在北京和新加坡都设有分公司。高德的创办理念是为一流的商业产品提供顶级的创新市场营销和售后服务。高德拥有十几位资深售后工程师，全部获得原厂的资质认证，为用户及所代理的产品提供最完整的解决方案。我们目前的产品主要集中在表面分析仪器(XPS, SIMS, AES)，真空产品，薄膜沉积系统，消磁系统，防震台，桌面型SEM及氢存储系统等方面。主要客户包括清华大学、厦门大学、南京大学等国内知名高校和院所。高德不光致力于引进先进的表面分析设备，也积极推动国内表面分析事业发展。多次协办并参与国内各项表面分析研讨会，以促进国内表面分析同行的交流。与此同时，高德定期举办网络研讨会，收集来自于高校、科研院所及工业界用户所关心的题目，邀请国内外知名专家学者，共同讨论表面分析知识。与此同时，高德在中国积极寻求高品质的合作伙伴，希望共同为中国的科学事业增砖添瓦。扫描二维码关注PHI CHINA高德英特（北京）科技有限公司http://www.coretechint.com

随着科学技术的飞速发展，先进的表面分析技术已经成为材料、能源、催化、微电子、半导体产业以及钢铁工业等领域研究表面特性所必需的实验技术。在科学研究和产业领域，具备微区分析功能的表面分析技术对解决复杂问题具有重要作用。ULVAC-PHI,INC.在表面分析领域有着50余年的发展历史，专注于高灵敏、高能量分辨和高空间分辨技术研发，开发了一系列具有独特技术优势的表面分析设备，包括X射线光电子能谱(XPS)、反光电子能谱(IPES)、俄歇电子能谱（AES）、飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）以及串联质谱(Tandem MS / MSMS) 等，这些分析设备可以提供元素组分、化学态、电子结构和分子结构等关键信息，为表面特性研究及材料/器件性能提升起到了重要的作用。       为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，同时加强同行之间交流与合作，展示相关的新成就、新进展，PHI CHINA拟于2020年10月22日-23日在北京理工大学中关村校区举办研讨会。此次会议由高德英特（北京）科技有限公司与北京理工大学材料学院学院分析中心共同举办，旨在建立表面分析的交流平台，形成研讨的学术氛围，让思想碰撞出火花，并共同提升理论与技术水平，促进表面分析科学研究队伍的壮大。       诚邀国内外相关高校和科研院所的科研人员、科学领域的专家学者、技术人员进行技术研讨，共商合作，共谋发展。一 会议时间与地点时间：初步拟定为 2020 年 10 月 22 日-23 日(会议最终安排会根据国内疫情发展形势及相关政策要求做出实时调整) 地点：北京理工大学中关村校区 5 号楼 10 层二 会议形式及内容1、邀请报告 2、ULVAC-PHI,INC. 表面分析技术最新发展和应用三 参会信息1、参会费用和食宿安排 本次会议不收取会务费，参会人员的食宿费和交通费用自理。会务组会联系酒店为本次会议预留一定数量的房间,如有需要请提前告知。2、参会报名 参会请扫下方二维码完成报名四 联系方式潘剑南 电话：18612300780 邮箱：nice.pan@coretechint.com凌媚 电话：010-62519668邮箱：may.ling@coretechint.com

近年来随着科学技术的飞速发展，先进的表面分析技术已经成为材料、能源、催化、微电子以及半导体产业等领域中开展表面特性研究所必需的实验技术。X射线光电子能谱仪(XPS)作为表面分析领域重要的大型科学仪器，可以提供表面组分和化学态信息，广泛应用于科学研究和高科技产业等领域，对解决复杂问题具有重要的作用。作为一种新型可溶液加工的离子型半导体材料，金属卤化物钙钛矿因其带隙可调、缺陷容忍度较高、以及制备简单等优势成为近年来光电研究领域的热点材料。然而，与锂离子导体锂镧钛氧化合物(Li3xLa2/3-xTiO3)具有相似空间结构的金属卤化物钙钛矿材料，其框架内的锂离子传导特性以及相关应用却少有研究。近日，中国科学技术大学化学与材料学院的姚宏斌教授课题组与张国桢副教授和PHI CHINA南京实验室的鞠焕鑫博士合作，在金属卤化物钙钛矿导锂层的构建并用于稳定锂金属电池的研究中取得重要进展。姚宏斌课题组充分利用氯基金属卤化物钙钛矿宽带隙、成膜性好、制备简单等优势，开发出基于金属卤化物钙钛矿的梯度导锂层，实现了金属锂负极与电解液的隔离，大幅度提升了锂金属电池的循环稳定性。该成果以“Metal chloride perovskitethin film based interfacial layer for shielding lithium metal from liquidelectrolyte”为题发表在Nature旗下综合性期刊《自然•通讯》上(DOI： 10.1038/s41467-020-15643-9)。图 1 金属氯化物钙钛矿框架的锂离子传导特性机理探究。a，锂离子在金属卤化物钙钛矿晶格中的迁移并均匀沉积在基底的示意图。b，锂离子在金属卤化物钙钛矿MASnCl3晶格中的迁移能垒计算。c，旋涂有金属卤化物钙钛矿薄膜电极的循环伏安曲线。研究人员发现，利用旋涂法制备的氯基钙钛矿(MASnCl3和MAPbCl3)具有容纳和传输锂离子的特性(图1 a)。DFT和CI-NEB理论计算表明，锂离子在金属卤素钙钛矿MASnCl3的晶格中沿着[001]方向的的迁移能垒为0.45 eV，这与已知的锂离子导体如Li4GeS4(0.53 eV)和γ-Li3PS4(0.49 eV)相当(图1 b)。根据模拟结果，伴随着甲胺离子[CH3NH3]-的取向扭转，锂离子在钙钛矿晶格中的穿梭行为沿着[SnCl6]4-八面体和甲胺离子[CH3NH3]-之间的空穴进行。通过循环伏安曲线(图1 c)和深度XPS分析，研究人员发现，锂离子可以插入金属卤化物钙钛矿晶格中，并能够可逆地进行合金化/去合金化反应，在底部生成约300 nm厚的Li-Sn合金层，构成独特的钙钛矿-合金层梯度渐变结构。该Li-Sn合金层具有较高的锂离子迁移系数(~10-4 cm2s-1)，同时，生成的副产物LiCl具有优良的电子绝缘性能，可以保护上层的钙钛矿结构不受到破坏。这种独特的钙钛矿-合金层梯度渐变结构有利于锂离子在电极上的沉积/脱出。图 2金属卤素钙钛矿锂金属保护层的制备与特性。a，固相转印过程及成分的梯度变化。b，金属卤素钙钛矿保护层实现锂金属的致密沉积。c，贫锂和有限电解液的测试条件下的Li||LCO全电池的容量曲线。进一步地，研究人员发展了方便的固相转印方法，将旋涂法制备的高质量氯基钙钛矿(MASnCl3和MAPbCl3)薄膜原位地转移到在锂箔表面，形成具有梯度结构的导锂层 (图2 a)。该金属卤化物钙钛矿导锂层可以改善电解液与锂金属的界面问题，实现致密的锂金属沉积和脱出，避免了锂枝晶生长和锂金属电极的粉化(图2b)。最终的锂金属全电池电化学循环测试表明，在金属卤化物钙钛矿导锂层的保护下，即使在在贫锂(50μm)和有限电解液(20 μl mAh-1)以及2.8mAh cm-2面容量的严格条件下循环100圈后仍保持很高的容量，而没有保护层的锂电池在循环50圈后容量已降低到40%(图2 c)。在对“钙钛矿-合金-锂金属”梯度界面结构的XPS表征过程中，由于深度刻蚀会导致ABX3钙钛矿B位离子的部分还原，这就导致基于Ar离子溅射的深度XPS表征无法真实客观地反映不同深度下B位元素的价态变化(图3 a、b)。对此，采用机械剥离的方法，逐层地暴露界面层在不同深度下的化学成分。研究人员在手套箱惰性气氛的保护下，利用Kapton胶带进行机械剥离(图4 a)。同时通过惰性气氛转移腔将制备好的样品从手套箱中转移到PHI CHINA南京实验室的XPS实验装置中，整个样品传递过程环境敏感样品始终处于惰性气氛保护下，保证了实验结果的可靠性(图4b)。图 3Ar离子溅射导致的ABX3钙钛矿B位离子部分还原图 4a，基于机械剥离法逐层地暴露不同深度下钙钛矿-合金界面层。4a，采用惰性气氛转移腔(transfer vessel)将制备好的样品从手套箱中转移到XPS实验装置研究人员发现，利用固态转印法制成的“钙钛矿-合金”界面层在初始状态下，表面的B位元素呈现与原始钙钛矿薄膜一致的氧化态(Sn2+和Pb2+)。在第一次机械剥离后，表面的钙钛矿层被部分移除，暴露出钙钛矿底部的合金层(Sn0+和Pb0+，来源于Li-Sn合金和Li-Pb合金)。随着剥离次数的增加，钙钛矿比例逐渐减少，合金层比例逐渐增加。研究人员利用基于机械剥离的深度XPS分析证明了锂金属表面钙钛矿界面层的“钙钛矿-合金-锂金属”梯度渐变结构(图5 b、c)。同时，在底部形成的LiCl绝缘层也得到了XPS分析的证实(图6)。LiCl绝缘层可以有效阻止来自电极的电子对钙钛矿的破坏，仅允许锂离子通过，这进一步提升了钙钛矿界面层在循环过程中的稳定性。图 5 基于机械剥离法对钙钛矿-合金界面层进行深度XPS分析图 6钙钛矿界面层底部Li 1s的结合能该工作是金属卤化物钙钛矿材料在锂金属负极界面导锂层应用的首次尝试，并且给出了金属卤化物钙钛矿材料高锂离子传导性能的有力证据，这为新型固态电解质设计和高性能锂金属电池构筑提供了新的思路。论文的共同第一作者是化学与材料学院的博士生殷逸臣、硕士生王茜和少年班学院的本科生杨竞天。中国科学技术大学化学与材料科学学院姚宏斌教授、张国桢副教授、PHI CHINA南京实验室的鞠焕鑫博士为该论文的共同通讯作者。该项研究得到了国家自然科学基金委、科技部、合肥微尺度物质科学国家研究中心和中国科学技术大学微纳加工中心的支持。文章链接：https://www.nature.com/articles/s41467-020-15643-9姚宏斌教授课题组姚宏斌，男，中国科学技术大学应用化学系教授、博士生导师。2006年本科毕业于中国科学技术大学化学系；2011年在合肥微尺度国家实验室获得无机化学博士学位，导师为俞书宏教授；2012-2015年在美国斯坦福大学开展博士后研究工作，合作导师崔屹教授；2015年8月-至今在中国科学技术大学应用化学系从事新型功能金属卤化物在能源存储与光电转换应用中的研究。建立了功能型金属卤化物晶体多样性结构设计体系，提出了通过结构基元的有效组合调控金属卤化物晶体物化性质的方法。发展了红绿蓝三纯色的金属卤化物高质量纳米晶的合成方法，并应用于构筑高效电致发光二极管。设计了高度线性的金属卤化物发光材料，实现荧光的完全偏振。基于金属卤化物的框架结构，实现了新型固态电解质的构筑，成功应用于金属锂负极的界面保护。近年来，在Chem. Soc. Rev., Angew. Chem., JACS, Nature Commun. Nano Lett., Adv. Mater., ACS Nano  等高影响力学术期刊发表论文120余篇，其中有 26篇论文被 ESI 评为高被引论文，论文总计被SCI引用11000余次，H因子56。原创性成果多次被Nature, NPG Asia Materials, Materials Views China, Chemistry views等在内的众多专业媒体予以亮点报道和专题述评。课题组主页：http://staff.ustc.edu.cn/~yhb/PHI CHINA南京实验室PHI CHINA南京实验室于2018年12月份成立，致力于为PHI CHINA团队及用户提供技术支持，同时通过合作方式推进先进表面分析技术在科学研究和高科技产业等领域中的应用。目前，PHI CHINA实验室的XPS系统集成了多项表面分析技术(XPS-UPS-IPES-GCIB)：独具特色的扫描聚焦型XPS可以提供高表面灵敏(10 nm)和高空间分辨(10 um)的化学态解析能力；通过与UPS和IPES相结合，可以实现对半导体材料的芯能级、价带和导带电子结构信息的全面探测；通过结合氩离子和团簇离子源(GCIB)，可以实现对无机/有机多层膜结构材料进行深度剖析。在疫情期间，PHI CHINA南京实验室举办了丰富的表面分析技术网络讲堂，包含了XPS、AES和TOF-SIMS相关的分析技术原理、样品准备和数据分析。如果想要科学研究中更好利用这些表面分析技术解决科学问题，欢迎前往公众号内观看网络课程回放视频。

近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的纳米真空互联实验站(Nano-X)完成了俄歇电子能谱仪(PHI 710 Auger NanoProbe)安装调试，这是继PHI XPS之后，Nano-X从ULVAC-PHI公司采购的第二套大型科研仪器。PHI 710俄歇电子能谱仪作为重要的表面分析设备，将与Nano-X的超高真空互联管道对接，进一步完善了Nano-X现有的表面分析设备体系(XPS、TOF-SIMS、SEM、AFM、STM等)，将助力推动半导体、微电子器件和冶金等领域研究的发展。AES功能介绍俄歇电子能谱仪(Auger Electron Spectroscopy，AES)是利用电子束电离激发原子内层电子，探测退激发过程出射的俄歇电子，获得样品表面组分和化学性质的一种表面分析方法。AES不仅具有表面灵敏的特性，而且具有纳米级的空间分辨能力，因此广泛应用于半导体器件、微电子器件和冶金等科学研究。PHI 710 Auger NanoProbe的主要功能包括SEM成像、元素成分半定量/化学态分析、一维/二维元素分布、深度剖析及EBSD分析。该设备采用热场发射电子枪，具有稳定细小的电子束斑，SEM成像分辨率≤3纳米，AES成像分辨率≤8纳米；采用CMA同轴分析器，能全方位收集产生的俄歇电子，因此具有不受样品形貌和倾角影响的优点；能量分辨率0.5%~0.1%连续可调，亦能实现高灵敏度和高传输率；采用Ar离子枪实现样品表面清洁、荷电中和以及成分深度剖析；配备电子散射衍射探测器（EBSD），可提供晶体结构和晶格取向的分析。PHI与高德若想要了解更多，请关注我们公众号内含丰富的表面分析技术网络课程欢迎加入我们的表面分析交流群Nano-X介绍纳米真空互联实验站(Nano-X)是世界首个按国家重大科技基础设施标准在建的集材料生长、器件加工、测试分析为一体的纳米领域大科学装置。纳米真空互联实验站通过超高真空管道将各功能设备相互连接，一方面解决了传统超净间模式中难以解决的尘埃、表面氧化和吸附等污染问题，另一方面为微观原子尺度新材料、器件的创新和基于原子级别有序可控的创新思维模式提供了可实现的平台。本实验站由具有若干综合功能的材料制备平台、器件工艺平台、测试分析平台组成。纳米真空互联实验站是材料科学、环境科学、物理学、化学、信息科学等众多学科研究中不可替代的先进手段和综合研究平台，也是微电子、新材料等先进产业技术研发的重要手段。PHI公司介绍PHI公司(Physical Electronics)前身为美国PE(Perkin Elmer)公司专业表面分析仪器部门，于2003年被日本真空ULVAC收购，成立ULVAC-PHI。ULVAC-PHI作为全球最专业的表面分析仪器制造商，拥有60余年的表面分析设备研发和生产历史，专注于研发生产表面分析仪器，其产品包括光电子能谱仪(XPS)，俄歇电子能谱仪(AES)，飞行时间二次离子质谱仪(ToF-SIMS)和动态二次离子质谱仪(D-SIMS)。PHI CHINA致力于为用户提供先进技术和优质服务，与大家携手推动表面分析技术的应用和发展。