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珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司
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解决方案
ICP-OES 分析高浓度钯(Pd)内的微量硒 (Se)
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
硒钯(Pd)是目前半导体超微镀金使用的非常重要的元素之一。由于是用于超微镀金，所以主要成分钯(Pd)的准确含量很重要，所含杂质的定量也非常重要。本文建立了利用ICP-OES分析高浓度钯(Pd)内的微量硒 (Se)的解决办法。
共1台
NexION 300S ICP-MS 对光刻胶中的Si的分析
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
Si使用ICP、ICP-MS分析时存在光学干扰，而仪器的结构又决定了Si的检出限比其他元素更高，所以为了分析低浓度的Si，必须去除光学干扰或更换仪器进样系统 ( 雾室、雾化器、中心管、炬管 )
本实验的目的是利用NexION 的 DRC模式确定分析Si的最佳条件。
共1台
Lambda 950用于生物传感器-手机IR孔透射率测试
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
生物传感器手机IR 孔其实是一个距离传感器，利用感应生物体红外线（IR）来实现距离的感应。当我们拿起手机贴在耳朵旁接听电话时，这个时候手机屏幕会自动黑屏，避免因勿碰而随机拨出电话或者启动某个应用程序。当手机离开耳朵时，手机屏幕又会自动变亮，可以正常操作手机。这主要是通过感应人身体的发出的红外线来实现，这就需要手机IR 孔能通过红外线，同时不透过紫外线及可见光，通过光线的变化来控制屏幕的亮度。
在手机IR 孔生产过程中，需要测试IR 孔不同波长的透过率便于质控。一般选用550nm、850nm和940nm 几个测试波长位置。欧美标准一般测试550nm和850nm两个波长的透过率，而日韩标准一般选用550nm 和940nm 两个波长的透过率。一般质控要求手机IR 孔850nm 处的透光率达到80% 以上，550nm 处透过率低于15%，这样才能使手机IR 孔能感受到红外线的变化，同时又不受可见光的干扰。
PerkinElmer Lambda 系列分光光度计配置150mm 积分球检测器，具有测试准确、操作简单等优势；积分球检测器采用特氟龙材质涂层，反射率高、光能量损失小，测试准确性及稳定性高；特氟龙涂层化学稳定性好，长期不老化，不怕酸碱；150mm 积分球开孔率小，测量精度高。
共1台
SP-ICP-MS分析涂层表面纳米颗粒的迁移
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
纳米微粒本文探讨了纳米材料表面上的纳米微粒如何迁移到抹布上，并集中讨论了纳米微粒释放的几大特征：总质量浓度、微粒数量浓度及微粒尺寸分布。我们检测了因抗菌性而被广泛使用的银纳米微粒，及油漆涂层表面的氧化铜纳米微粒的迁移情况。
共1台
Avio 200 ICP-OES 微波制样方案满足危害性物质限制（RoHS）指令要求
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
镉,铬,铅,汞为了解决废弃电子产品中的有毒金属污染问题，危害性物质限（RoHS）指令规定了镉、六价铬、汞和铅在每种电子设备中允许存在的最高含量。为了达到RoHS 指令要求，最简单也最高效的方法是使用微波消解制样，并使用全谱直读等离子体发射光谱仪（ICP-OES）进行分析。尽管ICP-OES 不连接液相色谱仪无法区别元素的不同形态，但是它能够测量铬的总含量，以确定其是否超过规定水平。如果超过限值，则可以进一步制样，并采用其他技术手段分析样品。
本文将重点关注如何使用ICP-OES 分析电子产品中的多种样品类型，以确保符合RoHS 指令要求，以及制样注意事项。
共2台
利用 SP-ICP-MS对单壁碳纳米管进行分析
应用领域
电子/电气检测样品
其他检测项目
金属含量SP-ICP-MS 提供了一种单壁碳纳米管金属含量的定量方法。使用金属杂质的含量可以推测单壁碳纳米管的计数浓度，有效拓展了ICP-MS在纳米材料领域的应用。另外，一旦金属含量已知，即可测定未知样品中的单壁碳纳米管浓度。这项研究的意义是可以在无需消解碳纳米管（一个冗长繁琐的过程）的情况下准确量化碳纳米管中的金属杂质。
共1台
Avio 200 ICP-OES微波制样方案满足危害性物质限制（RoHS）指令要求
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
危害性物质为了达到 RoHS 指令要求，最简单也最高效的方法是使用微波消解制样，并使用全谱直读等离子体发射光谱仪（ICP-OES）进行分析。尽管 ICP-OES 不连接液相色谱仪无法区别元素的不同形态，但是它能够测量铬的总含量，以确定其是否超过规定水平。如果超过限值，则可以进一步制样，并采用其他技术手段分析样品，最终确定六价 Cr 的含量。
共1台
PerkinElmer：NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质Li
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
Li控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。
共1台
PerkinElmer：NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质Be
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
Be控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。
共1台
PerkinElmer：NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
B控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。
共1台
PerkinElmer：NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质Na
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
Na控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。
共1台
PerkinElmer：NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质Mg
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
Mg控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。
共1台
PerkinElmer：微波消解样品制备和Avio200ICP-OES分析RoHS指令中的限值铅元素
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
铅随着人们对电子产品越来越多的使用和依赖，制造商不断开发出具有更新更强、增强功能的新产品。消费者更频繁地升级更新电子产品，其结果是越来越多的电子产品需要被处理。电子产品被丢弃后，其中有害的金属元素进入到环境中，比如有毒金属镉（Cd）、铬（Cr，特别是六价铬），汞（Hg）、铅（Pb）等。为了解决这个问题，RoHS 指令限制了电子设备中有害物质镉，六价铬，汞和铅的含量水平。符合RoHS 指令的最简单和最有效的方法是使用微波消解样品制备和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICPOES）分析。本次工作主要使用微波消解对不同种类的电子产品进行前处理并使用Avio200 ICP-OES 对样品中RoHS 指令限制元素进行分析。这项工作说明并验证了TitanMPS 微波样品制备系统和Avio200 ICP-OES 具有可以快速、准确地测定RoHS 指令覆盖下不同类型样品中元素的能力。不同酸条件、不同类型样品的消解可以使用同一种Titan MPS 微波程序，最大限度地减化RoHS 指令下的广泛复杂的样品制备。消解前加标回收率证明，在样品制备过程中，元素没有损失而且没有引入显着的污染。
共1台
PerkinElmer：微波消解样品制备和Avio200ICP-OES分析RoHS指令中的限值汞元素
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
汞随着人们对电子产品越来越多的使用和依赖，制造商不断开发出具有更新更强、增强功能的新产品。消费者更频繁地升级更新电子产品，其结果是越来越多的电子产品需要被处理。电子产品被丢弃后，其中有害的金属元素进入到环境中，比如有毒金属镉（Cd）、铬（Cr，特别是六价铬），汞（Hg）、铅（Pb）等。为了解决这个问题，RoHS 指令限制了电子设备中有害物质镉，六价铬，汞和铅的含量水平。符合RoHS 指令的最简单和最有效的方法是使用微波消解样品制备和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICPOES）分析。本次工作主要使用微波消解对不同种类的电子产品进行前处理并使用Avio200 ICP-OES 对样品中RoHS 指令限制元素进行分析。这项工作说明并验证了TitanMPS 微波样品制备系统和Avio200 ICP-OES 具有可以快速、准确地测定RoHS 指令覆盖下不同类型样品中元素的能力。不同酸条件、不同类型样品的消解可以使用同一种Titan MPS 微波程序，最大限度地减化RoHS 指令下的广泛复杂的样品制备。消解前加标回收率证明，在样品制备过程中，元素没有损失而且没有引入显着的污染。
共1台
PerkinElmer：微波消解样品制备和Avio200ICP-OES分析RoHS指令中的限值铬元素
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
铬随着人们对电子产品越来越多的使用和依赖，制造商不断开发出具有更新更强、增强功能的新产品。消费者更频繁地升级更新电子产品，其结果是越来越多的电子产品需要被处理。电子产品被丢弃后，其中有害的金属元素进入到环境中，比如有毒金属镉（Cd）、铬（Cr，特别是六价铬），汞（Hg）、铅（Pb）等。为了解决这个问题，RoHS 指令限制了电子设备中有害物质镉，六价铬，汞和铅的含量水平。符合RoHS 指令的最简单和最有效的方法是使用微波消解样品制备和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICPOES）分析。本次工作主要使用微波消解对不同种类的电子产品进行前处理并使用Avio200 ICP-OES 对样品中RoHS 指令限制元素进行分析。这项工作说明并验证了TitanMPS 微波样品制备系统和Avio200 ICP-OES 具有可以快速、准确地测定RoHS 指令覆盖下不同类型样品中元素的能力。不同酸条件、不同类型样品的消解可以使用同一种Titan MPS 微波程序，最大限度地减化RoHS 指令下的广泛复杂的样品制备。消解前加标回收率证明，在样品制备过程中，元素没有损失而且没有引入显着的污染。
共1台
PerkinElmer：微波消解样品制备和Avio200ICP-OES分析RoHS指令中的限值镉元素
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
镉随着人们对电子产品越来越多的使用和依赖，制造商不断开发出具有更新更强、增强功能的新产品。消费者更频繁地升级更新电子产品，其结果是越来越多的电子产品需要被处理。电子产品被丢弃后，其中有害的金属元素进入到环境中，比如有毒金属镉（Cd）、铬（Cr，特别是六价铬），汞（Hg）、铅（Pb）等。为了解决这个问题，RoHS 指令限制了电子设备中有害物质镉，六价铬，汞和铅的含量水平。符合RoHS 指令的最简单和最有效的方法是使用微波消解样品制备和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICPOES）分析。本次工作主要使用微波消解对不同种类的电子产品进行前处理并使用Avio200 ICP-OES 对样品中RoHS 指令限制元素进行分析。这项工作说明并验证了TitanMPS 微波样品制备系统和Avio200 ICP-OES 具有可以快速、准确地测定RoHS 指令覆盖下不同类型样品中元素的能力。不同酸条件、不同类型样品的消解可以使用同一种Titan MPS 微波程序，最大限度地减化RoHS 指令下的广泛复杂的样品制备。消解前加标回收率证明，在样品制备过程中，元素没有损失而且没有引入显着的污染。
共1台
PerkinElmer：TMA 4000 在聚酰亚胺柔性电路基片中使用标准测试方法
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
热膨胀系数电子线路板的主要破坏原因之一是由热膨胀引起的问题。要防止这种情况发生，电子工程师采用热导体来发散热量，用低膨胀性材料来配合低膨胀率的硅片和陶瓷绝缘体的使用 。热机械分析(TMA) 长期以来应用于测量线路板、电子元件和组成材料的热膨胀(CTE)。针对玻璃化转变温度、热膨胀系数变化的点、样品软化和应力释放效应的发生，已经建立起成熟可靠的标准测试方法。对于层状复合产品，TMA 相应的测试方法可以确定在评估升温过程中材料的分层所需时间。TMA4000 的设计大大简化了上述测试过程 ，非常适用于测量低膨胀率的小器件的膨胀。本应用文章提供了这些标准方法
的一些案例。
共1台
红外光谱仪用于电子产业链产品用胶水固化率测试
应用领域
电子/电气检测样品
其他检测项目
固化率随着电子设备的普及，液晶显示屏（LCD）应用越来越广泛，LCD 行业快速发展。我国为全球液晶显示器零配件的主要加工基地，发展迅速。UV 固化胶作为液晶显示屏制作中重要材料，固化速度快、无溶剂、生产效率高，主要起到密封、固定金属管脚等作用，广泛应用用电路板行业。UV 固化剂中光引发剂在适当光强的紫外光照射下，迅速分解成自由基或阳离子，不饱和键发生聚合反应，使材料固化。UV 胶固化过程会存在光固化及热固化过程，光固化过程为活性丙烯酸基团聚合反应，而热固化过程为环氧基团聚合反应。两种活性基团反应量越多，固化程度越彻底。
固化程度不仅影响到阻焊性能，同时影响到后续工序的制作难度，故对电路板固化率的了解和控制非常重要。利用红外光谱仪测试反应前后活性基团特征吸收峰的变化来计算固化程度，操作简单，快速方便。依据环氧基团特征吸收峰比例变化来判断热固化率程度，依据丙烯基特征吸收峰比例变化来判断光固化率程度。
共1台
联用技术应用文章合辑
应用领域
电子/电气检测样品
电线电缆/低压电器检测项目
热重分析PerkinElmer 联用技术解决方案是将两种或两种以上的仪器连接使用，最大程度地提高单次实
验的分析能力和获取的数据信息并节省操作时间。PerkinElmer TGA 8000TM 或STA 系统与FTIR，MS 和（或者）GC/MS 相连，代表了行业最完整和先进的联用技术平台，可应用于聚合物材料表征，制药，化工，石油，橡胶和食品等领域。其应用包括检测土壤中的有害化学物质，定量测定聚合物中的成分，确定产品包装中是否有可能污染产品的溢出物质，检测PVC 样品中的邻苯二甲酸酯。我们了解客户和市场独特和多样化的需求，我们是行业内唯一一家能够提供全套联用系统的生产，技术支持和售后服务的公司，简化从样品的处理到结果分析、传递的整个过程并使其更加流畅。PerkinElmer 的联用技术将为您的实验室提供创新和科学探索的新途径。
共3台
TMA 4000 在电子工业领域中使用标准测试方法的应用
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
热膨胀系数电子线路板的主要破坏原因之一是由热膨胀引起的问题。要防止这种情况发生，电子工程师采用热导体来发散热量，用低膨胀性材料来配合低膨胀率的硅片和陶瓷绝缘体的使用 。热机械分析(TMA) 长期以来应用于测量线路板、电子元件和组成材料的热膨胀(CTE)。针对玻璃化转变温度、热膨胀系数变化的点、样品软化和应力释放效应的发生，已经建立起成熟可靠的标准测试方法。对于层状复合产品，TMA 相应的测试方法可以确定在评估升温过程中材料的分层所需时间。TMA4000 的设计大大简化了上述测试过程 ，非常适用于测量低膨胀率的小器件的膨胀。本应用文章提供了这些标准方法
的一些案例。
共1台
微波消解样品制备和Avio200ICP-OES分析RoHS指令中的限值元素
应用领域
电子/电气检测样品
电子元器件产品检测项目
镉，铬，汞，铅随着人们对电子产品越来越多的使用和依赖，制造商不断开发出具有更新更强、增强功能的新产品。消费者更频繁地升级更新电子产品，其结果是越来越多的电子产品需要被处理。电子产品被丢弃后，其中有害的金属元素进入到环境中，比如有毒金属镉（Cd）、铬（Cr，特别是六价铬），汞（Hg）、铅（Pb）等。为了解决这个问题，RoHS 指令限制了电子设备中有害物质镉，六价铬，汞和铅的含量水平。符合RoHS 指令的最简单和最有效的方法是使用微波消解样品制备和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICPOES）分析。本次工作主要使用微波消解对不同种类的电子产品进行前处理并使用Avio200 ICP-OES 对样品中RoHS 指令限制元素进行分析。这项工作说明并验证了TitanMPS 微波样品制备系统和Avio200 ICP-OES 具有可以快速、准确地测定RoHS 指令覆盖下不同类型样品中元素的能力。不同酸条件、不同类型样品的消解可以使用同一种Titan MPS 微波程序，最大限度地减化RoHS 指令下的广泛复杂的样品制备。消解前加标回收率证明，在样品制备过程中，元素没有损失而且没有引入显着的污染。
共1台
用紫外-可见-近红外分光光度计测量粉末状TiO2带隙的简单方法
应用领域
电子/电气检测样品
其他检测项目
带隙文章描述了利用紫外可见近红外分光光度计分析半导体用纳米颗粒的边际缺口能量的方法，可以作为判别材料质量好坏的依据
共1台
NexION 300S ICP-MS测定半导体级硝酸中的杂质
应用领域
电子/电气检测样品
光电器件检测项目
任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸，因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物，这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式，因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式，并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。
共1台
NexION 300S ICP-MS测定硅晶片中的杂质
应用领域
电子/电气检测样品
光电器件检测项目
控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质都可能会导致器件发生缺陷。出于质量控制的目的，常规分析的硅主要有两种类型：体硅和硅晶片表面。由于许多重要的待测元素在使用电感耦合等离子体质谱仪分析时会受到等离子产生的分子和同质异位素的干扰，因此对许多重要的待测元素的分析都很困难，这进一步增加了分析硅杂质的难度和复杂性。通过向通用池中通入适当的低流量反应气和使用独特的动态带通调谐（DBT）的功能，就能够在离子束进入四级杆质谱前用化学方法将干扰去除，而这两个功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的。本应用报告证明了NexION 300SICP-MS使用低流量雾化器对小体积体硅样品中的杂质元素进行测定的能力。
共1台
NexION 300S ICP-MS测定半导体级硫酸中的杂质
应用领域
电子/电气检测样品
分立器件检测项目
通常情况下，蚀刻液由硫酸和过氧化氢配制而成。由于是与其他化学物质一起使用的，任何金属杂质的引入都将会对IC器件的可靠性产生不利影响，因此需要使用的硫酸具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。动态反应池使用四级杆质量过滤器建立动态带通，是消除目标元素干扰物的一种强有力的校正技术。使用非反应气体的碰撞池技术也被证明是一种减少特定多原子干扰的简单可行的方法。本应用报告证明了NexION 300 ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对H2SO4中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。
共1台
NexION 300S ICP-MS测定半导体级TMAH中的杂质
应用领域
电子/电气检测样品
其他检测项目
四甲基氢氧化铵（TMAH）是一种广泛用于半导体光刻工艺和液晶显示器（LCD）生产中形成酸性光阻的基本溶剂。由于其在此类高要求应用中的广泛使用，使得对TMAH纯度的检测变得越来越重要。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而，解决由基体带来的多原子干扰和由于含有碳造成的基体抑制效应是非常重要的。在直接分析有机溶剂时这些问题就显得尤为突出。本应用报告证明了NexION® 300S ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对TMAH中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。
共1台
NexION300S ICP-MS测定半导体行业中使用有机溶剂的杂质
应用领域
电子/电气检测样品
其他检测项目
半导体行业中最常用的两种有机溶剂是异丙醇（IPA）和丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）。两种有机溶剂都必须检测痕量金属污染物的含量，因为这些物质的存在将会对存储设备的可靠性产生不利影响。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力，电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）已成为了质量控制不可缺少的分析工具。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术，同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式，仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式，并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300 ICP-MS去除干扰，从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够很容易的对IPA和PGMEA中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。
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