磁控溅射源

我们的泰坦磁控管可以使用直流、脉冲直流或射频电源运行。具有多个电源的磁控管系统可以配备单个电源和开关网络，也可以提供多个电源用于共沉积处理。

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溅射沉积均匀性

下图显示了使用 3 英寸 Titan 磁控管和 W 靶在 6 英寸（150 毫米）基板上获得的 ±2.5% 的薄膜厚度均匀性，边缘排阻为 5 毫米。将薄膜以 250 瓦直流电沉积到 5 mTorr Ar 中的氧化旋转硅晶片上，目标到基板的距离为 6 英寸。通过4点探针在晶圆表面上的两个相互垂直的方向（X，Y）进行测量。

辅助设备

PVD 产品在磁控溅射室中集成真空、等离子和薄膜诊断方面拥有独特的内部专业知识。这些诊断包括残余气体分析仪、RHEED、椭圆偏振仪、光学发射光谱 （OES） 和用于原位应力测量的多光束光学传感器 （MOSS）。此外，可以提供使用直流或射频式Kaufmann离子源和端霍尔源的辅助离子束源，用于直接离子束沉积或离子束辅助沉积处理。

溅射室配置

磁控溅射室有圆柱形或矩形几何形状，以及溅射向上或向下溅射配置。矩形腔室设计有铰链门，便于进入腔室内部。圆柱形腔室通过一个大的扁平法兰进入，法兰通过电动葫芦从腔室中提升。氟橡胶 O 形圈密封件采用差速泵送，以达到低至 1 x 10-9 Torr 的压力。所有腔室均配有一套内部 304 不锈钢防护罩，可轻松拆卸，以便定期清洁过多的薄膜沉积物。

多达六个磁控管源安装在单独的ConFlat法兰上，这些法兰排列成共聚焦阵列，其中每个源都指向略高于基板目标的点，并且与基板法线成大约30度角，以实现最佳的沉积均匀性。

带双晶圆传输的负载锁定选项

使用负载锁定选项，主腔室基本压力保证低于 1 x 10-9托。负载锁可用于直径达 8 英寸（200 毫米）的基板。负载锁组件包括一个气动粗加工阀和带有自己的气动闸阀的涡轮分子泵。我们的双晶圆负载锁允许客户在一个抽空周期内将一个晶圆转移到腔室中并从腔室中取出一个晶圆。与竞争对手的单晶圆负载锁定相比，这大大减少了周期时间。

组合溅射/蒸发系统

PVD 产品提供的系统将各种物理气相沉积技术结合在一个腔室中。例如，磁控溅射可以使用热或电子束蒸发源与蒸发相结合。

基板阶段

基板行星或旋转级通过射频或直流偏置将基板加热到超过 900°C 的温度。基板加热器和机械手可以设计用于非标准基板形状和尺寸。

真空泵系统

磁控溅射系统可以通过低温或涡轮分子主泵送，具体取决于客户的工艺条件。干式前级泵和电-气阀门由计算机控制，以提供主腔和主泵背衬的自动粗抽。步进电机控制的闸阀用于将腔室与泵送系统隔离，并在与电容压力计和压力控制器集成时提供腔室压力的闭环控制。

计算机控制与系统集成

磁控溅射 系统 通过 LabVIEW 接口 和 Opto-22 PLA 控制 单元 进行 计算机 控制。笔记本电脑安装在关节臂上，便于取用。系统上的所有阀门和百叶窗都可以通过安全联锁从计算机逐步打开/关闭。为负载锁和主腔提供自动泵/排气顺序。真空室和负载锁、气体处理、磁控管电源和基板台的所有相关工艺参数都由LabVIEW软件监控和控制。可以从单个来源沉积或来自多个来源的共同沉积。用户可以根据其系统访问权限创建、存储、编辑和调用沉积配方。