台式原子层沉积系统
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¥100万 - 200万

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ARRADIANCE

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GEMStar

--

美洲

  • 金牌
  • 第18年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

产地类别: 进口

衬底尺寸: 最大8英寸/200 mm基片沉积(4

工艺温度: 300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制

前驱体数: 1/2/4/8

重量: N/A

尺寸(W x H x D): 78 x56 x28 cm

均匀性: 99.9%

台式三维原子层沉积系统ALD


原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的纳米技术,以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 

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美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。

GEMStar XT 产品特点:

■  300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制

■  175℃ 温控150ml前驱体瓶,200℃ 控输运支管

■  可容纳多片468英寸样品同时沉积

■  可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体

■  标准CF-40接口

■  可安装原位测量或粉末沉积模块等选件

■  等离子体辅助ALD插件

■  多种配件可供选择

GEMStar XT 产品型号:

GEMStar -4 XT:

■  4英寸/100 mm基片沉积

■  单路前驱体输运支管, 4路前驱体瓶接口

■  不可升为等离子体增强ALD

GEMStar -6/8 XT:

■  6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积

■  双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口

■  可升为等离子体增强ALD

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GEMStar -8 XT-P

■  8英寸/200mm基片沉积

■  双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口

■  装备高性能ICP等离子发生器

13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,高运行功率达300W

■  标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。

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GEMStar NanoCUBE:


*  大100 mm 立方体样品 沉积

*  单路前驱体输运支管, 2路前驱体瓶接口

*  主要用于3D多孔材料,以及厚样品的沉积


丰富配件:


多样品托盘:

* 多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。

* 多基片夹具,多同时容纳9片基片。


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温控热托盘:

* 可加热样品托盘,高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。

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粉末沉积盘:

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臭氧发生器:

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 真空进样器(Load Lock)

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 晶振测厚仪

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 前驱体瓶:

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 前驱体加热套: 

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粉末旋转沉积罐模块:

配合热壁加热方式,进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。

 

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手套箱接口:

可从侧面或背面接入手套箱,与从底部接入手套箱不同,不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面,反应过程中不对手套箱有加热效应,不影响手套箱内温度。 


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应用案例

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应用领域

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国内外用户

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已发表文献

1、  Loïc Assaud et al. Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b

2、  Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003

3、 HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd core–shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59–68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019

4、  Sean W. Smith, et al. Improved oxidation resistance of organic/inorganic composite atomic layer deposition coated cellulose nanocrystal aerogels. J. Vac. Sci. Technol. A (2014) 4, 32 DOI: 10.1116/1.4882239

5、 Fatemeh Sadat MinayeHashemi et al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal−Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957−10962. DOI: 10.1021/jp502669f

6、  Jeffrey B. Chou, et.al Enabling Ideal Selective Solar Absorption with 2D Metallic Dielectric Photonic Crystals. Adv. Mater. (2014), DOI: 10.1002/adma.201403302.

7、  Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 6337–6345. DOI: 10.1021/nn402385f

8、 Pengcheng  Dai, et al. Solar Hydrogen Generation by Silicon Nanowires Modified  with Platinum Nanoparticle Catalysts by Atomic Layer Deposition. Angew. Chem. Int. Ed. (2013), 52, 1 –6. DOI: 10.1002/anie.201303813

9、 Joseph Larkin et al. Slow DNA Transport through Nanoporesin Hafnium Oxide Membranes. ACS Nano (2013), 11, 10121–10128. DOI: 10.1021/nn404326f

10  Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388–391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.023

11  Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.4818168

12   Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.

  • 全固态电池由于其具有高能量密度和高安全性能,被认为是具有潜力的下一代电池体系。然而,全固态电池仍有许多挑战亟待解决。其中界面问题(包括界面不匹配、界面副反应和界面空间电荷效应)是影响全固态电池性能的主要因素之一。有效地解决界面问题是攻克全固态电池难关的重中之重。界面修饰及改性是被广泛报道改善界面问题的重要途径。其中,制备界面层材料的技术及界面层材料的性质将是界面层稳定性的决定因素。ALD/MLD技术有望在固态电池界面修饰及改性上扮演重要的角色,包括界面改性材料的制备(图4A),固态电解质的制备(图4B),ALD界面材料用于阻隔电与固态电解质副反应(图4C),改善固态电解质与金属锂的润湿性(图4D),保护金属负(图4E)以及薄膜/三维固态电池的制备(图4F)等。ALD/MLD有望解决全固态电池的界面问题,满足人们对于高安全性以及高能量密度电池的需求,成为下一代电池的有力竞争者。孙教授团队对近几年ALD/MLD技术在固态电池中的应用作以归纳、总结与分析,并对ALD/MLD在固态电池中的应用作以展望相关工作发表在2018年的Joule上(DOI: 10.1016/j.joule.2018.11.012)。

    能源/新能源 2020-03-02

  • 传统液态锂电池正材料晶石型LiNi0.5Mn1.5O4 (LNMO),在电池循环过程中其表面和近表面会发生许多副反应以及不可逆的相变,大的影响电池的循环容量和稳定性。为了解决这一问题,孙学良院士课题组使用美国Arradiance公司生产的型号为GemStar-8 的台式ALD沉积系统,设计了新型多位点Ti掺杂的锂离子电池正材料,将无定形TiO2包覆在晶石型LNMO表面并热处理,实现了Ti元素在晶石结构表面和内部的多位点掺杂,其中表面的Ti部分进入晶石结构四面体配位的位点,其余的Ti替代八面体配位的过渡金属,这种多位点掺杂效应对材料的电化学性能起到了决定性的作用,相比于原始的LNMO,掺杂后的材料表现出了更低的表面阻抗,这是由于四面体配位的Ti能够减缓过渡金属迁移到八面体空位上,保证了锂离子的快速传导。相关工作发表在2017年的Advanced Materials上 (DOl: 10.1002/adma.201703764)。

    能源/新能源 2020-03-02

  • 通过高分子网状模板沉积不同薄膜材料(Au, Cu, Ni, SiO2, poly(C8H4F4))获得周期有序微格结构,其密度在0.5 mg/cm3 to 500 mg/cm3之间。以压力法测得杨氏模量和强度,并且进行了密度定标。在低相对密度的情况下,观察到与微格材料无关的50%或更高的压力应变恢复。一个分析模型的预测了在可恢复性“伪超弹性”与不可恢复塑性形变之间的转换关系,并适合所有研究材料。此次研究的材料在储能应用,可展开结构,声,冲击,振动阻尼研究方面有着很高的关注度。

    材料 2017-06-21

  • 全固态电池由于其具有高能量密度和高安全性能,被认为是具有潜力的下一代电池体系。然而,全固态电池仍有许多挑战亟待解决。其中界面问题(包括界面不匹配、界面副反应和界面空间电荷效应)是影响全固态电池性能的主要因素之一。有效地解决界面问题是攻克全固态电池难关的重中之重。界面修饰及改性是被广泛报道改善界面问题的重要途径。其中,制备界面层材料的技术及界面层材料的性质将是界面层稳定性的决定因素。ALD/MLD技术有望在固态电池界面修饰及改性上扮演重要的角色,包括界面改性材料的制备(图4A),固态电解质的制备(图4B),ALD界面材料用于阻隔电与固态电解质副反应(图4C),改善固态电解质与金属锂的润湿性(图4D),保护金属负(图4E)以及薄膜/三维固态电池的制备(图4F)等。ALD/MLD有望解决全固态电池的界面问题,满足人们对于高安全性以及高能量密度电池的需求,成为下一代电池的有力竞争者。孙教授团队对近几年ALD/MLD技术在固态电池中的应用作以归纳、总结与分析,并对ALD/MLD在固态电池中的应用作以展望相关工作发表在2018年的Joule上(DOI: 10.1016/j.joule.2018.11.012)。

    能源/新能源 2020-03-02

  • 传统液态锂电池正材料晶石型LiNi0.5Mn1.5O4 (LNMO),在电池循环过程中其表面和近表面会发生许多副反应以及不可逆的相变,大的影响电池的循环容量和稳定性。为了解决这一问题,孙学良院士课题组使用美国Arradiance公司生产的型号为GemStar-8 的台式ALD沉积系统,设计了新型多位点Ti掺杂的锂离子电池正材料,将无定形TiO2包覆在晶石型LNMO表面并热处理,实现了Ti元素在晶石结构表面和内部的多位点掺杂,其中表面的Ti部分进入晶石结构四面体配位的位点,其余的Ti替代八面体配位的过渡金属,这种多位点掺杂效应对材料的电化学性能起到了决定性的作用,相比于原始的LNMO,掺杂后的材料表现出了更低的表面阻抗,这是由于四面体配位的Ti能够减缓过渡金属迁移到八面体空位上,保证了锂离子的快速传导。相关工作发表在2017年的Advanced Materials上 (DOl: 10.1002/adma.201703764)。

    能源/新能源 2020-03-02

  • 通过高分子网状模板沉积不同薄膜材料(Au, Cu, Ni, SiO2, poly(C8H4F4))获得周期有序微格结构,其密度在0.5 mg/cm3 to 500 mg/cm3之间。以压力法测得杨氏模量和强度,并且进行了密度定标。在低相对密度的情况下,观察到与微格材料无关的50%或更高的压力应变恢复。一个分析模型的预测了在可恢复性“伪超弹性”与不可恢复塑性形变之间的转换关系,并适合所有研究材料。此次研究的材料在储能应用,可展开结构,声,冲击,振动阻尼研究方面有着很高的关注度。

    材料 2017-06-21

售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 初次安装培训

免费仪器保养: QD中国工程师会依据使用情况定期回访用户、给予维护建议,保障设备良好运转。

保内维修承诺: 免费维修或更换零件;本地储备货值超过50万美元的备件,迅速响应故障诊断和维修。

报修承诺: QD中国承担中国区本地售后服务工作,专业、迅速解决用户在仪器使用过程中的问题。

  • 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计,使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于99%,而且更适合对超高长径比的孔径3D结构等结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。

    2151MB 2020-02-28
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ARRADIANCE原子层沉积GEMStar的工作原理介绍

原子层沉积GEMStar的使用方法?

ARRADIANCEGEMStar多少钱一台?

原子层沉积GEMStar可以检测什么?

原子层沉积GEMStar使用的注意事项?

ARRADIANCEGEMStar的说明书有吗?

ARRADIANCE原子层沉积GEMStar的操作规程有吗?

ARRADIANCE原子层沉积GEMStar报价含票含运吗?

ARRADIANCEGEMStar有现货吗?

台式原子层沉积系统信息由QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司为您提供,如您想了解更多关于台式原子层沉积系统报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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