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Laser MBE具备PLD和传统MBE的特性,可对薄膜的生长速率进行精确(原子层级别)控制。通过在MBE系统上增加激光烧蚀工艺,系统可以生长包括高熔点陶瓷以及多元素固体材料等。SVT有18年的MBE设备制造经验,我们擅于通过原位的监控测量仪器来提高薄膜生长的质量。其中原位测量仪器包括:温度测量、厚度测量、RHEED、束流监控等。如果您想了解更多这方面的信息,请联系我们。 应用: 可用于研究氧化物半导体, 高温超导材料,光学晶体,电光学薄膜,铁电以及铁磁材料等。 标准性能:
超高真空(本底压强<1E-10 Torr);
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企业名称
SVTA
企业信息已认证
企业类型
信用代码
成立日期
1993-09-07
注册资本
100
经营范围
美国SVTA公司中国办事处
公司地址
北京海淀区上地四街1号院2号楼3层632
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公司名称: 美国SVTA公司中国办事处
公司地址: 北京海淀区上地四街1号院2号楼3层632 联系人: 于耀宇 邮编: 100085 联系电话: 400-860-5168转1311
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