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Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备是面向8英寸集成电路制造的量产型设备
设备由电感耦合等离子体刻蚀腔（ICP etch chamber）以及传输模块（transfer module）构成
适用于0.11微米及其它技术代的多晶硅栅（poly gate）、侧墙（spacer）、浅沟槽隔离（STI）工艺
3 μm Trench
0.4 μm Trench
0.25 μm Trench
2 μm Poly
0.18 μm Poly
Tebaank® Pishow® P 硅刻蚀设备，为8英寸IC产线上栅极工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内<5%，片间<5%）和颗粒控制。
提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。
该设备高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升级提供帮助。
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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