邦定机

产品详情英国AML 邦定机AWB 04 & 08 Platform AWB具有执行对齐功能:阳极，共晶，直接(高温和低温)玻璃熔块，粘合剂，焊料和热压晶片焊接。新的“无粘合剂”临时粘接在一台机器上对中和粘接?In-situ 对齐 accuracy. 1 微米?10-6mbar Vacuum 2 条 过程 ?特高压选项?Voltage 2.5 kV. ?Temperature 560 ° C. ?Forces 40 kN. 结合 周期 / 高 throughput. ?Market 领先 快2 “ 8 ". ?Wafer 大小In-situ UV cure. 自动PC控制和数据采集实时控制所有键参数或全自动配方。所有的键合参数，如电流、电压、集成电荷、温度、室压、力、晶圆分离、运行参数、配方、SPC晶圆批号、事件日志等，都自动存储在文件中，用于图形绘制和趋势分析。机器也可以联网，并由AML远程询问，以帮助发现故障。全自动配方，包括在生产环境中自动对齐除雾操作。 对齐方式:手动和自动对齐。原位对齐比其他焊接(在粘结室外进行对齐)具有优势。' 一键' 对齐和键合。可见光和红外光谱。广泛间隔的三维对齐标记的图像捕获。 校准可进行热或冷:这消除了由于热膨胀和晶圆片、机器部件和压板之间的不匹配而导致的对准误差。 大晶片分离:允许晶圆片之间存在较大的温差，这是通过工艺气体(如成形气体)更好地活化或原位氧化还原晶圆片的理想选择。也允许快速，高真空和良好定义的焊接环境。 现场系统:还可以在粘接过程之前直观地确认所需的对齐仍在进行中。 晶片尺寸:2 "， 3"， 4"， 5 "， 6 "和8 "。(芯片和形状奇怪的基板，但没有对齐)。 机械手:使晶圆片在真空和高温下能够原位对准。接触力:通过手动或电动液压提供，最大可达40kN。精密晶圆平行度调整。1μm对准精度。 光学:双显微镜-通过镜头照明的照相机系统。两个CCD相机并排显示图像。包括红外功能。同时显示晶圆片的分离力和键合力，实现对中控制。成键 环境:真空，或工艺气体。全自动干式涡轮泵送系统~ 1x10- 6mbar至2bar绝对压力。特高压选项 温度:上下压板均可独立调节，在1°C的步骤。加热和冷却速度可编程。最高温度是560℃。 电极(阳极键合):全尺寸加热板，用于上下电极，以获得更好的粘结均匀性。0-2.5千伏直流可达40毫安。恒流或恒压运行，改善过程控制和应力管理。AWB-04可以粘合3到6英寸的晶圆片和芯片AWB-08可以粘合6英寸和8英寸的晶片 其他选项:?Auto alignment. ?Triple 堆栈 结合 tool. ?Powered lid. ?Pressure control. ?CMOS compatible. ?High 精度 系统 1 μm alignment. 低温 激活 bonding. ?RAD 工具?In-situ UV Cure. ?Motorised X, Y, ? & Z movement. ?Image capture. ?Process support.AML - AWB 04 & 08 PlatformThe AWB has the versatility to perform aligned:Anodic, Eutectic, Direct (High & Low Temperature) Glass frit, Adhesive, Solder & Thermo-compression wafer bonding.New ' Adhesive free' temporary BondingAlignment & bonding in one machine?In-situ alignment 1 micron accuracy.?10-6mbar Vacuum to 2bar process gas. UHV Option?Voltage up to 2.5kV.?Temperature up to 560° C.?Forces up to 40kN.?Market leading fast bonding cycle times / high throughput.?Wafer sizes 2"- 8".?In-situ UV cure.Automatic PC Control & Data acquisitionLive control of all bond parameters or fully automated recipes. All the bonding parameters e.g. current, voltage, integrated charge, temperature, chamber pressure, force, wafer separation, run parameters, recipes, wafer batch No for SPC and event logs are automatically stored in files for graph plotting and trend analysis. Machines can also be networked and remotely interrogated by AML to aid fault finding. Fully automatic recipe, including auto alignment to deskill operation in a production environment.Alignment:Manual and auto alignment. In-situ alignment has advantages over other bonders (where alignment is made outside the bond chamber).‘One click’ align and bond. Visible and IR. Image capture for widely spaced 3D alignment marks.Alignment can be carried out hot or cold:This eliminates alignment inaccuracies due to thermal expansion & mismatch between wafers, machine parts & platens.Large wafer separation:Allows large temperature difference between wafers – ideal for better activation or in-situ oxide reduction via process gas e.g. forming gas. Also allows fast, high vacuum & well defined bonding environment.In-situ system:Also enables visual confirmation just before the bonding process that the desired alignment is still being achieved.Wafer sizes:2”, 3", 4", 5”, 6” & 8”. (Also chips & odd shaped substrates, but without alignment).Manipulator:Enables in-situ alignment of wafers under vacuum and at elevated temperature.Contact force: up to 40kN provided via manual or motorised hydraulics.Precise wafer parallelism adjustment.Alignment accuracy 1 μm.Optics:Twin Microscope – camera system with throughthe-lens illumination. Two CCD cameras and side-by-side display of images. Including IR capability. Simultaneous display of wafer separation & bonding force for complete alignment control.BondingEnvironment:Vacuum, or process gas. Fully automated dry turbo pumping system ~ 1x10-6 mbar to 2bar absolute pressure. UHV optionTemperature:Both Upper & Lower Platens independently adjustable in 1 °C steps. Heating & Cooling rates are programmable. Max Temperature is 560°C.Electrodes:(for Anodic Bonding)Full size heated platens for both upper andlower electrodes for better bond uniformity. 0-2.5 kV DC up to 40 mA. Constant current or voltage operation, for improved process control & stress management.The AWB-04 can bond 3” to 6” wafers and chipsThe AWB-08 can bond 6” and 8” wafersAdditional Options:?Auto alignment.?Triple stack bonding tool.?Powered lid.?Pressure control.?CMOS compatible.?High accuracy system for 1μm alignment.?RAD tool for low temperature activated bonding.?In-situ UV Cure.?Motorised X, Y, ? & Z movement.?Image capture.?Process support.

GZC-COF280F型恒温热压机适用ACF工艺，主要用于各种FOG、COF、TAB工艺LCD TO FPC/FPC TO PCB的组合绑定，斑马线热压，该设备采用了PLC控制系统控制，触摸屏显示输入，中/英文菜单页面可选择使用，所有参数设置浏览简洁直观。摄像头高清晰对位，压头加热采用欧姆龙温控器恒温加热、PID自整定温度控制调节，通过手动、自动两种模式自由控制，操作简单易懂、稳定可靠。工作原理：通过热压头恒定的温度，使排线以完美的温度、时间及压力来和ACF胶并且以良好的契合度粘合在被绑定的物体上。设备特点l 压头下压采用SMC气缸带压合感应，可精准控制压合时间；l 压头加热采用欧姆龙温控器恒温加热；l 压力控制采用了SMC精密调压阀，保证压力的精准，压头一接触到产品表面就能输出稳定的压力；l 对位系统采用了2路高清镜头（可定制4路）、15.6寸大显示器显示；l 平台带辅助加热功能，2路真空吸附，FPC对位采用三轴微调平台（定制）；l 压头结构采用的专业L型一体成型结构（专利申请），下压稳定，绑定精准。

1、产品介绍：超声波烙铁不仅可以钎焊金属，如不锈钢、铝，还可以直接钎焊传统意义上无法钎焊的无机材料，如陶瓷、玻璃等。常州井芯半导体设备有限公司是一家超声波电烙铁的制造商，涵盖40KHZ、60KHZ等多款产品，采用全数字电路，实现精确的频率跟踪匹配以及稳定的功率输出，是微电子、半导体领域的可靠选择。 目前超声波烙铁拥有两款产品 (1)USI-40:频率40KHZ。较低的超声波频率，更高的超声波功率，适合直径6-10mm的中型超声波烙铁头。 (2)USI-60:频率60KHZ。更高的超声波频率，更低的超声波功率，适合直径1-5mm的小型超声波烙铁头。2、性能参数 电源输入： 电压100~260V 频率48~65HZ 功率200W功率输出： 超声波功率0~30W 超声波频率~40KHZ，自动调整 加热功率100W 加热温度150~480℃烙铁头规格：平头：直径6-10mm斜头：直径6-10m 3、适用范围l 较大的焊接面积l 实验室或小规模生产使用l 可以用于电子产品的钎焊、金属连接钎焊等。4、应用领域（1）功率半导体的固晶环节：功率半导体对芯片的散热、耐温有着较高的要求，传统的焊膏回流工艺面临空洞率缺陷和助焊剂残留问题，而超声波钎焊不仅提高生产效率，还可以提升产品品质，是功率半导体新的发展工艺路线。（2）散热连接环节：新能源电池、笔记本电脑、手机等产品都需要散热处理，通过超声波钎焊的散热器，散热速度快、连接界面强度高，是新的发展趋势。（3）特种连接：石墨烯的低温钎焊、碳化硅SiC低温钎焊，都可以选用超声波钎焊工艺。