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Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备(ICP-CVD),通过电感耦合(ICP)产生高密度等离子体,并通过电容耦合(CCP)产生偏压,可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件,符合SEMI的设计标准,并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
可在低温(<120°C)下沉积高致密薄膜,其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜
可有效降低等离子体损伤,从而降低漏电,漏电流密度与原子层沉积(ALD)制备的薄膜相当
可提供高深宽比薄膜填充工艺
可选8/6英寸电极,适用于不同尺寸的晶圆
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
鲁汶化学气相沉积(CVD)Shale® C 系列的工作原理介绍
化学气相沉积(CVD)Shale® C 系列的使用方法?
鲁汶Shale® C 系列多少钱一台?
化学气相沉积(CVD)Shale® C 系列可以检测什么?
化学气相沉积(CVD)Shale® C 系列使用的注意事项?
鲁汶Shale® C 系列的说明书有吗?
鲁汶化学气相沉积(CVD)Shale® C 系列的操作规程有吗?
鲁汶化学气相沉积(CVD)Shale® C 系列报价含票含运吗?
鲁汶Shale® C 系列有现货吗?
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