可控硅

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可控硅相关的厂商

  • 潍坊企田电子有限公司,位于山东省潍坊市临朐县城,这里风景秀美,地理位置优越,交通发达。随着自动化产品和研发的加强,潍坊企田电子在行业的众多娇娇者中崭露头脚。FDV-Ⅱ信号放大器FDV-5放大器FDV-III放大器FDV-IV放大器FDV-8放大器FDV-8S放大器FDV-5S放大器,SAC140放大器xk-2 xk-30 xk-80A xk-Ⅱ可控硅电源 xk-50A可控硅电源 XK-100A可控硅电源,HDK-Ⅱ滑差电机控制器HDK-33B滑差电机控制器HCH-M14-c43t测速传感器,TW-C802称重控制器,HK-3000系列配料控制仪表 DCS403DCS-803微电脑控制仪803智能控制仪GM0503P大皮带控制仪,KGLA30/500除铁器控制箱MBZ2006包装控制器JS2011X包装机控制器BZ2046微电脑控制器,PL3000微机配料,PL2000微机配料,M990H工控机,各种放大版,可控硅触发板,微机配料输出板,输入板,GZ系列电磁振动给料机,除铁器,GJT-2F型金属探测器等
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  • 我司专注于高端电源系统的设计、销售及制造。致力于为所有负有重要使命的用电设备和数据处理进程提供高质量、高可靠的电力保护解决方案,以保障用电设备的运行安全,提高其生产力及可用性,并延长其使用寿命。主要产品包括:全智能可控硅无触点稳压器、全自动补偿式碳刷稳压器、智慧型净化交流电流、电力变压器、光伏并网逆变器、UPS不间断电源、变频电源、直流电源等。产品畅销欧美、日本、澳洲、东南亚、中东以及北非等世界四十余个国家和地区,并以其优质的产品质量、优良的售后服务赢得了世界各行各业广大客户的高度肯定。
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  • 武汉欧立德电气有限公司是一家集科研、制造、销售和技术服务于一体的高科技企业,是专门从事电力系统自动化设备及其电力电子装置的设计、研究和制造的具有独立法人资格的有限责任公司。公司在电力电子整流装置、电力领域工业控制及自动化无人值守等应用领域积累了成熟丰富的经验,可控硅控制技术及电站自动化技术控制技术持续引领行业内核心控制算法及软件技术的创新.在多年的发展过程中,欧立德公司始终将创新作为产品应用与研发的源动力。   公司的主要产品分为是各种型号的微机励磁调节器及同期装置、发电机励磁柜、水电站监控系统、电站远程监控系统、水电站云平台监控系统、水电站智能APP系统、水轮机调速装置、水电站一体化柜、生态流量监测系统、以及一些电站设备辅助装置。公司具有先进的制造工艺和完善检测技术体系,功能齐全,能进行各种复杂条件下实验检测。公司建立了完善的质量保证体系,通过了ISO9001:2008质量管理体系认证、华电供应商认证、大公国际AAAc资信认证等。
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可控硅相关的仪器

  • XK-2可控硅电源/XK-II可控硅电源 XK-2(xk-II)可控硅电源是为减量法斗式秤配料系统设计的专用电源,可与配料控制系统配套,可组成自动配料系统,本电源集中在一个机壳内,具有结构紧凑、操作简便、可靠性高等优点。主要技术指标电源电压: 220V±10%50HZ±4%直流输出电压: 0-90V输出电流: 0-20A(可调) 自动控制信号输入: 0-5VDC(模拟量)或者开关量(通常所指继电器输入或者节点信号)。请购买时注意区别,如没有告知,默认0-5VDC输入式。货发不退~ 使用环境: -15℃—+40℃ 相对湿度: 85% 相关型号: XK-2、XK-2A、XK-2G、XK-30,XK-3G。 用于振动给料机:
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  • 上海楚柏为您提供可控硅控温万用调温电炉。万用电炉易碎,重而且价值很低,很多公司不愿意经销这类产品。但是,我们楚柏致力于为客户提供实验室整体采购方案,只要是客户需要的,再麻烦我们也会为客户送上门。可控硅控温万用调温电炉由上海楚柏实验室设备有限公司为您提供,可控硅控温万用调温电炉产品特点: 1、采用可控硅无级调功,适应用户的不同加热温度的需要。 2、本产品外壳采用优质冷轧板表面静电喷塑,具有抗腐性能强,坚固耐用。 3、封闭型电炉采用封闭式加热盘,具有加热无明火的特点。可控硅控温万用调温电炉技术参数:型号 DL-1 DL-1 DL-1 DL-1 DL-1规格 单联1kw 单联2kw 双联 四联 六联工作电压(V) 220 220 220 220 220功率(kw) 1000 2000 2000 4000 6000炉盘尺寸及数量(mm) 135x135x1 155x155x1 135x135x2 135x135x4 135x135x6可控硅控温万用调温电炉产品列表编号 名称 规格型号 单位 单价C08010101 可控硅控温万用调温电炉 DL-1 单联 1000W 台 90C08010102 可控硅控温万用调温电炉 DL-1 单联 2000W 台 120C08010103 可控硅控温万用调温电炉 DL-1 双联 2*1000W 台 180C08010104 可控硅控温万用调温电炉 DL-1 四联 4*1000W 台 280C08010105 可控硅控温万用调温电炉 DL-1 六联 6*1000W 台 400 上海楚柏实验室设备有限公司为您提供实验室整体解决方案(实验室设计,实验室家具,仪器,耗材,试剂等….)
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  • 高精度可控硅测试仪 ST-DC2000(250A)可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数(测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)主极输出 2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域高精度可控硅测试仪适用于军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)? 失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 )? 选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)? 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)? 产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试) ? 产品简述 高精度可控硅测试仪产品的扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快,更简洁的创建曲线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更高级的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel 表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?高精度可控硅测试仪的测试范围广(19大类,27分类)?升级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导 ,其结果与器件实际值偏差很大)?系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能,无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护*大电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;VGEON;VF;GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS03J-FET / J型场效应管IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF04晶体管(NPN/PNP)ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF05DIODE / 二极管IR;BVR ;VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR;BVZ;VF;ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-11SCR / 可控硅IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;IGT;VGT;IL;IH12STS / 硅触发可控硅IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;VPK-;VGSW+;VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;BVCER;BVCEE;BVCES;BVCBO;BVEBO;hFE;VCESAT;VBESAT;VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout;Iin;15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、IH-;;IBO+ IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+; ID-;VC+ ;VC-
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可控硅相关的资讯

  • 智能恒温电热套现货促销
    智能恒温电热套现货促销,ZNHW-Ⅱ型智能恒温电热套该电热套采用PID智能操作控制,热电偶感温,可控硅控制输出,单键快速升降温度设定模式,设定、控制双排数字显示,并设有断偶保护功能。ZNHW-Ⅱ型智能恒温电热套当设定好所需温度后,微电脑将根据温度差自动调整升温速度,通过间断供电,比例调节,快速达到最佳升温效果,使之无温冲,400℃内± 1℃平衡加温,该电热套还设有内外热电偶转换器件,可精确显示控制电热套温度,转换后又可精确显示控制瓶内溶液温度。ZNHW-Ⅱ型智能恒温电热套,ZNHW-II 10000该电热套除具有ZNHW型功能外,又增加了自整定功能,当启动自整定功能后,将使控温在同一条件下升温速度最快,精度更加准确。但当改变被加热介质时需重新自整定.ZNHW-II 20000,ZNHW-II 30000,ZNHW-II 50000PTHW型普通恒温电热套该系列型电热套根据联合国教科文组织&ldquo 环境与人类&rdquo 赠于我国的英国产品改进而成,它用无碱玻璃纤维作绝缘材料,将镊铬合金丝簧状置于其中为加热源,用轻质保温棉高压定形的半球形保温体保温,外壳用一次性高温塑料制成,上盖采用静电喷塑工艺,用大功率可控硅控温,具有外形美观、重量轻、恒温控制,形状标准,经久耐用的特点。TYHW型调压恒温电热套ZNHW-II 250该电热套除具有PTHW型的加热性能外,更具有热利用率高的特点,它是用大功率可控硅调压,继电器控制线路,与接点式温度计相配可达到调温恒温效果。BXHW型表显恒温电热套 ZNHW-II 500该电热套采用集成电路控制,热电偶感温,指针表式显示温度,可先设定所需温度,电热套在达到所需温度时即保持恒温加热,该产品可交替显示控制电热套内温度、瓶内溶液温度,具有控温精确,温度显示直观的特点。ZNHW型智能恒温电热套ZNHW-II 1000该电热套采用PID智能操作控制,热电偶感温,可控硅控制输出,单键快速升降温度设定模式,设定、控制双排数字显示,并设有断偶保护功能。当设定好所需温度后,微电脑将根据温度差自动调整升温速度,通过间断供电,比例调节,快速达到最佳升温效果,使之无温冲,400℃内± 1℃平衡加温,该电热套还设有内外热电偶转换器件,可精确显示控制电热套温度,转换后又可精确显示控制瓶内溶液温度。ZNHW-Ⅱ型智能恒温电热套ZNHW-II 2000该电热套除具有ZNHW型功能外,又增加了自整定功能,当启动自整定功能后,将使控温在同一条件下升温速度最快,精度更加准确。但当改变被加热介质时需重新自整定。ZHQ型电热套ZNHW-II 3000该电热套是专供实验室在磁力搅拌器上做加热搅拌用的电热套。多孔电热套ZNHW-II 5000可生产两孔、四孔、六孔、调温、表显、数显型电热套,加热板及来图加工异形产品。公司名称:上海昨非实验室设备有限公司电 话:021-51872183传 真:021-61249232
  • 可控生长InSb纳米低维结构及其高质量量子器件研究获进展
    窄带InSb半导体材料以高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称,成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体-超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。   由InSb制成的低维纳米结构如纳米线或2D InSb纳米结构(或量子阱),也因丰富的量子现象、优异的可调控性而颇具潜力。然而,InSb量子阱由于大晶格常数,较难在绝缘基板上外延生长。解决这些问题的方法之一是自下而上独立生长出无缺陷的纳米结构。通过气-液-固(VLS)生长出的2D InSb纳米片结构具有非常高的晶体质量,显示出单晶或接近单晶的优异特性,而在以往研究中其生长过程几乎均是起源于单个催化剂种子颗粒,因而位置、产量和方向几乎没有控制。   荷兰埃因霍温理工大学与中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心HX-Q02组特聘研究员沈洁等合作,开发出通过金属有机气相外延(MOVPE)在预定位置以预设数量(频率)和固定取向/排列生长2D InSb纳米结构的新方法(可控生长),并利用低温电输运测量其制备而成的量子器件,观察到不同晶体结构对应的特征结构。   在这一方法中,通过在基底上制备V型槽切口,并精确控制成对从倾斜且相对的{111}B面生长的纳米线进行合并来形成纳米片。纳米片状形态和晶体结构由两根纳米线的相对取向决定。TEM等分析表明,存在与不同晶界排列相关的三种不同的纳米片形态——无晶界(I型)、Σ3-晶界(II型)、Σ9-晶界(III型)。后续的器件制备和输运测量表明,I型、II型在输运上表现出良好的性质,有较好的量子霍尔效应,出现了量子化平台,也有较高的场效应迁移率。   与之相对,III型纳米线因特殊晶界的存在,出现了明显的迁移率降低和较差的量子霍尔行为,且在偏压谱中被观察到象征势垒的零偏压电导谷。这归因于Σ9晶界带来的势垒对输运性质的影响。   研究表明,通过这种方法制备的I型和II型纳米片表现出有潜力的输运特性,适用于各种量子器件。尤其是这种生长方案使得InSb纳米线与InSb纳米片一起生长,具有预定的位置和方向,并可创建复杂的阴影几何形状与纳米线网络形状。   这一旦与超导体的定向沉积相结合,便可用最少的制备步骤产生高质量InSb超导体复合量子器件,为拓扑量子比特和新型复合量子比特提供器件平台。此外,与通过分子束外延(MBE)生长的InSb纳米片相比,采用这一方法生长的InSb纳米片更薄,更有助于量子化现象的出现和增加可调控性。   2月8日,相关研究成果以Merging Nanowires and Formation Dynamics of Bottom-Up Grown InSb Nanoflakes为题,在线发表在Advanced Functional Materials上。研究工作得到国家自然科学基金、中科院战略性先导科技专项、北京市科技新星计划和综合极端条件实验装置的支持。图1.(a)InSb纳米线和纳米片基底的示意图。在InP(100)晶圆上制作v型槽切口(“沟槽”),暴露出(111)B面。金颗粒在InP(111)B切面预先确定的位置上进行曝光制备,InSb纳米线在其上生长。通过在相反的InP(111)B切面上沉积Au颗粒,InSb纳米线将合并,形成(e)纳米桥和(f)纳米片。图2.三种类型的InSb纳米片的晶体取向与最终形貌的关系图4.三种纳米片的低温电输运测量。(a-c)显示了两端电导作为背门电压Vbg和磁场B的函数,即朗道扇形图。插图中显示的是假彩色SEM图像。纳米薄片被Al电极(蓝色)接触,Σ3和Σ9晶界分别用黄色和红色虚线标记。(d-f)为(a-c)在4T、8T和11T处扇图的截线,显示量子化平台存在与否。(g-i)为三种类型纳米片低磁场下微分电导dI/dV与Vbias和Vbg的函数关系,可以看出(i)中存在与晶界对应的零偏压电导谷。(j)由三种不同类型的纳米片制成的8个器件的场效应迁移率,显示三类纳米线不同的迁移率。
  • 精智达张滨:坚持双轮驱动 让检测设备自主可控
    7月18日,科创板迎来又一位国家级专精特新“小巨人”——检测设备与系统解决方案提供商精智达。  成立于2011年的精智达是国内较早进入AMOLED检测设备领域且布局较为完善的企业。公司以核心技术为基础,推出了覆盖新型显示器件Cell及Module制程的光学特性、显示缺陷等功能检测及校准修复的各类设备。同时,精智达基于自身的技术积累,面向半导体存储器件行业布局了晶圆测试系统等产品线。  “登陆科创板意味着公司获得一个更广阔的发展平台。”日前,精智达董事长张滨在接受上海证券报记者专访时表示,未来公司将抓住新型显示器件及半导体存储器件产业的发展机遇,推动旗下两大业务跃上新台阶,为行业核心检测及测试设备的自主可控作贡献。  起于半导体“情结”  20世纪90年代初,从清华大学半导体物理与器件专业毕业的张滨,被深圳的开放和活力所吸引,决定南下闯荡一番。“来到深圳后,我一直从事设备相关的工作,在医疗设备企业、跨国公司都干过,也曾围绕电子信息产业进行创业。”回忆起创立精智达的初衷,张滨笑称,“还是有半导体‘情结’,想回归主业。”  设立初期,精智达主要进行新型显示器件触控检测设备的研发、生产与销售,主要产品应用于显示器件触控模组的Sensor检测与线性检测。  2015年起,紧随新型显示器件行业的发展方向,精智达将业务发展重心聚焦AMOLED领域。这被张滨视为公司发展历程中的一次重要选择。  “作为新一代显示技术,AMOLED在显示效果、色彩上比LCD液晶更具优势,更重要的是它是柔性可折叠的。”当时,张滨判断,AMOLED未来将成为主流显示技术。而且,AMOLED产线的投资相对较大。“在一条6代线的AMOLED产线中,设备占60%至80%,其中检测设备占6%至8%,市场空间广阔。”  看准方向的张滨,带领精智达的研发团队果断切入AMOLED检测设备核心技术的研发中。目前,在AMOLED的Cell制程与Module制程方面,精智达已形成包括光学检测及校正修复系统、老化系统等拥有自主知识产权的丰富产品线。根据CINNO Research报告,在2021年中国AMOLED行业Cell/Module制程检测设备厂商销售额排名中,精智达位列第三,市场占比约13%。  与下游客户相互成就  2016年以来,新型显示器件行业整体景气度不断提升,推动AMOLED产能向中国快速转移。据调研机构预计,到2025年来自中国的AMOLED产能占比将达56.2%。  新型显示器件行业产能转移的过程,也是国内检测设备厂商崛起的过程。早前,AMOLED检测设备领域近乎被进口设备垄断。到了2021年,中国AMOLED行业Cell/Module制程检测设备国产化率已达86%。  对于这一变化,张滨表示,进口设备价格往往较高,再加上检测设备与产线的磨合改进,要有优质的现场技术服务作为支撑,所以本土显示厂商在发展过程中,也希望将检测设备环节国产化,以此降低成本,并获取更好服务。  这为国内检测设备企业创造了机会。  张滨回忆道,2017年前后,精智达正着力研发显示器件CELL制程的光学检测设备AVI。恰好国内某显示企业希望将该环节检测设备国产化,便找到精智达等3家企业合作,想从中选出供应商。  2018年下半年,精智达按照该显示企业的需求完成了交付。“后来我们才知道,因为技术难度过大,另外2家竞争对手早已退出。”张滨表示,公司产品顺利交付为该企业节省了一半的采购成本。这家企业也成为精智达重要客户之一。  目前,精智达已与维信诺、TCL科技、京东方等企业建立了稳定的合作关系,产品应用于这些主要客户的多条量产产线中,实现了Cell光学检测设备、Cell老化设备等多种关键检测设备的国产化替代。  谈及下一阶段布局,张滨表示,大尺寸、超高清、低成本化是新型显示市场未来重要发展方向,这是精智达必须把握的机遇。  “双轮驱动”更上层楼  带领精智达在新型显示器件检测设备领域逐步取得优势地位后,张滨将目光投向了半导体存储领域。  在他看来,半导体和显示行业在技术和工艺上具有相通性,公司此前在光学、电学领域积累的技术基础,在半导体的检测和测试领域也能派上用场。  “从国内半导体产业发展态势来看,存储器件是驱动近年来行业资本开支的主要动力。未来在5G、AI及汽车智能化的驱动下,半导体存储行业有望步入下一轮成长周期,对于相关专用测试设备,尤其是高端测试设备的需求将进一步增加。”张滨说。  为此,精智达在2020年设立子公司精智达集成电路,培养半导体测试设备研发及生产团队。同年,公司与韩国半导体存储器件测试设备企业UniTest成立合资公司精智达半导体。  目前,精智达已经在半导体存储器件高端测试设备的信号、治具以及温控等核心技术方面取得突破。此次IPO,精智达拟将募资用于新一代显示器件检测设备研发项目、新一代半导体存储器件测试设备研发项目以及补充流动资金。  “我们将持续实施新型显示器件检测设备业务和半导体存储器件测试设备业务双轮驱动的发展战略。”面对新一轮科技革命和产业变革,张滨已为精智达规划好了前行方向:借助募投项目的实施,延伸公司产品线,加快新产品研发进度,研发出更满足客户需求、更具竞争力的产品和解决方案,推进关键检测设备的自主可控。

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    1. 可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。 2. 单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。 晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法: 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极.

  • 可控硅价格?

    我是岛津光谱仪用户,仪器里的可控硅坏了,需更换,哪位高手能告诉我其大致价格吗?其型号为:SH16J137.G。

  • 【分享】如何借助万用表检测可控硅

    可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。  1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。  2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。  对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。  若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。   对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。相关连接:http://www.3017.cn/category/?bid=6http://www.3017.com.cn/product/search.asphttp://www.sd1718.com/yiqi/search.asphttp://www.sd1718.com/jswz/index.asp

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