看了化学气相沉积设备的用户又看了
等离子体增强型CVD设备 PD-220N
研究开发用等离子体CVD设备
PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。
可在ø8英寸晶圆上沉积
尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。
TEOS-SiO2成膜系统可扩展
可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)
各种硅基薄膜的形成
可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。
可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
SAMCO化学气相沉积（CVD）PD-220N的工作原理介绍
化学气相沉积（CVD）PD-220N的使用方法?
SAMCOPD-220N多少钱一台?
化学气相沉积（CVD）PD-220N可以检测什么？
化学气相沉积（CVD）PD-220N使用的注意事项？
SAMCOPD-220N的说明书有吗？
SAMCO化学气相沉积（CVD）PD-220N的操作规程有吗？
SAMCO化学气相沉积（CVD）PD-220N报价含票含运吗？
SAMCOPD-220N有现货吗？
