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v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用于样品表面，应用于：产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM相似，用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工，通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属，氧化硅层或沉积金属层
v 芯片领域应用：IC芯片电路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射电镜样品制备，材料鉴定
v 液态金属离子源：分辨率3nm@30kv 120nm@1kv
检测器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、aBSD（背散射探测器）
产品货期: 60天
整机质保期: 1年
培训服务: 安装调试现场免费培训
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